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高亮度1060 nm HiBBEE锥形半导体激光器
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作者 刘祥 吴承坤 +7 位作者 薛晓娥 MIAH Md Jarez 汪丽杰 宿家鑫 高翔 SANA Fatima 田思聪 BIMBERG Dieter 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1310-1316,共7页
为实现1 060 nm半导体激光器的高亮度、低发散角输出,采用高亮度垂直宽区边发射(HiBBEE)外延芯片,设计并成功制备了HiBBEE锥形半导体激光器。该激光器采用7μm窄脊波导实现单模输出,以及后腔面100μm锥形波导部分进行功率放大。工作电流... 为实现1 060 nm半导体激光器的高亮度、低发散角输出,采用高亮度垂直宽区边发射(HiBBEE)外延芯片,设计并成功制备了HiBBEE锥形半导体激光器。该激光器采用7μm窄脊波导实现单模输出,以及后腔面100μm锥形波导部分进行功率放大。工作电流1.5 A条件下激光器亮度达25 MW·cm^(-2)·sr^(-1)。通过HiBBEE结构,垂直方向发散角减小至8.0°。该激光器在面向人眼安全的激光雷达等领域具有重要应用。 展开更多
关键词 锥形半导体激光器 垂直宽区边发射激光器 高亮度 光束质量
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