期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质
1
作者 吕有明 申德振 +5 位作者 刘益春 范希武 张吉英 李炳辉 支壮志 孔祥贵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期425-428,共4页
通过光致发光 (PL)和拉曼 (Raman)光谱研究了分子束外延 (MBE)生长的 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱的光学性质。在 80 K到 3 0 0 K温度范围内 ,观测到了 PL光谱中来自量子阱的自由激子发光 ,通过发光强度与温度的变化关系 ,计算了激子束... 通过光致发光 (PL)和拉曼 (Raman)光谱研究了分子束外延 (MBE)生长的 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱的光学性质。在 80 K到 3 0 0 K温度范围内 ,观测到了 PL光谱中来自量子阱的自由激子发光 ,通过发光强度与温度的变化关系 ,计算了激子束缚能。结果表明在 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱 (MQWs)势垒层中 ,Mg的引进增强了量子阱的限制效应 ,导致激子具有较好的二维特性。在室温下的 Raman光谱中观测到了多级纵光学声子(LO)和横光学声子 (TO)的限制模 。 展开更多
关键词 多量子阱 光致发光 拉曼光谱
在线阅读 下载PDF
Y_2O_3:Eu^(3+)纳米晶与体材料在高分辨光谱上的显著区别 被引量:7
2
作者 彭洪尚 宋宏伟 +3 位作者 陈宝玖 王绩伟 吕少哲 黄世华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期531-534,共4页
报道了Y2O3:Eu3+纳米晶与体材料在光谱上的显著区别。除了相同于Y2O3:Eu3+体材料在580.6nm处的激发峰外,Y2O3:Eu3+纳米晶在579.9nm处出现了一新的较宽激发线。并且,该激发线的寿命要稍短于580.6nm的激发线。579.9nm激发线被归因于靠近... 报道了Y2O3:Eu3+纳米晶与体材料在光谱上的显著区别。除了相同于Y2O3:Eu3+体材料在580.6nm处的激发峰外,Y2O3:Eu3+纳米晶在579.9nm处出现了一新的较宽激发线。并且,该激发线的寿命要稍短于580.6nm的激发线。579.9nm激发线被归因于靠近纳米晶表面的Eu3+的发光。纳米晶中存在大量的表面缺陷,表面的晶体场因而发生退化,从而使得4f组态的电子能级发生移动。 展开更多
关键词 铕离子 掺杂 三氧化二钇纳米晶 高分辨光谱 表面态 激发线 荧光发射 电子能级移动
在线阅读 下载PDF
半导体激光在加工中的应用 被引量:8
3
作者 王立军 彭航宇 +1 位作者 顾媛媛 刘云 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z3期310-313,共4页
由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,在工业加工领域具有广泛的应用前景,是目前国际上激光加工技术领域研究的热点之一。丈申介绍了半导体激光加工技术的优点、现状及发展趋势。
关键词 激光加工 半导体激光器 半导体激光加工
在线阅读 下载PDF
大功率半导体激光器全固态风冷散热系统 被引量:2
4
作者 张云鹏 套格套 +2 位作者 尧舜 陈平 王立军 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B12期114-116,共3页
设计并制作了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,双 bar 阵列输出达 27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度... 设计并制作了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,双 bar 阵列输出达 27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度±0.1 ;当环境温度达到 45 时,仍然能够保证激光阵列的正常使用。 展开更多
关键词 半导体激光器阵列 大功率激光器 散热系统 环境温度
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部