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液晶器件扭曲角与光延迟的光学外差法测试技术理论研究 被引量:3
1
作者 陆云涛 于涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期545-549,共5页
将光学外差法应用于液晶器件扭曲角与光延迟的测试,提出了测试系统的光路简图,推导出了外差式测试方程,并对此方程进行了数值模拟与分析。此方法将液晶层的相位差转化为光学拍频信号的相位,由传统方法的测量光强转为测量拍频信号的相位... 将光学外差法应用于液晶器件扭曲角与光延迟的测试,提出了测试系统的光路简图,推导出了外差式测试方程,并对此方程进行了数值模拟与分析。此方法将液晶层的相位差转化为光学拍频信号的相位,由传统方法的测量光强转为测量拍频信号的相位差,能克服传统方法的缺点,因此具有较高的精度与抗干扰性。 展开更多
关键词 液晶显示 参数测试 扭曲角 光延迟 光学外差法
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一种改进的C-V方法对向列相液晶弹性常数k_(11)、k_(33)测量的理论研究 被引量:8
2
作者 孔祥建 荆海 +2 位作者 黄霞 廖燕平 刘金娥 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期587-590,共4页
提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定,k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题。文章针对此问题给出了在强锚定条... 提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定,k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题。文章针对此问题给出了在强锚定条件下,预倾角不为零时C-V的关系式,并提出了通过曲线拟合来同时确定弹性常数k11、k33的方法。此方法对弹性常数的测量更为准确,液晶盒的制作要求降低,且测试简单、易操作。 展开更多
关键词 向列相液晶 电容-电压 弹性常数 预倾角 曲线拟合
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TFT-OLED驱动电路的研究 被引量:13
3
作者 张志伟 荆海 +3 位作者 邝俊峰 蔡克炬 郜峰利 朱长春 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第6期472-477,共6页
从OLED的发光原理出发,介绍了OLED器件的结构特点和常用的TFT OLED像素电路的结构。利用TFT OLED行列驱动芯片和控制芯片,通过MCS 51单片机的控制来驱动240×320×3点阵的TFT OLED屏,实现大信息量的图形显示。该设计方案所需外... 从OLED的发光原理出发,介绍了OLED器件的结构特点和常用的TFT OLED像素电路的结构。利用TFT OLED行列驱动芯片和控制芯片,通过MCS 51单片机的控制来驱动240×320×3点阵的TFT OLED屏,实现大信息量的图形显示。该设计方案所需外围器件少,硬件结构简单,有利于提高系统的运行效率。介绍了驱动模块的功能和硬件接口电路的设计方法,并给出了单片机的软件流程图。 展开更多
关键词 TFT-OLED 像素电路 有源驱动 单片机控制
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透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量:8
4
作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多
关键词 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型
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数码像机显示驱动电路的研究与设计 被引量:2
5
作者 李英博 荆海 +2 位作者 郭树旭 徐杰 郜峰利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期48-51,共4页
根据数码像机的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出数码像机显示驱动电路。实现数据驱动和图像的清晰显示,达到数码像机的技术要求。
关键词 数码像机 显示驱动电路 电路设计 视频处理 时序控制 源驱动 栅驱动 解调
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彩色滤光膜色度测试系统的研究 被引量:3
6
作者 张航 于涛 张睿鹏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期337-341,共5页
彩色滤光膜(CF)色度指标对彩色液晶显示器的显示性能有着重要的影响,采用传统的分光光度计测量CF光谱透过率存在着严重的混光现象,研究分析了CF色度参数的表征与测试原理,设计了高精度的显微光谱测试系统。系统能够精密测试50μm尺寸样... 彩色滤光膜(CF)色度指标对彩色液晶显示器的显示性能有着重要的影响,采用传统的分光光度计测量CF光谱透过率存在着严重的混光现象,研究分析了CF色度参数的表征与测试原理,设计了高精度的显微光谱测试系统。系统能够精密测试50μm尺寸样品的光谱特性,并且得到±0.005的色度座标测试精度。系统已应用在彩色滤光膜与彩色液晶显示器生产企业,取得了良好的效果。 展开更多
关键词 彩色滤光膜 测试系统 显微光谱测试 色度座标
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数码相机电源DC/DC逆变电路研究
7
作者 李英博 荆海 +2 位作者 郭树旭 徐杰 郜峰利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期124-127,共4页
根据逆变系统的构成原理 ,设计出一种适合数码相机电源部分的DC/DC电路 。
关键词 数码相机 逆变系统 脉冲宽度调制 直流变换 整流 滤波
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低温p-Si薄膜的制备研究 被引量:1
8
作者 荆海 邱法斌 +1 位作者 刘传珍 付国柱 《世界电子元器件》 2001年第11期11-12,共2页
引言 近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头.在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以... 引言 近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头.在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以有效降低材料成本,同时LCD整体的重量和厚度将会大幅度的减少. 展开更多
