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MOPA半导体激光器的偏振控制研究
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作者 王浩淼 贺钰雯 +7 位作者 李弋 胡耀 张亮 杜维川 高松信 唐淳 马骁宇 刘素平 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期762-767,共6页
主控振荡功率放大(MOPA)激光器因可实现高功率、高光束质量输出而受到越来越多的关注。为了提高MOPA激光器的偏振度以减小偏振合束时的效率损失,有源区采用InGaAs/AlGaAs压应变单量子阱,脊型波导1.35μm的深刻蚀设计提高了TE模式的光限... 主控振荡功率放大(MOPA)激光器因可实现高功率、高光束质量输出而受到越来越多的关注。为了提高MOPA激光器的偏振度以减小偏振合束时的效率损失,有源区采用InGaAs/AlGaAs压应变单量子阱,脊型波导1.35μm的深刻蚀设计提高了TE模式的光限制因子,锥形放大器采用金属应力调控增加量子阱中的压应变。结合这两种方案,不仅提高了两个区域的偏振度,同时减小了偏振角度差。采用标准工艺制备的MOPA器件,实现了11 W@15 A连续输出和90%以上的偏振度。 展开更多
关键词 半导体激光器 近红外 应变 高偏振度
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