元器件破坏性物理分析方法的定制开发

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作者 张磊 王旭 《电子产品可靠性与环境试验》 2011年第4期17-20,共4页

随着航天器研制技术的不断进步,大量不同于传统半导体器件的新型元器件以及微组装结构的组件级元器件越来越多地被选用,在对这些类别的元器件进行破坏性物理分析(DPA)时没有可适用的标准规范,采用定制开发的技术方法是解决途径之一。通... 随着航天器研制技术的不断进步,大量不同于传统半导体器件的新型元器件以及微组装结构的组件级元器件越来越多地被选用,在对这些类别的元器件进行破坏性物理分析(DPA)时没有可适用的标准规范,采用定制开发的技术方法是解决途径之一。通过对某型视频处理组件的DPA工程实践案例的介绍,探讨了DPA方法的定制开发过程以及需要重点关注的事项。 展开更多

关键词 微组装元器件 破坏性物理分析 定制开发

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用10MeV质子和钴60γ射线进行CCD空间辐射效应评估 被引量：17

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作者 于庆奎 唐民 +3 位作者 朱恒静 张海明 张延伟 孙吉兴 《航天器环境工程》 2008年第4期391-394,300,共4页

文章用10MeV质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量。通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重。因此,进行CCD辐射... 文章用10MeV质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量。通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重。因此,进行CCD辐射效应评估时,不仅要考虑电离总剂量效应,还要考虑位移效应。文章还探讨了评估CCD抗位移损伤能力的方法。 展开更多

关键词 CCD 辐射效应 电离总剂量效应 位移效应

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SRAM单粒子效应检测方法研究 被引量：3

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作者 罗磊 张大宇 于庆奎 《航天器环境工程》 2010年第5期585-589,538,共5页

采用中国科学院近代物理研究所的回旋加速器HIRFL产生不同LET值的重离子,以模拟空间辐射环境,检测了两种国产SRAM器件抗单粒子翻转和单粒子锁定的能力。试验中采用了两套单粒子效应检测系统,结合试验检测过程和最终结果,讨论了两套检测... 采用中国科学院近代物理研究所的回旋加速器HIRFL产生不同LET值的重离子,以模拟空间辐射环境,检测了两种国产SRAM器件抗单粒子翻转和单粒子锁定的能力。试验中采用了两套单粒子效应检测系统,结合试验检测过程和最终结果,讨论了两套检测系统各自的优缺点,总结了试验中需要注意的其他问题。本研究为今后构建其他器件的单粒子效应检测系统提供了参考。 展开更多

关键词 静态随机存储器 检测系统 辐射效应 单粒子效应 虚拟仪器

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航天器用高性能塑封器件的板级鉴定方法 被引量：6

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作者 朱恒静 《航天器环境工程》 2008年第1期87-90,4,共4页

由于技术进步和设计需要,航天应用中不可避免地会遇到选用低质量等级塑封器件的情况。随着器件功能的日益复杂和封装的多样化,实现器件级的鉴定越来越困难。文章提出了基于板级系统对塑封器件进行鉴定的方法,包括几个标准的评估方面,如... 由于技术进步和设计需要,航天应用中不可避免地会遇到选用低质量等级塑封器件的情况。随着器件功能的日益复杂和封装的多样化,实现器件级的鉴定越来越困难。文章提出了基于板级系统对塑封器件进行鉴定的方法,包括几个标准的评估方面,如器件级筛选、破坏性物理分析、特殊的设计评估等;并介绍了一种基于局部加热技术,能够考核器件热温度特性的板级评估方法。 展开更多

关键词 板级试验 塑封器件 鉴定 故障覆盖率

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混合集成电路中无源元件剪切强度试验判据的研究 被引量：6

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作者 张延伟 《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第6期46-48,共3页

通过对半导体器件的芯片剪切强度试验方法设计原理的分析,得出芯片质量是设定芯片剪切强度的依据,并以此作为混合集成电路中无源元件的剪切强度判据。

关键词 半导体器件 无源元件 剪切强度

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先进成像技术在失效分析中的应用

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作者 唐民 张素娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期50-53,共4页

失效分析是半导体集成电路制造和高可靠应用过程的重要组成部分。本文着重讨论了失效分析中能够快速定位芯片内故障的成像技术。

关键词 失效分析 成像技术 半导体 集成电路

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破坏性物理分析技术所面临的挑战和对策 被引量：1

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作者 张延伟 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第4期48-50,共3页

破坏性物理分析(DPA)作为一种有效的电子元器件批质量评价方法,近年来对促进我国元器件制造工艺的提高起到了很大的作用。对当前DPA技术所面临的一些问题进行了分析,并提出解决这些问题的方法和建议。

关键词 电子元器件 失效 破坏性物理分析 结构分析

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微光显微镜(EMMI)在器件失效分析中的应用 被引量：6

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作者 丁鸷敏 吴照玺 段超 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期156-158,共3页