关键词 低温p-Si薄膜 多晶硅薄膜 金属诱导法
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液晶测试信号源的设计与实现 被引量:10
9
作者 李拥军 于涛 +1 位作者 侯文卓 孙铁铮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期73-76,共4页
根据目前TFT模块的生产现状和需求,依据TFT模块的驱动和测试原理,以及TFT模块的线缺陷和点缺陷的产生原因,设计并实现了一种由MCU、CPLD和模拟多路开关组成的简易测试信号源,该信号源可提供Gate Odd,Gate Even,Data,Vgg和Vcom5路信号,此... 根据目前TFT模块的生产现状和需求,依据TFT模块的驱动和测试原理,以及TFT模块的线缺陷和点缺陷的产生原因,设计并实现了一种由MCU、CPLD和模拟多路开关组成的简易测试信号源,该信号源可提供Gate Odd,Gate Even,Data,Vgg和Vcom5路信号,此5路信号无论在频率、占空比、幅值还是延时上都满足对4·6cm(1.8in),128×160像素液晶模块的线缺陷和点缺陷的测试要求,且测试效果良好。 展开更多
关键词 TFT模块 驱动信号 点缺陷 线缺陷 CPLD 模拟开关
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全息聚合物分散液晶膜的干涉图像存储及衍射特性 被引量:2
10
作者 任洪文 方鲲 +5 位作者 鲁兴海 孔祥贵 宣丽 黄锡珉 杨正华 张春华 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期16-21,共6页
用激光干涉形成的亮条纹引发预聚物/液晶混合物相分离, 在相分离稳定后, 干涉图样被存储在聚合物/液晶复合膜中, 被称之为全息聚合物分散液晶(HPDLC)。 研究了相关因素对HPDLC膜信息存储的影响, 并用光学显微镜观察了膜结构。 给... 用激光干涉形成的亮条纹引发预聚物/液晶混合物相分离, 在相分离稳定后, 干涉图样被存储在聚合物/液晶复合膜中, 被称之为全息聚合物分散液晶(HPDLC)。 研究了相关因素对HPDLC膜信息存储的影响, 并用光学显微镜观察了膜结构。 给出了具有栅式结构膜的衍射特性。实验结果表明, 形成的HPDLC膜其存储的栅结构稳定持久, 而且其衍射效率可用电或热来调节。 展开更多
关键词 聚合物分散液晶 相分离 光干涉 全息光栅 衍射效率 信息存储
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彩色液晶显示中彩色膜的应用 被引量:7
11
作者 于涛 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第3期182-185,共4页
介绍了彩色膜(CF)技术在液晶显示中的应用,主要内容有CF结构、CF制造方法、为便携式显示节能的特殊需要而开发的CF结构和色度特性。提出高品位彩色膜的开发途经。
关键词 彩色液晶显示 彩色膜 结构 制造
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快速测试液晶器件扭曲角和光延迟的新方法 被引量:1
12
作者 黄霞 荆海 +1 位作者 付国柱 孔祥建 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期428-432,共5页
提出了一种测试扭曲角和光延迟的新方法。该方法属于单波长测试法,具有3个特点:利用具有特殊摩擦方向(一个基板平行摩擦,另一基板环形摩擦)的液晶盒(CH-LC)作为偏振转换器件;利用扇形可变光阑和光探测器,一次性测得偏振方向从0到任意角... 提出了一种测试扭曲角和光延迟的新方法。该方法属于单波长测试法,具有3个特点:利用具有特殊摩擦方向(一个基板平行摩擦,另一基板环形摩擦)的液晶盒(CH-LC)作为偏振转换器件;利用扇形可变光阑和光探测器,一次性测得偏振方向从0到任意角度连续变化的线偏光通过被测液晶盒后的光强和;采用求光强比的方法消除了由于测试中仪器的吸收对光强的影响。扭曲角和光延迟作为拟合参数利用琼斯矩阵推导出的拟合方程用matlab进行曲线拟合求参数得到。实验证明采用该方法测得结果准确,操作简单快速,实验设备经济。 展开更多
关键词 液晶器件 扭曲角 光延迟
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用Matlab验证液晶参数综合测试系统中反射棱镜的偏振自补偿特性
13
作者 张航 张睿鹏 于涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期368-372,共5页
设计了一种利用K9玻璃材料制成的空间转向反射棱镜,其具有相对旋转90°的两个反射面,光束经两个反射面反射时入射角相等,光束反射时产生的相位差大小相等,但方向相反,可以互相抵消,确保了反射光和入射光偏振特性一致,实现偏振特性... 设计了一种利用K9玻璃材料制成的空间转向反射棱镜,其具有相对旋转90°的两个反射面,光束经两个反射面反射时入射角相等,光束反射时产生的相位差大小相等,但方向相反,可以互相抵消,确保了反射光和入射光偏振特性一致,实现偏振特性的自补偿。通过测试实验并经Matlab拟合,验证了该空间转向反射棱镜具有很好的偏振自补偿特性。 展开更多
关键词 液晶参数综合测试系统 空间转向反射棱镜 偏振自补偿 MATLAB
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偏振自补偿全反射棱镜在液晶测试系统中的应用
14
作者 张航 于涛 张睿鹏 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2005年第1期32-35,共4页
在现有液晶测试设备基础上,研发了针对液晶材料结构参数和液晶器件显示特性进行测量的测试系统。在该测试系统中利用全反射棱镜的偏振自补偿特性,实现了偏振光的空间转向传输。
关键词 液晶 反射棱镜 偏振自补偿 综合测试系统
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TFT-LCD周边驱动电路集成化设计 被引量:21
15
作者 徐杰 杨虹 +2 位作者 郭树旭 李英博 郜峰利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期42-47,共6页
根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周... 根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周边集成驱动电路的设计。 展开更多
关键词 TFT-LCD 多晶硅薄膜晶体管 集成周边驱动电路 液晶显示 电路设计 栅驱动电路 数据驱动电路
