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高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用: 1; 作者朱李安高鸿楷 +3 位作者何益民贺丽赛小锋侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第11期1003-1006,共4页; 用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一．不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同．本文以GaAS／AlGaAs为例，展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性... 展开更多; 关键词 X射线衍射仪倒易空间多晶多反射半导体晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

NEA GaAs光电阴极激活工艺研究: 2; 作者张书明孙长印 +5 位作者朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第8期745-748,共4页; 本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.; 关键词光电阴极热清洁激活砷化镓铯分子源; 在线阅读下载PDF 职称材料

负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究: 3; 作者米侃张景文 +3 位作者赛小峰何益民高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期106-109,共4页; 本文采用在超高真空系统中引入少量Ａｒ气及在激活到最高灵敏度时维持一定Ｃｓ蒸气压的方法，改进了激活系统的环境气氛，使阴极在台内的寿命得到极大地延长，为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素。; 关键词光电阴极稳定性负电子亲合势砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析: 4; 作者孙长印张书明 +3 位作者朱李安赛小峰高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第10期902-905,共4页; 我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇（Ａｕｇｅｒ）能谱仪，以其对ＧａＡｓ光电阴极的制备过程进行在线监测分析，其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测，阴极激活前清洁措施的效果评价和Ｃｓ－Ｏ激活过程中Ａｓ／Ｇ... 展开更多; 关键词光电阴极热清洁激活俄歇分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

抗反射膜SiN的热退火特性: 5; 作者张书明赛小峰侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第5期468-471,共4页; 本文研究了ＰＥＣＶＤ抗反射膜ＳｉＮ的热退火特性。测量结果表明，经过制备ＧａＡｓ透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理ＳｉＮ薄膜的折射率增加了约０．１，薄膜厚度减少了约１５％。ＩＲ透射谱分析表明，这是由于退火后膜中Ｈ的释... 展开更多; 关键词透射光阴极热退火抗反射膜氮化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用: 1; 作者朱李安高鸿楷何益民贺丽赛小锋侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所半导体室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第11期1003-1006,共4页; 文摘用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一．不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同．本文以GaAS／AlGaAs为例，展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲、微观倾斜、组分梯度、应变、弛豫以及平行于界面的连续性等问题．所得结果同样适用于其它半导体材料．; 关键词 X射线衍射仪倒易空间多晶多反射半导体晶体; Keywords X-ray Diffraction Reciprocal space GaAs AlGaAs; 分类号 TN304.07 [电子电信—物理电子学] TH741.4 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NEA GaAs光电阴极激活工艺研究: 2; 作者张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所半导体室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第8期745-748,共4页; 文摘本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.; 关键词光电阴极热清洁激活砷化镓铯分子源; Keywords GaAs photocathode Heat cleaning Activation; 分类号 TN203 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究: 3; 作者米侃张景文赛小峰何益民高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所半导体室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期106-109,共4页; 文摘本文采用在超高真空系统中引入少量Ａｒ气及在激活到最高灵敏度时维持一定Ｃｓ蒸气压的方法，改进了激活系统的环境气氛，使阴极在台内的寿命得到极大地延长，为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素。; 关键词光电阴极稳定性负电子亲合势砷化镓; Keywords GaAs photocathode Stability; 分类号 TN203 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析: 4; 作者孙长印张书明朱李安赛小峰高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所半导体室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第10期902-905,共4页; 文摘我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇（Ａｕｇｅｒ）能谱仪，以其对ＧａＡｓ光电阴极的制备过程进行在线监测分析，其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测，阴极激活前清洁措施的效果评价和Ｃｓ－Ｏ激活过程中Ａｓ／Ｇａ俄歇信号比对光电灵敏度的影响，Ｃｓ源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果，激活出了１０００μＡ／ｌｍ的反射式光电阴极和５００μＡ／ｌｍ的透射式光电阴极。; 关键词光电阴极热清洁激活俄歇分析; Keywords Photocathode Etching Surface cleaning Activation; 分类号 TN203 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名抗反射膜SiN的热退火特性: 5; 作者张书明赛小峰侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所半导体室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第5期468-471,共4页; 文摘本文研究了ＰＥＣＶＤ抗反射膜ＳｉＮ的热退火特性。测量结果表明，经过制备ＧａＡｓ透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理ＳｉＮ薄膜的折射率增加了约０．１，薄膜厚度减少了约１５％。ＩＲ透射谱分析表明，这是由于退火后膜中Ｈ的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式ＧａＡｓ光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。; 关键词透射光阴极热退火抗反射膜氮化硅; Keywords GaAs transmission photocathod Anti-reflection thin film Annealing; 分类号 O613.72 [理学—无机化学] TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用	朱李安高鸿楷何益民贺丽赛小锋侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD	1997	在线阅读下载PDF 职称材料
2	NEA GaAs光电阴极激活工艺研究	张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD	1996	在线阅读下载PDF 职称材料
3	负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究	米侃张景文赛小峰何益民高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD	1998	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析	孙长印张书明朱李安赛小峰高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD	1996	在线阅读下载PDF 职称材料
5	抗反射膜SiN的热退火特性	张书明赛小峰侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD	1995	在线阅读下载PDF 职称材料