本文对某款模拟开关开展失效分析,在芯片表面无异常的情况下采用微光显微镜(EMMI)对器件内部损伤点进行准确定位,并开展静电模拟试验对失效原因进行了验证。该案例展示了EMMI在半导体芯片内部缺陷无损定位和分析中的作用,为半导体芯片... 本文对某款模拟开关开展失效分析,在芯片表面无异常的情况下采用微光显微镜(EMMI)对器件内部损伤点进行准确定位,并开展静电模拟试验对失效原因进行了验证。该案例展示了EMMI在半导体芯片内部缺陷无损定位和分析中的作用,为半导体芯片失效分析提供技术手段。 展开更多

关键词 EMMI 元器件失效分析 缺陷定位

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一种新颖的二维纠错码加固存储器设计方法 被引量：4

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作者 肖立伊 祝名 李家强 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期227-234,共8页

提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字... 提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字拆分成一个二维矩阵的形式,分别对每一行和每一列加入多位错误探测码和奇偶校验码。随后,设计了存储器多位翻转的修正算法。最后,对提出的方法进行了电路和版图设计,并且利用提出的版图分割法解决了二维修正码冗余位中可能出现的多位翻转,进一步提高了存储器的可靠性。实验结果表明,提出的存储加固设计方法具有更高的可靠性。同目前已知的多位修正码相比,具有更低的编码和译码硬件开销,甚至低于只有一位修正能力的汉明码。 展开更多

关键词 存储器 抗辐射加固 纠错码 二维纠错码 多位翻转

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时序逻辑电路失效分析 被引量：4

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作者 龚欣 王旭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期974-977,共4页

利用液晶热点定位和电压衬度像等技术手段,准确定位了一时序逻辑电路的失效部位,结合电路原理分析以及芯片版图,详细解释了器件失效模式与失效现象的关系,并对其失效原因进行了实验验证。结果显示,电压衬度技术可以直观地显示逻辑电路... 利用液晶热点定位和电压衬度像等技术手段,准确定位了一时序逻辑电路的失效部位,结合电路原理分析以及芯片版图,详细解释了器件失效模式与失效现象的关系,并对其失效原因进行了实验验证。结果显示,电压衬度技术可以直观地显示逻辑电路内部某点的逻辑状态,在失效定位以及失效模式确认方面起重要作用;时序逻辑电路失效后存在电势竞争现象,本失效案例表明,当电路中某点出现"1"和"0"的电势竞争时,该点表现为"1"。 展开更多

关键词 时序逻辑电路 失效分析 电压衬度像 电势竞争

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一种检测和校正存储器双错的低冗余加固方法 被引量：1

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作者 祝名 朱恒静 +2 位作者 刘迎辉 于庆奎 唐民 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期924-930,共7页

为了提高宇航用存储器的抗单粒子翻转能力,本文对传统的单错误修正、双错误探测(Single Error Correction and Double Error Detection,SEC-DED)码的构造进行了改进和优化,给出了构建单错校正、双错检测、相邻双错校正(Single Error Cor... 为了提高宇航用存储器的抗单粒子翻转能力,本文对传统的单错误修正、双错误探测(Single Error Correction and Double Error Detection,SEC-DED)码的构造进行了改进和优化,给出了构建单错校正、双错检测、相邻双错校正(Single Error Correction,Double Error Detection and Double Adjacent Error Correction,SEC-DED-DAEC)码奇偶校验矩阵的构造规则。通过适当地增加奇偶校验矩阵列向量的权重和、改变奇偶校验矩阵列向量顺序的方式,提出了一种具有新特征结构的SEC-DED-DAEC码,它可以修正任意相邻两位错误。实验结果表明,提出的SECDED-DAEC码是一种有效的宇航用存储器抗单粒子翻转加固措施,其冗余开销基本与传统的SEC-DED码相同,误码率低于国际同类文献的结果。 展开更多

关键词 存储器 抗辐射加固 错误修正码 多位翻转

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隔离型达林顿管静态漏电失效分析

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作者 王旭 段超 +1 位作者 龚欣 孟猛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期629-632,共4页

分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤... 分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见。 展开更多

关键词 高可靠设备 隔离型达林顿 静态漏电 失效分析 磨角染色法

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某片式塑封电感器的结构分析 被引量：2

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作者 张延伟 孙吉兴 《电子产品可靠性与环境试验》 2006年第2期45-47,共3页

从一例电感器的失效分析入手,对该电感器进行了结构分析,发现了电感器在结构设计上的几个缺陷,并对缺陷进行了分析,给出了改进建议。

关键词 电感器 结构分析 缺陷

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管状熔断器的典型失效模式和失效原因分析 被引量：8

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作者 张延伟 《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第3期46-49,共4页

管状熔断器是目前在电路设计中广泛采用的一种过流保护元件,分析了管状熔断器的熔断原理,总结了管状熔断器的典型失效模式和失效原因,给出管状熔断器的一般失效分析程序。

关键词 熔断器 失效 可靠性

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