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基于正交光纤光栅阵列的负载感知系统研究 被引量:2
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作者 王高 张梅菊 +2 位作者 黄漫国 梁晓波 刘智超 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期143-146,共4页
为了避免在装配中夹持力过大损坏产品或太小产生滑落的问题,采用了光纤传感智能感知的方法,设计了一种基于正交光纤光栅阵列的负载感知系统。感知模块采用光纤光栅两两相互垂直的方式排布,获取夹持平面两个正交方向的横向剪切力,从而分... 为了避免在装配中夹持力过大损坏产品或太小产生滑落的问题,采用了光纤传感智能感知的方法,设计了一种基于正交光纤光栅阵列的负载感知系统。感知模块采用光纤光栅两两相互垂直的方式排布,获取夹持平面两个正交方向的横向剪切力,从而分析夹持状态。实验中采用两个5.0cm×5.0cm的橡胶块制成负载感知模块,通过仿真定量分析了不同参量对夹持控制的影响程度,得到了光纤光栅的有效长度与敏感度成正比、与空间分辨率成反比的规律。结果表明,垂向灵敏度为31.4pm/N,水平灵敏度为29.9pm/N,该系统可实时获取被夹持物的受力变化。该结果对智能调节控制是有帮助的。 展开更多
关键词 光纤光学 正交阵列 负载感知 结构设计
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单晶立方碳化硅辐照肿胀与非晶化的分子动力学模拟研究 被引量:1
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作者 田继挺 冯琦杰 +4 位作者 郑健 周韦 李欣 梁晓波 刘德峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期42-46,共5页
碳化硅(SiC)材料在核能材料和半导体器件等领域有广泛的潜在应用,其辐照效应一直备受关注。结合动态恒温墙技术和恒温恒压热浴算法,本工作基于经典分子动力学模拟方法构建了单晶立方碳化硅(3C-SiC)的连续辐照模型,并研究了室温下连续几... 碳化硅(SiC)材料在核能材料和半导体器件等领域有广泛的潜在应用,其辐照效应一直备受关注。结合动态恒温墙技术和恒温恒压热浴算法,本工作基于经典分子动力学模拟方法构建了单晶立方碳化硅(3C-SiC)的连续辐照模型,并研究了室温下连续几千次碰撞级联引起的SiC晶体损伤(对应的辐照剂量高达1 dpa),首次从微观上呈现了SiC从无缺陷到损伤饱和(彻底非晶化、肿胀达到极值)的完整过程。模拟发现持续辐照使得SiC密度明显降低,并储存了大量能量,其数值与文献中的实验结果比较接近。SiC非晶化过程可分为缓慢增长、快速增长、缓慢增长、完全非晶四个阶段,完全非晶的辐照剂量约为0.4 dpa,与文献中的第一性原理结果和实验结果非常接近。模拟得到的SiC肿胀与辐照剂量的关系,在0.1 dpa以下与实验结果比较接近,在0.1 dpa以上则明显偏高,这可能源自模拟与实验在剂量率上的巨大差异。这些结果表明,本文构建的计算模型比较合理,未来可用于对SiC辐照损伤微观机理的进一步研究。 展开更多
关键词 碳化硅 分子动力学 碰撞级联 肿胀 非晶化
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高温ITO薄膜应变计制备及压阻性能 被引量:5
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作者 杨伸勇 张丛春 +5 位作者 杨卓青 李红芳 姚锦元 黄漫国 汪红 丁桂甫 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期145-150,共6页
高温薄膜应变计被广泛应用于极端条件热端构件的应变测量。ITO薄膜应变计通常能够应用于1000℃以上的应变测量,为了研究ITO薄膜的显微结构、XPS光谱、阻温特性及压阻响应,采用磁控溅射在陶瓷基底上制备了ITO薄膜应变计,并在高温纯N2中... 高温薄膜应变计被广泛应用于极端条件热端构件的应变测量。ITO薄膜应变计通常能够应用于1000℃以上的应变测量,为了研究ITO薄膜的显微结构、XPS光谱、阻温特性及压阻响应,采用磁控溅射在陶瓷基底上制备了ITO薄膜应变计,并在高温纯N2中热处理ITO薄膜。结果表明,其电阻温度系数稳定在-750×10-6℃-1,在1200℃下测试其应变特性,测得电阻漂移率为0.0018 h-1,应变因子为16。ITO薄膜在高温下具有稳定的电阻温度系数和低漂移率,为高温端部件应变的测量提供了可能。 展开更多
关键词 ITO薄膜应变计 热处理 高温应变测量 电阻温度系数
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