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背减薄过程中面阵探测器形变研究: 1; 作者孟超司乐飞 +1 位作者张晓玲孟庆端《航空兵器》 2017年第2期55-59,共5页; 为提高Insb面阵探测器的探测率,需要借助背减薄工序把Insb光敏元芯片从300tzm减薄到10μm,这一过程通常决定了面阵探测器的成品率。为了解面阵探测器在背减薄工序中的形变规律,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,基于等效建模思路,建立了... 展开更多; 关键词面阵探测器 INSB 光敏元芯片芯片厚度形变 ANSYS; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温对中波红外带通滤光片光谱特性的影响被引量：5: 2; 作者陈凤金马胜昔 +1 位作者苏现军经凌《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期635-638,共4页; 为考察滤光片在低温环境下的可靠性,镀制了Ge基和宝石基中波带通滤光片,分别实施了5min、15min、25min、35min、120min、300min的液氮低温试验,并测试出其透过率曲线,考察低温对其光谱特性及膜层牢固度的影响。带通滤光片通带区透过率... 展开更多; 关键词低温中波带通滤光片光谱特性透过率; 在线阅读下载PDF 职称材料

320×256阵列红外焦平面读出电路的设计被引量：3: 3; 作者夏晓娟刘琦 +2 位作者关钰张杰孙伟锋《航空兵器》 2017年第3期65-68,共4页; 提出一种320×256阵列红外焦平面读出电路,采用直接注入模式,具有多路输出、读出顺序可选等功能。具体设计了各个模块电路,并采用chartered 0.35μm工艺进行流片设计。实测结果表明所设计芯片输出摆幅为3.24 V,输出电压线性度为97.1... 展开更多; 关键词红外焦平面阵列读出电路直接注入低功耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于铜铝氧化物的透红外导电薄膜: 4; 作者陶飞孙维国 +4 位作者张亮王理文张磊朱旭波司俊杰《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第5期270-273,299,共5页; 研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物(CuAlxOy),选用高纯度铜、铝靶材,利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy薄膜。研究了氧气流量、薄膜厚度、预溅射铜层时间(铜层厚度)等重要条件对薄膜性能的影响。实验发现,通过微调溅射... 展开更多; 关键词铜铝氧化物导电薄膜红外透过率薄膜电阻率磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率VDMOS器件的新型SPICE模型: 5; 作者朱荣霞黄栋 +3 位作者马德军王锦春孙伟锋张春伟《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期478-482,共5页; 为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体... 展开更多; 关键词 VDMOS SPICE模型内部节点准饱和效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名背减薄过程中面阵探测器形变研究: 1; 作者孟超司乐飞张晓玲孟庆端; 机构中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室河南质量工程职业学院河南科技大学信息工程学院; 出处《航空兵器》 2017年第2期55-59,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61505048) 航空科学基金项目(20152442001); 文摘为提高Insb面阵探测器的探测率,需要借助背减薄工序把Insb光敏元芯片从300tzm减薄到10μm,这一过程通常决定了面阵探测器的成品率。为了解面阵探测器在背减薄工序中的形变规律,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,基于等效建模思路,建立了适用于Insb面阵探测器的三维结构模型,调整Insb光敏元芯片厚度,模拟探测器形变特征及分布随背减薄工艺实施过程的变化规律。模拟结果表明:当InSb光敏元芯片较厚时,面阵探测器的整体形变以弯曲变形为主,其中心区域上凸明显;随着InSb光敏元芯片逐步减薄,其中心区域的上凸变形逐步弱化,当InSb光敏元芯片厚度减薄到12μm时,探测器上表面屈曲变形占优,且随着Insb光敏元芯片厚度的减小而愈加清晰可见,此时探测器整体弯曲变形很弱。; 关键词面阵探测器 INSB 光敏元芯片芯片厚度形变 ANSYS; Keywords infrared focal plane array detector InSb photosensitive chip thickness of chip de-formation ANSYS; 分类号 TJ760 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程] TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温对中波红外带通滤光片光谱特性的影响被引量：5: 2; 作者陈凤金马胜昔苏现军经凌; 机构中国空空导弹研究院中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期635-638,共4页; 文摘为考察滤光片在低温环境下的可靠性,镀制了Ge基和宝石基中波带通滤光片,分别实施了5min、15min、25min、35min、120min、300min的液氮低温试验,并测试出其透过率曲线,考察低温对其光谱特性及膜层牢固度的影响。