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压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察
被引量：
1
1
作者
吴亚桥
徐永波
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1998年第5期533-534,共2页
晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉ...
晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...
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关键词
压痕诱发
TEM
单晶硅
非晶化相变
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职称材料
题名
压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察
被引量：
1
1
作者
吴亚桥
徐永波
机构
中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室固体原子像开放研究实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1998年第5期533-534,共2页
基金
国家自然科学基金
文摘
晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...
关键词
压痕诱发
TEM
单晶硅
非晶化相变
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察
吴亚桥
徐永波
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1998
1
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