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Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究
被引量：
2
1
作者
岳瑞峰
王佑祥
+1 位作者
陈春华
徐传骧
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1998年第1期50-57,共8页
采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产...
采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱（RBS），X射线衍射分析（XRD）和Ti-Al－N三元相图推断，铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物。经850℃退火4h后其主要由Ti2AlN组成。
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关键词
二次离子质谱
组分分布
铝化物
薄膜
氮化铝陶瓷
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职称材料
题名
Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究
被引量：
2
1
作者
岳瑞峰
王佑祥
陈春华
徐传骧
机构
中国科学院
表面
物理
国家
重点
实验室
中国科学院表面物理国家重点实验室和半导体研究所
中国科学院
半导体研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1998年第1期50-57,共8页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱（RBS），X射线衍射分析（XRD）和Ti-Al－N三元相图推断，铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物。经850℃退火4h后其主要由Ti2AlN组成。
关键词
二次离子质谱
组分分布
铝化物
薄膜
氮化铝陶瓷
Keywords
Secondary ion mass spectrometry, Ti/AlN interface, Composition distribution, Aluminide
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究
岳瑞峰
王佑祥
陈春华
徐传骧
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1998
2
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参考文献
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