GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究 被引量：3

1

作者 黄醒良 方晓明 +4 位作者 陆卫 沈学础 李言谨 袁诗鑫 周小川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期301-308,共8页

测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)... 测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。 展开更多

关键词 多量子阱 红外探测器 拟合

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电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究 被引量：1

2

作者 崔玉德 王佑祥 顾诠 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期162-166,共5页

研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后... 研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。 展开更多

关键词 电子束 离子束 蓝宝石 分解 俄歇电子能谱

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7μmGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器 被引量：1

3

作者 方晓明 黄醒良 +12 位作者 陆卫 李言谨 沈学础 周小川 钟战天 蒋健 徐贵昌 杜全钢 牟善明 李承芳 周鼎新 于美云 余晓中 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期43-46,共4页

利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz^(1/2)·W^(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W^(-1).

关键词 多量子阱 子带间跃迁 红外探测器

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分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究 被引量：1

4

作者 钟战天 吴冰清 +7 位作者 曹作萍 朱文珍 张广泽 王佑祥 陈新 张立宝 朱勤生 邢益荣 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第6期383-387,共5页

利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，... 利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。 展开更多

关键词 分子束外延 Δ掺杂 砷化镓

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场离子-扫描隧道显微镜 被引量：1

5

作者 陆华 樱井利夫 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第3期186-194,共9页

由IBM的Binnig和Rohrer发明的扫描隧道显微镜STM是基于与原先的各种表面研究手段完全不同的原理,能直接观察一个个表面原子并能测出每个原子位置上的电子状态的划时代的表面研究装置。STM之所以引起表面科学工作者的注目主要原因是由于... 由IBM的Binnig和Rohrer发明的扫描隧道显微镜STM是基于与原先的各种表面研究手段完全不同的原理,能直接观察一个个表面原子并能测出每个原子位置上的电子状态的划时代的表面研究装置。STM之所以引起表面科学工作者的注目主要原因是由于它能在极高的空间分辨率(dX/Y～0.1nm,dz～0.01nm)下直接观察表面的原子结构。而且,它不一定需要超高真空条件,而可以在大气或溶液等环境中操作。这是以往任何一种表面研究手段不可能做到的。然而,即使如此,STM也暴露出它的弱点,如操作特性的不稳定性以及操作过程中原子分辨能力的不可控性。很显然主要原因是扫描探针的尖端曲率半径及其稳定性。为了在STM实验中随时监测其扫描探针尖端的原子排列状况,Kuk及Sakurai等人先后设计研制了一种将场离子显微镜FIM和STM组合在一起的复合型场离子-扫描隧道显微境FI-STM。使用这种仪器可以确保在极高的原子分辨的情况下从事STM研究。下面将就FIM的原理、STM的基础、FI-STM的技术细节以及它的应用实例作简单的介绍。 展开更多

关键词 场离子显微镜 STM

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分子束外延GaAs/Si异质结的生长和研究

6

作者 钟战天 杨鸿展 金维新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第2期116-121,共6页

使用自己研制的带有MBE系统的表面联合谱仪进行生长和研究GaAs/Si异质结。Si衬底经过重复氧化和去氧的化学腐蚀,随后热处理得到清洁完整的表面。Si上外延GaAs薄膜的生长过程是由低温、慢生长速率生成缓冲层和通常同质结外延两个阶段组成... 使用自己研制的带有MBE系统的表面联合谱仪进行生长和研究GaAs/Si异质结。Si衬底经过重复氧化和去氧的化学腐蚀,随后热处理得到清洁完整的表面。Si上外延GaAs薄膜的生长过程是由低温、慢生长速率生成缓冲层和通常同质结外延两个阶段组成,通过RHEED、LEED、AES、喇曼散射和X光双晶衍射测量,对结果分析、讨论,表明生长的异质结是无C和O等杂质沾污的结晶材料,最初以岛状形式进行三维生长。形成的界面存在元素互扩散和3.83%晶格失配,从而导致GaAs外延层中有较大的缺陷密度。 展开更多