带通滤光片通带区透过率随低温时间增长有逐渐下降趋势,中心波长出现13nm的微小偏移,是所镀制的膜料高、低折射率相对变化使中心波长和截止波长的比值发生变化所致。Ge基材料对温度更为敏感,在由常温到低温过渡期间,Ge基中波滤光片通带透过率降低幅度比宝石基底的中波带通滤光片大10%。在300min以内的低温环境下,2种中波红外带通滤光片均未出现膜层脱落现象。; 关键词低温中波带通滤光片光谱特性透过率; Keywords cryogenic temperature MW band-pass filter spectral characteristics transmittance; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名320×256阵列红外焦平面读出电路的设计被引量：3: 3; 作者夏晓娟刘琦关钰张杰孙伟锋; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室东南大学中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室; 出处《航空兵器》 2017年第3期65-68,共4页; 基金航空科学基金项目(20152469014) 江苏省高校自然科学基金面上项目(14KJB510025) 南京邮电大学校基金项目(NY215084); 文摘提出一种320×256阵列红外焦平面读出电路,采用直接注入模式,具有多路输出、读出顺序可选等功能。具体设计了各个模块电路,并采用chartered 0.35μm工艺进行流片设计。实测结果表明所设计芯片输出摆幅为3.24 V,输出电压线性度为97.15%,功耗为32 m W,具有丰富的读出功能。; 关键词红外焦平面阵列读出电路直接注入低功耗; Keywords infrared focal plane array readout circuit direct injection low power dissipation; 分类号 TJ765.1 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程] TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于铜铝氧化物的透红外导电薄膜: 4; 作者陶飞孙维国张亮王理文张磊朱旭波司俊杰; 机构中国空空导弹研究院; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第5期270-273,299,共5页; 基金国家自然科学基金项目编号:61171012; 文摘研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物(CuAlxOy),选用高纯度铜、铝靶材,利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy薄膜。研究了氧气流量、薄膜厚度、预溅射铜层时间(铜层厚度)等重要条件对薄膜性能的影响。实验发现,通过微调溅射参数、合理控制预溅射铜层过程可以获得低电阻率和高透过率的铜铝氧化物薄膜。得到最好的CuAlxOy薄膜(厚度为1765)在波长2.6μm处红外透过率达到了最大值62.5%,红外波段(波数8000～2000 cm-1)的平均透过率达到53%,方块电阻为358.9/sq,电阻率为6.33×10-3.cm。; 关键词铜铝氧化物导电薄膜红外透过率薄膜电阻率磁控溅射; Keywords copper aluminum oxides, conductive films, infrared transmittance, resistivity of the film, reactive magnetron co-sputtering; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率VDMOS器件的新型SPICE模型: 5; 作者朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟; 机构东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期478-482,共5页; 基金航空科学基金资助项目(20122469) 新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331) 江苏省自然科学基金资助项目(BK2012559); 文摘为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.; 关键词 VDMOS SPICE模型内部节点准饱和效应; Keywords VDMOS（vertical double diffused metal oxide semiconductor） SPICE（simulation program with integrated circuit emphasis） model internal nodes quasi-saturation effect; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	背减薄过程中面阵探测器形变研究	孟超司乐飞张晓玲孟庆端	《航空兵器》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	低温对中波红外带通滤光片光谱特性的影响	陈凤金马胜昔苏现军经凌	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2015	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	320×256阵列红外焦平面读出电路的设计	夏晓娟刘琦关钰张杰孙伟锋	《航空兵器》	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于铜铝氧化物的透红外导电薄膜	陶飞孙维国张亮王理文张磊朱旭波司俊杰	《红外技术》 CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	功率VDMOS器件的新型SPICE模型	朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料