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题名先进成像技术在失效分析中的应用
被引量：1
- 1
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作者
唐民
张素娟
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机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
北京航空航天大学可靠性工程研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期50-53,共4页
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文摘
失效分析是半导体集成电路制造和高可靠应用过程的重要组成部分。本文着重讨论了失效分析中能够快速定位芯片内故障的成像技术。
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关键词
失效分析
成像技术
半导体
集成电路
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Keywords
semiconductor
failure analysis
imaging technology
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名微光显微镜(EMMI)在器件失效分析中的应用
被引量：6
- 2
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作者
丁鸷敏
吴照玺
段超
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机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
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出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期156-158,共3页
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文摘
本文对某款模拟开关开展失效分析,在芯片表面无异常的情况下采用微光显微镜(EMMI)对器件内部损伤点进行准确定位,并开展静电模拟试验对失效原因进行了验证。该案例展示了EMMI在半导体芯片内部缺陷无损定位和分析中的作用,为半导体芯片失效分析提供技术手段。
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关键词
EMMI
元器件失效分析
缺陷定位
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Keywords
EMMI
component's failure analysis
defect location
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分类号
TH742
[机械工程—光学工程]
TN307
[电子电信—物理电子学]
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题名一种新颖的二维纠错码加固存储器设计方法
被引量：4
- 3
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作者
肖立伊
祝名
李家强
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机构
哈尔滨工业大学微电子中心
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
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出处
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期227-234,共8页
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基金
哈尔滨市科技创新人才研究专项资金项目(抗多位翻转存储器加固技术研究
2012RFXXG042)
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文摘
提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字拆分成一个二维矩阵的形式,分别对每一行和每一列加入多位错误探测码和奇偶校验码。随后,设计了存储器多位翻转的修正算法。最后,对提出的方法进行了电路和版图设计,并且利用提出的版图分割法解决了二维修正码冗余位中可能出现的多位翻转,进一步提高了存储器的可靠性。实验结果表明,提出的存储加固设计方法具有更高的可靠性。同目前已知的多位修正码相比,具有更低的编码和译码硬件开销,甚至低于只有一位修正能力的汉明码。
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关键词
存储器
抗辐射加固
纠错码
二维纠错码
多位翻转
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Keywords
Memory
Radiation hardened
Error correction code
Two-dimensional error correction codes
Multiple bit upsets （MBU）
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分类号
TN431.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名时序逻辑电路失效分析
被引量：4
- 4
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作者
龚欣
王旭
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机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期974-977,共4页
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文摘
利用液晶热点定位和电压衬度像等技术手段,准确定位了一时序逻辑电路的失效部位,结合电路原理分析以及芯片版图,详细解释了器件失效模式与失效现象的关系,并对其失效原因进行了实验验证。结果显示,电压衬度技术可以直观地显示逻辑电路内部某点的逻辑状态,在失效定位以及失效模式确认方面起重要作用;时序逻辑电路失效后存在电势竞争现象,本失效案例表明,当电路中某点出现"1"和"0"的电势竞争时,该点表现为"1"。
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关键词
时序逻辑电路
失效分析
电压衬度像
电势竞争
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Keywords
sequential logic circuit
failure analysis
voltage contrast image
voltage competition
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名一种检测和校正存储器双错的低冗余加固方法
被引量：1
- 5
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作者
祝名
朱恒静
刘迎辉
于庆奎
唐民
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机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
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出处
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期924-930,共7页
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文摘
为了提高宇航用存储器的抗单粒子翻转能力,本文对传统的单错误修正、双错误探测(Single Error Correction and Double Error Detection,SEC-DED)码的构造进行了改进和优化,给出了构建单错校正、双错检测、相邻双错校正(Single Error Correction,Double Error Detection and Double Adjacent Error Correction,SEC-DED-DAEC)码奇偶校验矩阵的构造规则。通过适当地增加奇偶校验矩阵列向量的权重和、改变奇偶校验矩阵列向量顺序的方式,提出了一种具有新特征结构的SEC-DED-DAEC码,它可以修正任意相邻两位错误。实验结果表明,提出的SECDED-DAEC码是一种有效的宇航用存储器抗单粒子翻转加固措施,其冗余开销基本与传统的SEC-DED码相同,误码率低于国际同类文献的结果。
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关键词
存储器
抗辐射加固
错误修正码
多位翻转
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Keywords
Memory
Radiation hardened
Error correction code
Multiple bit upset
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分类号
TN431.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名隔离型达林顿管静态漏电失效分析
- 6
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作者
王旭
段超
龚欣
孟猛
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机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期629-632,共4页
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文摘
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见。
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关键词
高可靠设备
隔离型达林顿
静态漏电
失效分析
磨角染色法
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Keywords
high-reliability equipment
isolated darlington
static leakage-current
failure analysis
angle lap stain method
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分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
TN306
[电子电信—物理电子学]
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