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红外折射/衍射超常温光学系统被引量：27: 1; 作者孙强刘宏波 +3 位作者王肇圻张惠娟王吉增卢振武《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期466-469,共4页; 设计了折射 /衍射混合减热差红外光学系统 ,仅使用硅和锗两种材料设计结果表明 ,此系统具有良好的减热差和校色差作用 ,在 - 80～ 2 0 0℃温度范围内不仅得到接近衍射极限的成像质量 ,而且结构简单 ,体积小。; 关键词折射/衍射混合减热差红外光学系统设计衍射光学元件校色差红外折射/衍射超常温光学系统; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究被引量：6: 2; 作者汪韬赛小锋 +2 位作者李晓婷李宝霞高鸿楷《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期625-627,共3页; 以聚甲基丙烯酸甲脂为材料 ,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜 (8× ) ,可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统 ,并对在其聚光条件下 ,太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 ,该菲涅尔线聚焦棱镜能有... 展开更多; 关键词菲涅尔透镜太阳聚光器聚甲基丙烯酸甲脂热压成型工艺菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量：4: 3; 作者李晓婷王一丁 +5 位作者汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1363-1366,共4页; 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影... 展开更多; 关键词 LP-MOCVD GASB INASSB 生长温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究被引量：3: 4; 作者李宝霞汪韬 +2 位作者李晓婷赛小锋高鸿楷《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期249-252,共4页; 利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaIn... 展开更多; 关键词 GAAS 碳掺杂 GaAs隧道结; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ge衬底上GaInP_2材料的生长研究被引量：2: 5; 作者李晓婷汪韬 +1 位作者赛小锋张志勇《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期909-911,共3页; 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LPMOCVD设备,在(100)面偏(110)面9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长... 展开更多; 关键词 LP-MOCVD GalnP2 Ge 材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计被引量：10: 6; 作者汪韬李辉 +2 位作者李宝霞赛小锋高鸿楷《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期196-199,共4页; 根据边缘光线原理 ,优化设计太阳电池及光伏系统的菲涅耳线聚焦聚光透镜 .设计光学聚光率为 1 8× ,可用于空间、地面光伏系统的聚光系统 .分析了其集光角特性 ,表明该菲涅耳线聚焦棱镜具有大的集光角 (±; 关键词太阳电池菲涅耳线聚焦聚光透镜集光角边缘光线光伏系统设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响被引量：3: 7; 作者汪韬李宝霞 +2 位作者李晓婷赛小锋高鸿楷《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页; 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴... 展开更多; 关键词生长速率低压MOCVD 外延生长异质结液相金属氧化物化学汽相沉积 GAAS/GE 反向畴砷化镓锗半导体太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长被引量：4: 8; 作者李辉汪韬 +2 位作者李宝霞赛晓峰高鸿楷《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期209-212,共4页; 本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 ... 展开更多; 关键词 LP-MOCVD CaInP2/GaAs/Ge 叠层太阳电池外延生长镓铟磷化合物砷化镓锗; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响被引量：1: 9; 作者李晓婷汪韬 +1 位作者赛小锋高鸿楷《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期921-924,共4页; 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP MOCVD设备 ,在Ge衬底 (10 0 )面向 (111)偏9°外延生长出GaAs电池结构 ,对电池材料进行了X射线衍射分析另外 ,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试 ,测试结果表明 ,Ge衬底的高温处理工... 展开更多; 关键词 LP-MOCVD GAAS/GE 太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名红外折射/衍射超常温光学系统被引量：27: 1; 作者孙强刘宏波王肇圻张惠娟王吉增卢振武; 机构南开大学现代光学研究所中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室中国科学院长春光机与物理研究所白城师范学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期466-469,共4页; 基金国家自然科学基金 (编号 60 2 770 2 1) 应用光学国家重点实验室基金资助项目; 文摘设计了折射 /衍射混合减热差红外光学系统 ,仅使用硅和锗两种材料设计结果表明 ,此系统具有良好的减热差和校色差作用 ,在 - 80～ 2 0 0℃温度范围内不仅得到接近衍射极限的成像质量 ,而且结构简单 ,体积小。; 关键词折射/衍射混合减热差红外光学系统设计衍射光学元件校色差红外折射/衍射超常温光学系统; Keywords Infrared optical system Diffractive optics Athermal design; 分类号 TN216 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究被引量：6: 2; 作者汪韬赛小锋李晓婷李宝霞高鸿楷; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期625-627,共3页; 文摘以聚甲基丙烯酸甲脂为材料 ,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜 (8× ) ,可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统 ,并对在其聚光条件下 ,太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 ,该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率模具的机械加工精度和光学抛光精度低。