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X射线荧光光谱滤纸片法测定离子吸附型稀土矿中单一稀土元素 被引量：2
1
作者 毛振伟 张邦祥 李凡庆 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期239-241,共3页
X射线荧光光谱法测定稀土中单一稀土元素具有独特的优点,国内外已有不少报道。本文用滤纸片法,采用康普顿散射线内标法测定稀土矿中单一稀土元素,可以补偿仪器漂移的影响,消除基体效应引起的误差,具有制样简单,灵敏度高,溶样量少等优点... X射线荧光光谱法测定稀土中单一稀土元素具有独特的优点,国内外已有不少报道。本文用滤纸片法,采用康普顿散射线内标法测定稀土矿中单一稀土元素,可以补偿仪器漂移的影响,消除基体效应引起的误差,具有制样简单,灵敏度高,溶样量少等优点。由于稀土元素在滤纸片上扩散速度不同,离子在滤纸片上分布不均,使分析结果产生较大误差。一般采用提高溶液浓度,减少点滴于滤纸片上的溶液体积消除离子扩散速度不均的影响。这些方法对低含量的样品取样量较多,给样品处理带来麻烦。我们用滤纸片把滴在滤纸片上的待测溶液限制在一定范围内,防止其扩散,提高制样精度,溶液浓度过低时,可多滴几次增加滤纸片上的溶液体积,不受不同离子扩散不均的影响。用本法测定了低含量稀土矿中10个稀土元素, 取得较好结果。 1 试验部分 1.1 仪器与试验条件日本岛津VF-320型X射线荧光光谱仪,端窗铑靶 X光管;管压-管流:40kV-60mA;LiF(200)晶体;闪烁计数管;真空光路;测量时间100s。 展开更多
关键词 稀土矿 稀土元素 荧光光谱 滤纸片
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薄试样中新Cliff-Lorimer因子的获得
2
作者 唐涛 吴自勤 张庶元 《电子显微学报》 CAS CSCD 1991年第2期123-131,共9页
本文在H-800电镜-EDAX9100能谱仪上使用标样InP、GaP、ZnS、CdS、KNbO_3、Y_3Al_5O_(12)、Bi_4Ge_3O_(12)和氧化物Sm_2O_3、Dy_2O_3、Er_2O_3、Yb_2O_3、HfO_2、BaPbO_3、Bi_2O_3分别在100、200kv下测定了不同元素X射线强度比和各一元... 本文在H-800电镜-EDAX9100能谱仪上使用标样InP、GaP、ZnS、CdS、KNbO_3、Y_3Al_5O_(12)、Bi_4Ge_3O_(12)和氧化物Sm_2O_3、Dy_2O_3、Er_2O_3、Yb_2O_3、HfO_2、BaPbO_3、Bi_2O_3分别在100、200kv下测定了不同元素X射线强度比和各一元素不同线系强度比I(M)/I(L),得到了K-K系、K-L系、K-M系的一系列新的k因子,不仅丰富了文献上的K-K系、K-L系k因子,而且建立了一系列K-M线系的k因子。 展开更多
关键词 电子显微镜 薄片 样品 半导体材料
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薄试样的新Cliff-Lorimer因子的获得
3
作者 唐涛 吴自勤 张庶元 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期153-153,共1页
利用薄试样标准单晶样品和纯元素样品如InP、ZnS、CdS、Bi<sub>4</sub>Ge<sub>3</sub>O<sub>12</sub>、Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>、GaP、Ba... 利用薄试样标准单晶样品和纯元素样品如InP、ZnS、CdS、Bi<sub>4</sub>Ge<sub>3</sub>O<sub>12</sub>、Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>、GaP、BaPbO<sub>3</sub>、和Pt、Au、Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Dy<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、HfO<sub>2</sub>、WO<sub>3</sub>、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>等,在H-800电镜-EDAX射线能谱仪上,分别在100KV和200KV下测量标样不同标识X射线强度比或纯元素不同线系强度比,由下列公式得到一系列新的Cliff-Lorimer因子: 展开更多
关键词 半导体材料 薄试样 Cliff-Lorimer
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