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多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析
被引量：
1
1
作者
蔡毅
郑国珍
+2 位作者
汤定元
朱惜辰
蒋建华
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期385-390,共6页
利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器...
利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.
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关键词
多元线列探测
同步辐射
形貌术
HGCDTE
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职称材料
题名
多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析
被引量：
1
1
作者
蔡毅
郑国珍
汤定元
朱惜辰
蒋建华
机构
中国科学院
上海技术
物理
研究所
红外
物理
国家
重点
实验室
昆明
物理
研究所
中国科学院高能物理研究所北京正负电子对撞机国家实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期385-390,共6页
基金
中国科学院北京正负电子对撞机国家实验室资助项目
文摘
利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.
关键词
多元线列探测
同步辐射
形貌术
HGCDTE
Keywords
HgCdTe, multi-element detector arrays, crystal defects, synchrotron radiation topography.
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
O471.4 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析
蔡毅
郑国珍
汤定元
朱惜辰
蒋建华
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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