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高温防护涂层扩散阻挡层的研究进展 被引量:17
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作者 李伟洲 王启民 孙超 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期30-34,共5页
综述了高温防护涂层体系扩散阻挡层的研究进展,说明了扩散阻挡层在高温防护涂层体系中的作用机理,比较了不同种类扩散阻挡层的差别,尤其是元素扩散阻挡能力、界面结合强度和制备成本的差别,从工业应用方面分析了各种扩散阻挡层的优缺点... 综述了高温防护涂层体系扩散阻挡层的研究进展,说明了扩散阻挡层在高温防护涂层体系中的作用机理,比较了不同种类扩散阻挡层的差别,尤其是元素扩散阻挡能力、界面结合强度和制备成本的差别,从工业应用方面分析了各种扩散阻挡层的优缺点,提出了可通过改变涂层结构和改进加工工艺来提高陶瓷扩散阻挡层的界面结合强度。 展开更多
关键词 扩散阻挡层 高温防护涂层 元素互扩散 界面结合强度
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氧化铝薄膜在发光方面的研究进展 被引量:7
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作者 廖国进 巴德纯 +2 位作者 闻立时 刘斯明 阎绍峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期26-29,共4页
对近十几年来Al2O3薄膜在发光方面的研究进展分4个方面进行了介绍:(1)多孔阳极氧化铝薄膜基质的光致发光(PL)及其发光机理研究;(2)退火温度对多孔阳极氧化铝薄膜发光性能的影响;(3)氧化铝薄膜基质中掺杂稀土离子或过渡金属离子后的光致... 对近十几年来Al2O3薄膜在发光方面的研究进展分4个方面进行了介绍:(1)多孔阳极氧化铝薄膜基质的光致发光(PL)及其发光机理研究;(2)退火温度对多孔阳极氧化铝薄膜发光性能的影响;(3)氧化铝薄膜基质中掺杂稀土离子或过渡金属离子后的光致发光研究;(4)Al2O3薄膜的电致发光(EL)研究。此外,还对氧化铝薄膜发光方面的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 AL2O3 薄膜 发光 研究进展
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中频反应磁控溅射Al_2O_3薄膜的光学性质 被引量:10
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作者 廖国进 闻立时 +1 位作者 巴德纯 刘斯明 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期687-691,共5页
采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Al2O3薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其他物理特性的方法.对Al2O3薄膜进行透射谱测量,通过对薄膜折射率、吸收系数、膜厚度与入射光波长... 采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Al2O3薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其他物理特性的方法.对Al2O3薄膜进行透射谱测量,通过对薄膜折射率、吸收系数、膜厚度与入射光波长相互关系的分析,获得了Al2O3薄膜在400-1100 nm区域内的折射率、吸收系数与入射光波长的关系式,以及Al2O3薄膜厚度的计算公式. 展开更多
关键词 AL2O3薄膜 光学性质 折射率 吸收系数 膜厚度
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中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce^(3+)薄膜的蓝色发光特性 被引量:5
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作者 巴德纯 廖国进 +2 位作者 闻立时 刘斯明 阎绍峰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期421-424,共4页
本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+... 本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+。随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3∶Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 展开更多
关键词 光致发光 AL2O3 薄膜 CE
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掺杂浓度对Al_2O_3:Ce^(3+)薄膜发光性能的影响 被引量:4
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作者 廖国进 巴德纯 +2 位作者 闻立时 刘斯明 阎绍峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期872-875,共4页
应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)... 应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+。Al2O3∶Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。 展开更多
关键词 三氧化二铝薄膜 磁控溅射 掺杂浓度 光致 发光 CE
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电弧离子镀制备Cr-O-N涂层及生长机理探讨 被引量:1
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作者 李伟洲 李月巧 +2 位作者 梁天权 胡治流 孙超 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期101-105,共5页
为了弄清O2和N2的流量变化和基体负偏压对涂层微观结构的影响,利用电弧离子镀技术制备了Cr-O-N涂层,对涂层样品进行了X射线衍射分析,扫描电镜和原子力显微镜观察,电子探针成分分析,结果表明Cr-O-N涂层含CrN和Cr2O3相,衍射峰的择优取向... 为了弄清O2和N2的流量变化和基体负偏压对涂层微观结构的影响,利用电弧离子镀技术制备了Cr-O-N涂层,对涂层样品进行了X射线衍射分析,扫描电镜和原子力显微镜观察,电子探针成分分析,结果表明Cr-O-N涂层含CrN和Cr2O3相,衍射峰的择优取向、涂层的表面粗糙度、相含量和化学成分与制备过程中的气体流量、基体负偏压等因素密切相关:随着氧流量的增加,涂层的表面粗糙度上升,涂层中氧元素含量和Cr2O3相含量增多;基体负偏压的升高有利于涂层沿CrN(220),Cr2O3(300)面择优生长和涂层的致密性提高. 展开更多
关键词 电弧离子镀 Cr-O-N涂层 气体流量 表面粗糙度
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Mg-Si-Sn-Bi材料退火过程中微结构演变与热电性能
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作者 宋贵宏 刘倩男 +3 位作者 孟雪 胡方 王超 杜昊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期912-916,923,共6页
利用单质粉末冷压成型及高真空500℃-2 h烧结制备了Mg-Si-Sn-Bi材料,随后对制备材料在真空下600℃退火处理,并对制备材料的组成和热电性能进行研究。结果表明,500℃烧结材料仅仅由Mg_2Sn和Mg_2Si两相混合物构成。材料600℃退火,部分化... 利用单质粉末冷压成型及高真空500℃-2 h烧结制备了Mg-Si-Sn-Bi材料,随后对制备材料在真空下600℃退火处理,并对制备材料的组成和热电性能进行研究。结果表明,500℃烧结材料仅仅由Mg_2Sn和Mg_2Si两相混合物构成。材料600℃退火,部分化合物分解,Sn和Si首先以单质形式存在;随后Si融入剩余的Mg_2Sn结构中,形成Mg_2(Sn,Si)固溶体;Sn以金属纳米尺寸状态存在;分解的Mg与真空石英玻璃管内残留的氧反应生成MgO相。而且,退火时间延长,Mg_2(Sn,Si)固溶体和纳米尺寸的金属Sn含量增多。材料中Mg_2(Sn,Si)固溶体含量越多,Seebeck系数绝对值越大;材料中纳米尺寸的金属Sn含量越多,电阻率越小。含有纳米尺寸金属Sn的Mg-Si-Sn-Bi材料因Seebeck系数绝对值大和电阻率小,具有较大的功率因子。 展开更多
关键词 Mg-Si-Sn-Bi材料 退火 化合物分解 SEEBECK系数 热电行为
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