期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
半导体热电材料BI_(1-X)SB_X薄膜的电化学制备
被引量：
3
1
作者
洪澜
任山
+2 位作者
VEREECKEN P M
SUN L
SEARSON P C
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期37-41,共5页
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I...
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。
展开更多
关键词
半金属
Bi—Sb合金
热电薄膜
电化学沉积
电流-电位循环曲线
在线阅读
下载PDF
职称材料
半导体热电材料Bi_2Te_3膜的电化学制备
2
作者
罗婷
洪澜
任山
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期14-17,共4页
研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi3+、纯Te4+及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱...
研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi3+、纯Te4+及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)对膜的微观表面形貌、相结构及成分进行了表征。研究表明:生长的样品为斜方六面体(rhombohedral)晶体结构的Bi2Te3,薄膜表面平整致密,为明显的柱状晶结构,具有(110)择优取向;沉积电位越接近还原峰最大电流处,膜的生长电荷效率越高,薄膜结晶性也越好。
展开更多
关键词
热电材料薄膜
碲化铋半导体
电化学沉积
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
半导体热电材料BI_(1-X)SB_X薄膜的电化学制备
被引量：
3
1
作者
洪澜
任山
VEREECKEN P M
SUN L
SEARSON P C
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥纳米技术研究中心∥物理科学与工程技术学院
DEPARTMENT OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING JOHNS HOPKINS UNIVERSITY BALTIMORE
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期37-41,共5页
基金
教育部跨世纪人才基金留学回国人员科研启动基金资助项目(02-30100-4105396)
广东省重点研究资助项目(99B03001G)
广州市科技资助项目(01-Z-118-01)
文摘
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。
关键词
半金属
Bi—Sb合金
热电薄膜
电化学沉积
电流-电位循环曲线
Keywords
Bi - Sb alloy, thermoelectric films, semiconductor, electrodeposition, current - potential curve.
分类号
TG146 [金属学及工艺—金属材料]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
半导体热电材料Bi_2Te_3膜的电化学制备
2
作者
罗婷
洪澜
任山
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥纳米技术研究中心∥物理科学与工程技术学院
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期14-17,共4页
基金
国家教育部留学回国人员科研启动基金资助项目
文摘
研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi3+、纯Te4+及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)对膜的微观表面形貌、相结构及成分进行了表征。研究表明:生长的样品为斜方六面体(rhombohedral)晶体结构的Bi2Te3,薄膜表面平整致密,为明显的柱状晶结构,具有(110)择优取向;沉积电位越接近还原峰最大电流处,膜的生长电荷效率越高,薄膜结晶性也越好。
关键词
热电材料薄膜
碲化铋半导体
电化学沉积
Keywords
thermoelectric film
bismuth tellurium semiconductor
electrodeposition
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O472.7 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体热电材料BI_(1-X)SB_X薄膜的电化学制备
洪澜
任山
VEREECKEN P M
SUN L
SEARSON P C
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
半导体热电材料Bi_2Te_3膜的电化学制备
罗婷
洪澜
任山
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
