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MOPA半导体激光器的偏振控制研究
1
作者
王浩淼
贺钰雯
+7 位作者
李弋
胡耀
张亮
杜维川
高松信
唐淳
马骁宇
刘素平
《红外与毫米波学报》
CSCD
北大核心
2024年第6期762-767,共6页
主控振荡功率放大(MOPA)激光器因可实现高功率、高光束质量输出而受到越来越多的关注。为了提高MOPA激光器的偏振度以减小偏振合束时的效率损失,有源区采用InGaAs/AlGaAs压应变单量子阱,脊型波导1.35μm的深刻蚀设计提高了TE模式的光限...
主控振荡功率放大(MOPA)激光器因可实现高功率、高光束质量输出而受到越来越多的关注。为了提高MOPA激光器的偏振度以减小偏振合束时的效率损失,有源区采用InGaAs/AlGaAs压应变单量子阱,脊型波导1.35μm的深刻蚀设计提高了TE模式的光限制因子,锥形放大器采用金属应力调控增加量子阱中的压应变。结合这两种方案,不仅提高了两个区域的偏振度,同时减小了偏振角度差。采用标准工艺制备的MOPA器件,实现了11 W@15 A连续输出和90%以上的偏振度。
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关键词
半导体激光器
近红外
应变
高偏振度
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职称材料
题名
MOPA半导体激光器的偏振控制研究
1
作者
王浩淼
贺钰雯
李弋
胡耀
张亮
杜维川
高松信
唐淳
马骁宇
刘素平
机构
中国
工程物理
研究
院高能激光重点实验室
中国
工程物理
研究
院应用电子学
研究所
中国科学院领因半导体研究所
出处
《红外与毫米波学报》
CSCD
北大核心
2024年第6期762-767,共6页
文摘
主控振荡功率放大(MOPA)激光器因可实现高功率、高光束质量输出而受到越来越多的关注。为了提高MOPA激光器的偏振度以减小偏振合束时的效率损失,有源区采用InGaAs/AlGaAs压应变单量子阱,脊型波导1.35μm的深刻蚀设计提高了TE模式的光限制因子,锥形放大器采用金属应力调控增加量子阱中的压应变。结合这两种方案,不仅提高了两个区域的偏振度,同时减小了偏振角度差。采用标准工艺制备的MOPA器件,实现了11 W@15 A连续输出和90%以上的偏振度。
关键词
半导体激光器
近红外
应变
高偏振度
Keywords
semiconductor laser
near-infrared
strain
high polarization
分类号
O43 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
MOPA半导体激光器的偏振控制研究
王浩淼
贺钰雯
李弋
胡耀
张亮
杜维川
高松信
唐淳
马骁宇
刘素平
《红外与毫米波学报》
CSCD
北大核心
2024
0
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