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离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用
1
作者
来永春
王大椿
+7 位作者
张通和
罗晏
沈京华
林振金
谢葆珍
刘有宝
卢英华
边江
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1986年第3期44-53,共10页
本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作...
本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。
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关键词
界面氧化层
浅结工艺
SI
双极集成电路
晶粒大小
背散射分析
光衍射
霍尔效应
离子注入
双极晶体管
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职称材料
Comptel^(26)Al1.8 MeV 与SNR和 W-R 星相关分析
2
作者
陈黎
马宇倩
李宗伟
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期371-375,共5页
利用Comptel的观测处理结果，对SNR及W－R星与1．8MeVγ射线沿银经的分布做了拟合优度的检验和相关分析．K—S统计检验的结果认为，在α＝0．10水平上W—R星与1．8MeV来自同样的分布．相关分析的结果也表明W—R星与1．8MeV的分布有较好...
利用Comptel的观测处理结果，对SNR及W－R星与1．8MeVγ射线沿银经的分布做了拟合优度的检验和相关分析．K—S统计检验的结果认为，在α＝0．10水平上W—R星与1．8MeV来自同样的分布．相关分析的结果也表明W—R星与1．8MeV的分布有较好的相关性．
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关键词
Γ射线
相关分析
W-R星
观测数据
SNR
超新星
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职称材料
题名
离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用
1
作者
来永春
王大椿
张通和
罗晏
沈京华
林振金
谢葆珍
刘有宝
卢英华
边江
机构
北京师范大学低能
核物理
研究所
北京师范大学
物理
系
中国科学院高能核物理研究所
航天工业部七七一所
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1986年第3期44-53,共10页
文摘
本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。
关键词
界面氧化层
浅结工艺
SI
双极集成电路
晶粒大小
背散射分析
光衍射
霍尔效应
离子注入
双极晶体管
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Comptel^(26)Al1.8 MeV 与SNR和 W-R 星相关分析
2
作者
陈黎
马宇倩
李宗伟
机构
北京师范大学天文学系
中国科学院高能核物理研究所
三室
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期371-375,共5页
基金
国家教委博士点基金!9502716
文摘
利用Comptel的观测处理结果，对SNR及W－R星与1．8MeVγ射线沿银经的分布做了拟合优度的检验和相关分析．K—S统计检验的结果认为，在α＝0．10水平上W—R星与1．8MeV来自同样的分布．相关分析的结果也表明W—R星与1．8MeV的分布有较好的相关性．
关键词
Γ射线
相关分析
W-R星
观测数据
SNR
超新星
Keywords
γ- ray line
correlation analysis
Wolf-Rayet star
分类号
P172.3 [天文地球—天文学]
P145.3 [天文地球—天体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用
来永春
王大椿
张通和
罗晏
沈京华
林振金
谢葆珍
刘有宝
卢英华
边江
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1986
0
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职称材料
2
Comptel^(26)Al1.8 MeV 与SNR和 W-R 星相关分析
陈黎
马宇倩
李宗伟
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
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参考文献
引证文献
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