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用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)
被引量：
1
1
作者
苏月永
陈志涛
+5 位作者
徐科
郭立平
潘尧波
杨学林
杨志坚
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期514-518,共5页
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(2...
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
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关键词
氮化镓
马赛克结构
扭曲角
掠入射X射线衍射
X射线衍射
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职称材料
题名
用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)
被引量：
1
1
作者
苏月永
陈志涛
徐科
郭立平
潘尧波
杨学林
杨志坚
张国义
机构
北京
大学
物理
学院
宽禁带半导体
研究
中心
人工微结构和介观
物理
国家重点实验
室
中国科学院高能物理研究所北京同步辐射室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期514-518,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60376005,60577030)~~
文摘
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
关键词
氮化镓
马赛克结构
扭曲角
掠入射X射线衍射
X射线衍射
Keywords
GaN
mosaic structure
twist angle
GIXRD
X-ray diffraction
分类号
O474 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)
苏月永
陈志涛
徐科
郭立平
潘尧波
杨学林
杨志坚
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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