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塑料基底a-Si∶H TFT制备技术 被引量:1
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作者 姚建可 许宁生 +3 位作者 邓少芝 陈军 佘峻聪 王彬 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期542-545,共4页
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-S... 采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10^-78.8×10^-6S/cm;n+a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10^-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能:Ioff≈1×10^-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/(V.s),S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。 展开更多
关键词 塑料基底 a-Si∶H TFT 柔性显示
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填充材料与后处理对印刷型碳纳米管冷阴极的影响 被引量:1
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作者 张耿 陈文礼 +3 位作者 段春艳 陈军 邓少芝 许宁生 《电子器件》 CAS 2008年第1期170-173,共4页
采用丝网印刷法制备了由不同填充材料组成的碳纳米管冷阴极,并采用电场处理来改善其场致发射性能。采用扫描电子显微镜对处理前后样品的表面进行表征,结果表明了电场处理会使阴极中的碳纳米管暴露出来。通过优化填充材料并结合阴极的后... 采用丝网印刷法制备了由不同填充材料组成的碳纳米管冷阴极,并采用电场处理来改善其场致发射性能。采用扫描电子显微镜对处理前后样品的表面进行表征,结果表明了电场处理会使阴极中的碳纳米管暴露出来。通过优化填充材料并结合阴极的后处理,我们得到了低电压工作下的均匀发射,并实现了在二极结构场发射显示器中的可寻址显示。 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射 后处理
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ZnqCl_2薄膜与器件的制备及其光电特性 被引量:4
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作者 刘彭义 许宁生 +4 位作者 赵福利 邓少芝 陈军 叶建青 龚孟濂 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期412-416,共5页
用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜,并制作成有机发光器件。紫外吸收谱分析表明,器件在225,290,350,392 5nm处有4个吸收峰。光致发光和电致发光研究表明,ZnqCl2薄膜有良好的发光特性,器件的发光亮度... 用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜,并制作成有机发光器件。紫外吸收谱分析表明,器件在225,290,350,392 5nm处有4个吸收峰。光致发光和电致发光研究表明,ZnqCl2薄膜有良好的发光特性,器件的发光亮度大。并分析了ZnqCl2薄膜的能级结构。 展开更多
关键词 ZnqCl2薄膜 二氯取代-八羟基喹啉锌薄膜 光电特性 制备 有机电致发光器件 热蒸发技术 能级结构
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Ba3Ga(PO4)3:Dy^3+荧光粉阴极射线发光研究 被引量:1
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作者 段春艳 陈军 +4 位作者 邓少芝 许宁生 韩冰 梁宏斌 苏锵 《电子器件》 CAS 2008年第1期184-188,共5页
本文研究了采用高温固相法合成的Ba3Gd(PO4)3:Dy3+荧光粉的阴极射线发光特性。测试并比较了电子轰击前后荧光粉的CL谱、色坐标以及PL谱变化。Ba3Gd(PO4)3:0.06Dy3 +荧光粉的色坐标为x =0.454 ,y =0.424 ,Tc=2889.3K。测试结果显示该荧... 本文研究了采用高温固相法合成的Ba3Gd(PO4)3:Dy3+荧光粉的阴极射线发光特性。测试并比较了电子轰击前后荧光粉的CL谱、色坐标以及PL谱变化。Ba3Gd(PO4)3:0.06Dy3 +荧光粉的色坐标为x =0.454 ,y =0.424 ,Tc=2889.3K。测试结果显示该荧光粉是一种低色温、暖白光荧光粉,并且具有高的饱和电流,有耐大电流密度电子束轰击的能力。 展开更多
关键词 阴极射线发光 荧光粉 Ba3Ga(PO4)3:Dy^3+
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可印制碳纳米管冷阴极中碳纳米管含量的优化
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作者 余俊 陈军 +3 位作者 朱联峰 佘峻聪 邓少芝 许宁生 《电子器件》 CAS 2008年第1期166-169,共4页
采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极。研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系。实验发现,碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性受碳纳米管含量影响,具有适当的碳纳米管含量的冷阴极的场发射... 采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极。研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系。实验发现,碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性受碳纳米管含量影响,具有适当的碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性最佳。 展开更多
关键词 碳纳米管 丝网印刷 场发射
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