关键词 异质结 GAAS/SI 同质结 分子束外延 外延层 晶格失配 结晶材料 喇曼 后热处理 表面清洁处理

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稀土氧化物高T_c超导薄膜的AES分析

7

作者 崔玉德 王佑祥 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第5期323-326,共4页

一、前言世界很多国家都在研究制备超导材料,而且发展很快。国内有十多个单位用电子束蒸发、磁控溅射等方法获得零电阻转变温度T_R=0】85K的超导薄膜,也有用分子束外延、化学气相沉积法制备的。一般超导临界转变... 一、前言世界很多国家都在研究制备超导材料,而且发展很快。国内有十多个单位用电子束蒸发、磁控溅射等方法获得零电阻转变温度T_R=0】85K的超导薄膜,也有用分子束外延、化学气相沉积法制备的。一般超导临界转变温度T_C【85K,我国制Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的T_R=0】111K,T_C=125K。 展开更多

关键词 超导薄膜 AES分析 T_c 零电阻 稀土氧化物 化学气相沉积 磁控溅射 电子束蒸发 超导性能 转变温度

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毫安级阈值电流量子阱激光器

8

作者 肖建伟 杨国文 +6 位作者 徐俊英 徐遵图 张敬明 陈良惠 周小川 蒋健 钟战天 《高技术通讯》 CSCD 1992年第2期18-20,共3页

采用高质量AlGaAs二次外延掩埋技术和应变量子阱结构,成功地研制出阈值电流低达1.55mA的量子阱激光器(室温、连续)。器件的平均单面外微分量子效率为40%,最高达44.8%。

关键词 半导体激光器 低阈值 应变量子阱

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高灵敏度GaAs/AlGaAs多量子阱狭带红外探测器

9

作者 钟战天 周小川 +1 位作者 杜全钢 朱勤生 《真空科学与技术》 CSCD 1992年第6期475-476,共2页

在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速度快、量子效率高、可变波长、热稳定性和均匀性好的优点,在军事和... 在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速度快、量子效率高、可变波长、热稳定性和均匀性好的优点,在军事和民用上占有重要地位,已成为国际上极为重视的高技术研究的前沿课题。1985年West和Eglash首先观察到GaAs量子阱中的光跃迁现象。在1987年levine等人制造出第一个GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器,近年又制造出性能更好的探测器:工作温度77K,峰值波长为8μm,峰值探测率D_(λρ)~*=4.0×10^(10)cm、(Hz)^(1/2)/W。 展开更多

关键词 量子阱 半导体 红外探测器

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原子团离子在Al_(x)Ga(1-x)As基体组分SIMS定量分析中的应用 被引量：1

10

作者 姜志雄 查良镇 +2 位作者 王佑祥 陈春华 陈新 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第5期316-322,共7页

通过检测原子团离于MCs+和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响，并对正、负SIMS测量方法做出比较。

关键词 二次离子质谱 基体组分 定量分析 原子团离子

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室温Fe(110)面CO吸附的HREELS和LEED研究

11

作者 朱立 鲍世宁 徐亚伯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第5期291-294,339,共5页

本工作用HREELS和LEED对CO在室温Fe(110)面上的吸附进行了研究。HREELS的结果表明,在CO暴露量小于2L时,只有分子态的CO直立吸附于表面顶位。在暴露量大于2L时,出现了一个新的能量损失峰,其频率比分子吸附CO的CO—Fe振动频率更低,为414cm... 本工作用HREELS和LEED对CO在室温Fe(110)面上的吸附进行了研究。HREELS的结果表明,在CO暴露量小于2L时,只有分子态的CO直立吸附于表面顶位。在暴露量大于2L时,出现了一个新的能量损失峰,其频率比分子吸附CO的CO—Fe振动频率更低,为414cm^(-1)。这是分解的CO的C吸附于表面产生的能量损失。在CO暴露量为40L时,观察到了(5×1)的CO吸附结构,在表面CO吸附接近饱和时,观察到了(2×1)结构。 展开更多

关键词 暴露量 LEED FE HREELS CO 分子吸附 振动频率 本工 顶位 能量损失

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