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单晶黑硅微结构对其反射率影响的研究
被引量：
6
1
作者
岳之浩
沈鸿烈
+3 位作者
蒋晔
陈伟龙
唐群涛
商威
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第16期16056-16060,共5页
采用Ag辅助化学腐蚀法在不同H2O2 浓度、腐蚀温度和腐蚀时间条件下制备了单晶黑硅微结构,并系统地研究了这种微结构对表面反射率的影响规律.采用场发射扫描电子显微镜对样品形貌进行了观察,并利用分光光度计对样品的表面反射率进行了测...
采用Ag辅助化学腐蚀法在不同H2O2 浓度、腐蚀温度和腐蚀时间条件下制备了单晶黑硅微结构,并系统地研究了这种微结构对表面反射率的影响规律.采用场发射扫描电子显微镜对样品形貌进行了观察,并利用分光光度计对样品的表面反射率进行了测试,最终采用陷光模型对黑硅微结构与其反射率的关系进行了深入分析.发现当腐蚀液为7.8 mol/LHF和0.6mol/LH2O2 混合液、腐蚀温度为20 ℃以及腐蚀时间为90s时,所制备黑硅的腐蚀深度为900nm,其表面平均反射率为0.98% （400-900nm）.
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关键词
Ag辅助化学腐蚀法
单晶硅
微结构
反射率
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职称材料
题名
单晶黑硅微结构对其反射率影响的研究
被引量：
6
1
作者
岳之浩
沈鸿烈
蒋晔
陈伟龙
唐群涛
商威
机构
南京航空航天大学材料科学与
技术
学院
南京航空航天大学
中天光伏技术有限公司
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第16期16056-16060,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03Z219)
江苏省前瞻性联合创新资助项目(BY2013003-08)
文摘
采用Ag辅助化学腐蚀法在不同H2O2 浓度、腐蚀温度和腐蚀时间条件下制备了单晶黑硅微结构,并系统地研究了这种微结构对表面反射率的影响规律.采用场发射扫描电子显微镜对样品形貌进行了观察,并利用分光光度计对样品的表面反射率进行了测试,最终采用陷光模型对黑硅微结构与其反射率的关系进行了深入分析.发现当腐蚀液为7.8 mol/LHF和0.6mol/LH2O2 混合液、腐蚀温度为20 ℃以及腐蚀时间为90s时,所制备黑硅的腐蚀深度为900nm,其表面平均反射率为0.98% （400-900nm）.
关键词
Ag辅助化学腐蚀法
单晶硅
微结构
反射率
Keywords
Crystalline materials
Etching
Hydrofluoric acid
Microstructure
Reflection
Scanning electron microscopy
Silver
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
单晶黑硅微结构对其反射率影响的研究
岳之浩
沈鸿烈
蒋晔
陈伟龙
唐群涛
商威
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
6
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职称材料
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