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MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化
被引量：
1
1
作者
张司琪
孔令军
+1 位作者
张顺外
张南
《应用科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期431-440,共10页
为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information, MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio, LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN...
为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information, MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio, LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN(additive white Gaussian noise)信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的polar码构造法对多级存储单元的纠错性能影响,并与所提的构造方法进行比较.仿真结果表明该文优化方法优于AWGN信道下传统的构造方法,当编程/擦除(program-and-erase, PE)循环为21 000次时,与蒙特卡罗法相比其误码率(bit error rate, BER)性能提升2个数量级,且在BER为2×10^-5时可增加6 800次的编程/擦除循环.
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关键词
多级单元
polar码
闪存
巴氏参数
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职称材料
题名
MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化
被引量：
1
1
作者
张司琪
孔令军
张顺外
张南
机构
南京邮电大学通信与信息
工程
学院
中国航天系统科学与工程研究院工程科技发展战略研究所
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期431-440,共10页
基金
国家自然科学基金(No.61501250)资助。
文摘
为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information, MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio, LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN(additive white Gaussian noise)信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的polar码构造法对多级存储单元的纠错性能影响,并与所提的构造方法进行比较.仿真结果表明该文优化方法优于AWGN信道下传统的构造方法,当编程/擦除(program-and-erase, PE)循环为21 000次时,与蒙特卡罗法相比其误码率(bit error rate, BER)性能提升2个数量级,且在BER为2×10^-5时可增加6 800次的编程/擦除循环.
关键词
多级单元
polar码
闪存
巴氏参数
Keywords
multi-level-cell(MLC)
polar codes
flash memory
Bhattacharyya parameter
分类号
TN929.5 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化
张司琪
孔令军
张顺外
张南
《应用科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
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