期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究 被引量:1
1
作者 李晓亮 梅博 +5 位作者 李鹏伟 孙毅 吕贺 莫日根 于庆奎 张洪伟 《航天器环境工程》 2019年第6期589-593,共5页
深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重... 深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。 展开更多
关键词 SRAM器件 重离子辐照 单粒子锁定 高温环境 工作电压 试验研究
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部