Ti/A1N快速退火界面反应的实验研究 被引量：4

1

作者 陈新 王佑祥 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期160-166,共7页

在电子封装用的A1N陶瓷多晶衬底上生长250nm的Ti膜，并进行快速退火。用RBS（卢瑟福背散射）、AES（俄歇电子能谱）、SIMS（二次离子质谱）和XRD（X射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ti／A1N界面... 在电子封装用的A1N陶瓷多晶衬底上生长250nm的Ti膜，并进行快速退火。用RBS（卢瑟福背散射）、AES（俄歇电子能谱）、SIMS（二次离子质谱）和XRD（X射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ti／A1N界面粘附力的影响。实验结果表明：快速退火时，Ti，A1，N以及A1N中掺杂的O均发生明显的界面扩散和界面反应。样品表面的O和A1N衬底中掺杂的O都向Ti膜中扩散，在较低的退火温度下生成TiO2；在较高的退火温度下与扩散到Ti膜中的A1反应，在Ti膜中间形成Al2O3层。N向Ti中扩散，并与Ti反应生成TiN。在薄膜和衬底之间有Ti的氧化物生成。粘附力的测量结果表明：在较低的温度下进行快速退火可以明显提高Ti／A1N界面的强度，在较高的温度下，界面强度有所下降。 展开更多

关键词 电子封装 界面反应 二次离子质谱 钛 薄膜

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用低能电子衍射谱仪(LEED)观察氢终止的Si(111)表面

2

作者 李晴 胡晓晖 林彰达 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第1期11-15,共5页

本文描述了一种得到无重构的理想的氢终止Si（111）表面的化学处理方法，用这种方法得到的表面，可以用低能电子衍射谱仪（LEED）进行结构研究。本实验使用我们自己设计加工的电子背轰击式加热器，作品可加热到800℃以上，亦可冷却到液... 本文描述了一种得到无重构的理想的氢终止Si（111）表面的化学处理方法，用这种方法得到的表面，可以用低能电子衍射谱仪（LEED）进行结构研究。本实验使用我们自己设计加工的电子背轰击式加热器，作品可加热到800℃以上，亦可冷却到液氮温度。文中对氢终止Si（111）表面的研究的初步结果作一概述，给出了表面覆盖氢化物的LEED研究证据。 展开更多

关键词 衍射 氢终止 LEED 硅 表面

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MCs^+ -SIMS技术及其应用 被引量：6

3

作者 岳瑞峰 王佑祥 +2 位作者 陈新 陈春华 徐传骧 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期198-205,共8页

强烈的基体效应一直是造成二次离子质谱（SIMS）难以定量分析和解释的主要原因。受其影响，常规SIMS，即M±－SIMS（检测原子型二次离子M＋或M－，M是要分析的元素）的适用范围受到了很大的限制。近几年来，上述状况已经通过一种新... 强烈的基体效应一直是造成二次离子质谱（SIMS）难以定量分析和解释的主要原因。受其影响，常规SIMS，即M±－SIMS（检测原子型二次离子M＋或M－，M是要分析的元素）的适用范围受到了很大的限制。近几年来，上述状况已经通过一种新技术开发得到明显改善，这就是MCS＋－SIMS技术，即在CS＋一次离子轰击下检测分子型二次离子MCS＋而不是M±。由于该技术能明显减小甚至消除基体效应，从而开辟了SIMS定量分析的新途径。在综述MCS＋－SIMS技术的由来、发展、特点和应用以及MCS＋的生成机理的基础上，介绍了该技术的扩展思路。 展开更多

关键词 二次离子质谱 铯化物离子 定量分析 基体效应

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掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质 被引量：4

4

作者 陈维德 陈长勇 卞留芳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期647-650,共4页

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利用IFS/20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自nc-S i在800 nm的发光强度比来自a-S iOx∶H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-S iOx∶H在1.54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-S iOx∶H薄膜中S i颗粒和Er3+的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Ram an散射等的测量结果,进一步明确指出a-S i颗粒在Er3+的激发中可以起到和nc-S i同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。 展开更多

关键词 稀土 离子注入 纳米硅 富硅氧化硅

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Mo/α-Al_2O_3界面的二次离子质谱研究 被引量：2

5

作者 岳瑞峰 王佑祥 +1 位作者 陈春华 徐传骧 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期233-238,共6页

采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。... 采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。结果表明，在Mo／Al2O3界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有MoO2生成。延长退火时间，过渡层变化不大。 展开更多

关键词 界面 质谱 SIMS 钼 薄膜 半导体

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陶瓷基材上金刚石薄膜的微观结构与界面研究 被引量：1

6

作者 陈岩 戴吉岩 +3 位作者 苏革 黄荣芳 闻立时 师昌绪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第4期274-278,共5页

用透射电子显微镜研究了用热丝法在Ｓｉ＿３Ｎ＿４－ＳｉＣ＿ｗ，ＡｌＮ陶瓷基材上生长的金刚石薄膜的显微结构和金刚石膜－基片界面。结果表明，金刚石膜内有大量的（１１１）孪晶，堆垛层错和位错。Ｓｉ＿３Ｎ＿４－ＳｉＣ＿ｗ基材上... 用透射电子显微镜研究了用热丝法在Ｓｉ＿３Ｎ＿４－ＳｉＣ＿ｗ，ＡｌＮ陶瓷基材上生长的金刚石薄膜的显微结构和金刚石膜－基片界面。结果表明，金刚石膜内有大量的（１１１）孪晶，堆垛层错和位错。Ｓｉ＿３Ｎ＿４－ＳｉＣ＿ｗ基材上的金刚石膜的晶粒细小，有沿基材表面的条纹状的晶粒生长。界面研究表明ＡｌＮ基材上膜－基界面处有两种形核方式：无明显过渡层时，金刚石晶粒呈锥状生长，晶粒间留有孔洞；有界面过渡层时呈柱状生长。 展开更多