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驱动电子墨水电子纸的柔性TFT背板制造技术 被引量:7
16
作者 杨澍 荆海 +5 位作者 廖燕平 马仙梅 孔祥建 黄霞 付国柱 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期167-175,共9页
基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器。实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一。文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释... 基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器。实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一。文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法。对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向。 展开更多
关键词 电子纸 电子墨水 薄膜晶体管 柔性金属基板 激光释放塑基电子技术 激光退火表面释放技术 有机薄膜晶体管
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驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作 被引量:4
17
作者 刘金娥 廖燕平 +5 位作者 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期660-667,共8页
a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅... a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。 展开更多
关键词 OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:H TFT
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a-Si∶H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计 被引量:3
18
作者 刘金娥 廖燕平 +3 位作者 荆海 张志伟 付国柱 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期491-496,共6页
分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据... 分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 展开更多
关键词 OLED a—Si:H—TFT 阈值电压漂移 电荷注入 亚稳态 补偿方法
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用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜及结构分析 被引量:3
19
作者 张玉 高博 +3 位作者 李世伟 付国柱 高文涛 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期668-673,共6页
以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响,并通过XRD谱分析,确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件:FR... 以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响,并通过XRD谱分析,确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件:FR(SiH4)=5mL/min,FR(H2)=70mL/min,P=50Pa,L衬底与钨丝=7.5cm,T=30min,t衬底=300℃,特征峰在(111)面上。在接触式膜厚仪测量的基础上,计算出薄膜生长速率为0.6nm/s。对最佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行刻蚀,形成不同的厚度,以便进行逐层分析。采用XRD和SEM方法对不同厚度的薄膜测试发现,随着薄膜厚度的减小,(111)面的XRD特征峰强度逐渐下降,(111)面上的晶粒尺寸基本没有变化,都是50nm左右。根据测试结果分析了薄膜的生长机制,提出了薄膜生长是分步成核,成核后沿(111)面纵向生长的观点。认为反应基元首先随机吸附在衬底上,在H原子的作用下在一些位置上成核,而在其他位置形成非晶相。已形成的晶核逐渐长大并沿(111)面纵向生长;已形成的非晶相也在生长,但上面不断有晶核形成。当薄膜达到一定厚度,非晶相表面完全被晶核占据,整个薄膜表面成为多晶相,此后整个薄膜处于沿(111)面的纵向生长阶段,直至反应结束,完整的晶粒结构呈柱状。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 催化化学气相沉积 沉积参数 逐层分析 分步成核
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a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善 被引量:4
20
作者 杨澍 荆海 +1 位作者 付国柱 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期565-571,共7页
第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在... 第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在保持开态电流基本不变的情况下有效减小关态漏电流。SPICE模拟结果证明,双栅结构使关态漏电流减小一倍左右。为了衡量该结构对缩短电泳显示器响应时间的作用,建立了响应时间t与漏电流Ioff之间的函数关系。通过Matlab模拟,证明双栅结构在漏电流为20pA时可将响应时间从380ms降至320ms;漏电流为35pA时可将响应时间从530ms降至360ms,帧频由2Hz提高到3Hz。根据建立的t-Ioff关系,指出降低电泳粒子半径和增大存储电容是进一步提高电泳显示器响应速度的关键。 展开更多
关键词 电泳显示器 不定形硅双栅薄膜晶体管 漏电流 响应时间 SPICE模拟
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