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塑料基底a-Si∶H TFT制备技术
被引量：
1
1
作者
姚建可
许宁生
+3 位作者
邓少芝
陈军
佘峻聪
王彬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期542-545,共4页
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n＋a-Si∶H薄膜的电导率。a-S...
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n＋a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H（原子数分数）约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10^-78.8×10^-6S/cm;n＋a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10^-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能：Ioff≈1×10^-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/（V.s）,S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。
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关键词
塑料基底
a-Si∶H
TFT
柔性显示
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职称材料
ZnqCl_2薄膜与器件的制备及其光电特性
被引量：
4
2
作者
刘彭义
许宁生
+4 位作者
赵福利
邓少芝
陈军
叶建青
龚孟濂
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期412-416,共5页
用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜,并制作成有机发光器件。紫外吸收谱分析表明,器件在225,290,350,392 5nm处有4个吸收峰。光致发光和电致发光研究表明,ZnqCl2薄膜有良好的发光特性,器件的发光亮度...
用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜,并制作成有机发光器件。紫外吸收谱分析表明,器件在225,290,350,392 5nm处有4个吸收峰。光致发光和电致发光研究表明,ZnqCl2薄膜有良好的发光特性,器件的发光亮度大。并分析了ZnqCl2薄膜的能级结构。
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关键词
ZnqCl2薄膜
二氯取代-八羟基喹啉锌薄膜
光电特性
制备
有机电致发光器件
热蒸发技术
能级结构
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职称材料
题名
塑料基底a-Si∶H TFT制备技术
被引量：
1
1
作者
姚建可
许宁生
邓少芝
陈军
佘峻聪
王彬
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室广东省显示材料与技术重点实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期542-545,共4页
文摘
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n＋a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H（原子数分数）约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10^-78.8×10^-6S/cm;n＋a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10^-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能：Ioff≈1×10^-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/（V.s）,S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。
关键词
塑料基底
a-Si∶H
TFT
柔性显示
Keywords
plastic substrate
a-Si： H TFT, flexible display
分类号
O753.2 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
ZnqCl_2薄膜与器件的制备及其光电特性
被引量：
4
2
作者
刘彭义
许宁生
赵福利
邓少芝
陈军
叶建青
龚孟濂
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室广东省显示材料与技术重点实验室
中山大学
化工学院化学系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期412-416,共5页
基金
广东省自然科学基金
科技计划(B10502)资助项目
文摘
用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜,并制作成有机发光器件。紫外吸收谱分析表明,器件在225,290,350,392 5nm处有4个吸收峰。光致发光和电致发光研究表明,ZnqCl2薄膜有良好的发光特性,器件的发光亮度大。并分析了ZnqCl2薄膜的能级结构。
关键词
ZnqCl2薄膜
二氯取代-八羟基喹啉锌薄膜
光电特性
制备
有机电致发光器件
热蒸发技术
能级结构
Keywords
ZnqCl_2 thin films
photoelectric properties
OLEDs
electroluminescence
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
塑料基底a-Si∶H TFT制备技术
姚建可
许宁生
邓少芝
陈军
佘峻聪
王彬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
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职称材料
2
ZnqCl_2薄膜与器件的制备及其光电特性
刘彭义
许宁生
赵福利
邓少芝
陈军
叶建青
龚孟濂
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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