关键词 界面 显微结构 气相沉积 金刚石薄膜 陶瓷

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Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究 被引量：2

7

作者 岳瑞峰 王佑祥 +1 位作者 陈春华 徐传骧 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第1期50-57,共8页

采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产... 采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱（RBS），X射线衍射分析（XRD）和Ti-Al－N三元相图推断，铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物。经850℃退火4h后其主要由Ti2AlN组成。 展开更多

关键词 二次离子质谱 组分分布 铝化物 薄膜 氮化铝陶瓷

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Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究 被引量：1

8

作者 岳瑞峰 王佑祥 陈春华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期33-35,41,共4页

采用电子束蒸发的方法在200℃抛光的(1102)取向的蓝宝石(︿-Al2O3单晶)衬底上淀积200nm的Cr膜,并在高真空中退火。利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs+型二次离子)对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间... 采用电子束蒸发的方法在200℃抛光的(1102)取向的蓝宝石(︿-Al2O3单晶)衬底上淀积200nm的Cr膜,并在高真空中退火。利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs+型二次离子)对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系,并在850℃退火样品中观测到一种新的界面结构。结果表明。 展开更多

关键词 CR 蓝宝石 离子质谱 陶瓷半导体

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Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究 被引量：2

9

作者 王佑祥 顾诠 +1 位作者 崔玉德 陈新 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第5期323-328,共6页

用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行A... 用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。 展开更多

关键词 界面反应 俄歇电子能谱 氧化铝 陶瓷

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氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究 被引量：1

10

作者 岳瑞峰 王佑祥 3陈春华 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第5期11-14,22,共5页

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ） 和Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 研究了用于电子封装的以Ｄｙ２Ｏ３ 、ＣａＯ 为添加剂的ＡｌＮ 和以堇青石、ＢａＣＯ３ 为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分，尤其是表面杂质，并利用ＳＩＭＳ 尝试... 利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ） 和Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 研究了用于电子封装的以Ｄｙ２Ｏ３ 、ＣａＯ 为添加剂的ＡｌＮ 和以堇青石、ＢａＣＯ３ 为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分，尤其是表面杂质，并利用ＳＩＭＳ 尝试探讨了ＡｌＮ 表面热氧化问题。结果表明，ＡｌＮ 和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Ｌｉ、Ｃ、Ｆ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｌ、Ｔｉ、Ｒｂ 等杂质元素的污染；ＡｌＮ 表面存在富Ｏ 层，在空气中经过８５０ ℃１０ 分钟退火后，富Ｏ 层明显展宽。 展开更多

关键词 氮化铝 莫来石 SIMS XRD 陶瓷 衬底 封装

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Cr-AlN界面的二次离子质谱研究

11

作者 岳瑞峰 王佑祥 陈春华 《分析测试学报》 CAS CSCD 1999年第3期5-7,共3页

采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的氮化铝（ＡｌＮ）陶瓷衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ膜，并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＋－ＳＩＭＳ技术（在Ｃｓ＋一次离子轰击下检测ＭＣｓ＋型二次离子）对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分... 采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的氮化铝（ＡｌＮ）陶瓷衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ膜，并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＋－ＳＩＭＳ技术（在Ｃｓ＋一次离子轰击下检测ＭＣｓ＋型二次离子）对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。结果表明，ＭＣｓ＋－ＳＩＭＳ技术是研究金属－陶瓷界面扩散与反应的有效方法。 展开更多

关键词 界面 二次离子质谱 氮化铝陶瓷 铬薄膜 沉积

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氧在GaAs／GaInP／AlGaInP中的SIMS分析

12

作者 陈春华 王佐祥 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期116-120,共5页

用ＳＩＭＳ对用于可见光激光器研制的ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰，不仅清晰地展示出这种材料系统的结构，而且对非有意掺入的有害杂质氧进行监测，及时发现了工艺系统中的气和源... 用ＳＩＭＳ对用于可见光激光器研制的ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰，不仅清晰地展示出这种材料系统的结构，而且对非有意掺入的有害杂质氧进行监测，及时发现了工艺系统中的气和源的质量问题。对在不同实验条件下制备的多批样品的ＳＩＭＳ分析表明，氧含量的判别在一个数量级以上，氧含量的高低直接影响激光器的性能指标和寿命。为改进工艺和源的质量提供了可靠的依据。 展开更多

关键词 SIMS分析 砷化镓 结构材料 氧含量 镓铟磷

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用逐层淀积法制备a－Si∶H薄膜

13

作者 潘广勤 廖显伯 +2 位作者 王燕 刁宏伟 孔光临 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期77-79,共3页

本文用逐层淀积法制备了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，研究了生长速率、子层厚度及氢等离子体处理对薄膜性质的影响，结果指出：不同条件下的氢等离子体处理不仅可以使淀积的样品发生从非晶到微晶的相变，而且可以使费米能级的位置向上或者向下移... 本文用逐层淀积法制备了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，研究了生长速率、子层厚度及氢等离子体处理对薄膜性质的影响，结果指出：不同条件下的氢等离子体处理不仅可以使淀积的样品发生从非晶到微晶的相变，而且可以使费米能级的位置向上或者向下移动，在较低的淀积速率及较小的子层厚度下淀积，并配合以适度的氢等离子体处理，可以得到具有较高光电灵敏度及稳定性的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。 展开更多

关键词 氢等离子体处理 稳定性 薄膜

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