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题名铜箔衬底对化学气相沉积法制备石墨烯的影响
被引量：1
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作者
王云鹏
刘宇宁
王同波
张嘉凝
莫永达
娄花芬
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机构
中国铜业工程技术研究院
昆明冶金研究院有限公司北京分公司
中铝科学技术研究院有限公司
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第13期173-177,共5页
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基金
北京市科技计划课题(Z211100004521005)
中铝集团战略前沿技术重大专项(2022ZL015013)。
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文摘
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下两类铜箔对生长石墨烯的影响。研究表明,电解铜箔的表面粗糙度在预处理与退火后均大于压延铜箔。压延铜箔由于经历变形,退火处理后晶粒尺寸为37μm,Cu(111)面比例约40%,电解铜箔退火后晶粒尺寸约为24μm,Cu(111)面比例约为28%,压延铜箔优于电解铜箔。CVD制备石墨烯后发现压延铜箔上生长的石墨烯岛的面积大于电解铜箔,石墨烯缺陷要少于电解铜箔,即相同制备条件与相同厚度下压延铜箔上制备的石墨烯质量优于电解铜箔上制备的石墨烯。
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关键词
电解铜箔
压延铜箔
化学气相沉积法
石墨烯
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Keywords
electrolytic copper foil
rolled copper foil
chemical vapor deposition(CVD)
graphene
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分类号
TG146.11
[金属学及工艺—金属材料]
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