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题名面阵电荷耦合器件错位成像的建模与仿真
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作者
李亚鹏
何斌
王文华
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机构
中国科学院长眷光学精密机械与物理研究所
中国科学院大学
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2015年第9期2767-2773,共7页
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基金
国家863高技术研究发展计划(863-2-5-1-13B)
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文摘
为了定量研究面阵电荷耦合器件(CCD)错位成像技术图像质量的提高以及CCD像元填充因子对图像质量的影响,建立了仿真不同像元填充因子的面阵CCD错位成像的数学模型。以Matlab为平台,不考虑噪声的干扰,对ISO12233标准分辨率测试卡子图像进行了仿真,结果表明,CCD像元填充因子为100%时,与普通成像模式相比,对角错位、四点错位成像模式图像的灰度平均梯度分别提高了2.9970、3.4136,拉普拉斯能量分别提高了0.5676、0.7478,且CCD像元填充因子为其他值时,相较于普通成像模式,对角错位、四点错位成像模式图像的GMG和EOL均得到提高;采用四点错位成像模式时,与填充因子为100%的面阵CCD相比,填充因子为69%、44%、25%的面阵CCD四点错位模式图像的灰度平均梯度分别提高了1.433 0、3.337 3、5.153 2,拉普拉斯能量分别提高了0.638 0、1.704 4、3.196 8,且采用其他成像模式时,填充因子为100%、69%、44%、25%的图像的GMG和EOL均不断提高。研究表明,面阵CCD错位成像技术能够提高图像质量,且四点错位成像模式图像质量优于对角错位成像模式;在满足信噪比指标要求的前提下,对于面阵CCD同一成像模式,像元填充因子越小,图像质量越高。
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关键词
面阵电荷耦合器件错位成像
仿真模型
填充因子
灰度平均梯度
拉普拉斯能量
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Keywords
subpixel imaging of area CCD
simulation model
fill factor
gray mean gradient
energy of Laplacian
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分类号
TN386.5
[电子电信—物理电子学]
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