; 关键词菲涅尔透镜太阳聚光器聚甲基丙烯酸甲脂热压成型工艺菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件; Keywords Fresnel lens Solar concentrator PMMA; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量：4: 3; 作者李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室吉林大学电子工程学院西北大学电子工程系; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1363-1366,共4页; 基金国家863计划(NO:2002AA313080) 国家自然科学基金(NO:60378020)资助项目; 文摘采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.; 关键词 LP-MOCVD GASB INASSB 生长温度; Keywords LP-MOCVD GaSb InAsSb Growth temperature; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究被引量：3: 4; 作者李宝霞汪韬李晓婷赛小锋高鸿楷; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期249-252,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 45 ); 文摘利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaInP/GaAs/Ge太阳能电池的隧道结 .; 关键词 GAAS 碳掺杂 GaAs隧道结; Keywords GaAs GaAs tunnel junction p-type dopant; 分类号 O61 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ge衬底上GaInP_2材料的生长研究被引量：2: 5; 作者李晓婷汪韬赛小锋张志勇; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室西北大学电子工程系; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期909-911,共3页; 基金国家自然科学基金(编号为60378020)资助项目; 文摘采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LPMOCVD设备,在(100)面偏(110)面9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,Ⅴ/Ⅲ为180～220时,获得了满足级联电池的GaInP2材料.; 关键词 LP-MOCVD GalnP2 Ge 材料; Keywords LP-MOCVD GaInP_2 Ge Material; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计被引量：10: 6; 作者汪韬李辉李宝霞赛小锋高鸿楷; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期196-199,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目; 文摘根据边缘光线原理 ,优化设计太阳电池及光伏系统的菲涅耳线聚焦聚光透镜 .设计光学聚光率为 1 8× ,可用于空间、地面光伏系统的聚光系统 .分析了其集光角特性 ,表明该菲涅耳线聚焦棱镜具有大的集光角 (±; 关键词太阳电池菲涅耳线聚焦聚光透镜集光角边缘光线光伏系统设计; Keywords Fresnes lens Solar concentrator Acceptance angle; 分类号 TH74 [机械工程—光学工程] TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响被引量：3: 7; 作者汪韬李宝霞李晓婷赛小锋高鸿楷; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (698760 45 ); 文摘采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关; 关键词生长速率低压MOCVD 外延生长异质结液相金属氧化物化学汽相沉积 GAAS/GE 反向畴砷化镓锗半导体太阳电池; Keywords LP MOCVD GaAs/Ge anti phase domain; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TM [电气工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长被引量：4: 8; 作者李辉汪韬李宝霞赛晓峰高鸿楷; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期209-212,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目; 文摘本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .; 关键词 LP-MOCVD CaInP2/GaAs/Ge 叠层太阳电池外延生长镓铟磷化合物砷化镓锗; Keywords LP-MOCVD GaInP2/GaAs/Ge Tandem solar cell; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动] TN304.205 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响被引量：1: 9; 作者李晓婷汪韬赛小锋高鸿楷; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期921-924,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (编号为 6 9876 0 4 5 ); 文摘采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP MOCVD设备 ,在Ge衬底 (10 0 )面向 (111)偏9°外延生长出GaAs电池结构 ,对电池材料进行了X射线衍射分析另外 ,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试 ,测试结果表明 ,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响试验表明 ,在 6 0 0～ 70 0℃之间高温处理效果较好。; 关键词 LP-MOCVD GAAS/GE 太阳电池; Keywords LP-MOCVD GaAs/Ge Solar cell; 分类号 O472.8 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	红外折射/衍射超常温光学系统	孙强刘宏波王肇圻张惠娟王吉增卢振武	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	27	在线阅读下载PDF 职称材料
2	新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究	汪韬赛小锋李晓婷李宝霞高鸿楷	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究	李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究	李宝霞汪韬李晓婷赛小锋高鸿楷	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Ge衬底上GaInP_2材料的生长研究	李晓婷汪韬赛小锋张志勇	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计	汪韬李辉李宝霞赛小锋高鸿楷	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	10	在线阅读下载PDF 职称材料
7	生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响	汪韬李宝霞李晓婷赛小锋高鸿楷	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
8	GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长	李辉汪韬李宝霞赛晓峰高鸿楷	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
9	高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响	李晓婷汪韬赛小锋高鸿楷	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料