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基于二苯并吩嗪衍生物受体的D-A型聚合物的制备与应用研究
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作者 段美琳 闫雨琪 +7 位作者 白兰 武超 曹宇 李敏 李洁 王华 赵建文 梁学磊 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期12007-12015,共9页
共轭聚合物(CPs)包裹的半导体单壁碳纳米管(s-SWCNT)可作为薄膜晶体管(TFT)中的沟道材料,并且具有高电荷迁移率和良好的光电响应特性,在人工智能中显示出巨大的发展潜力。通过改变二苯并吩嗪衍生物与咔唑的连接位点,构建了两种不同主链... 共轭聚合物(CPs)包裹的半导体单壁碳纳米管(s-SWCNT)可作为薄膜晶体管(TFT)中的沟道材料,并且具有高电荷迁移率和良好的光电响应特性,在人工智能中显示出巨大的发展潜力。通过改变二苯并吩嗪衍生物与咔唑的连接位点,构建了两种不同主链构型的CPs,分别为10Th-oCz-2,7-PM15和10Th-oCz-3,6-PM15。其中,由于10Th-oCz-2,7-PM15的平面共轭结构显示出与s-SWCNT更好的包裹效果。最终,基于10Th-oCz-2,7-PM15包裹的s-SWCNT制备的TFT器件具有更好的性能,例如,更高的电荷迁移率(10.58 cm^(2)/V·s)以及更大的开/关比(10^(6))。因此,CPs的构型会影响对s-SWCNT的包裹效果,从而影响TFT的性能。 展开更多
关键词 共轭聚合物 薄膜晶体管 电荷迁移率 光电响应 二苯并吩嗪衍生物
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封装对聚合物太阳能电池性能和稳定性的影响 被引量:2
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作者 王亚玲 闫翎鹏 +4 位作者 董海亮 韩云飞 杨永珍 马昌期 许并社 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期398-405,共8页
为了提高有机光伏器件的寿命,通常采用封装技术来限制太阳能电池在水氧中的暴露程度。尽管聚合物太阳能电池(organic solar cells,OSCs)封装领域的相关研究已取得系列进展,但文献中很少研究封装过程带来的损伤。以经典的聚-3已基噻吩为... 为了提高有机光伏器件的寿命,通常采用封装技术来限制太阳能电池在水氧中的暴露程度。尽管聚合物太阳能电池(organic solar cells,OSCs)封装领域的相关研究已取得系列进展,但文献中很少研究封装过程带来的损伤。以经典的聚-3已基噻吩为给体,[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯为受体,通过将哌嗪作为第三组分提高器件稳定性,以氧化锌(ZnO)和三氧化钼(MoO_(3))为传输层材料制备倒置结构OSCs,系统考察大规模卷对卷器件封装中常用的紫外线(ultraviolet,UV)固化粘合剂对器件光电转化效率和稳定性的影响。结果表明,随着辐照时间的延长,UV胶封装器件的性能(开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转化效率)呈持续下降趋势,更换MoO_(3)/Al电极后老化器件性能恢复,证实MoO_(3)/Al界面破坏是器件性能衰减的重要原因。激光束诱导电流成像显示UV胶封装出现由边缘向中心的失效过程。据此,提出如下的降解机理:UV胶中的光引发剂在紫外光照射下会产生强的质子酸,产生的质子酸与MoO_(3)发生反应,阻碍了空穴的有效传输,最终使得器件效率大幅度下降。此外,还开发出一种有效的OSCs器件用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜封装工艺。本研究指出了UV胶固化粘合剂封装工艺的问题,同时也为提高聚合物太阳能电池的稳定性提供了新策略。 展开更多
关键词 封装 聚合物太阳能电池 UV胶 三氧化钼 乙烯-醋酸乙烯酯共聚物
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基于喷墨打印的In_2O_3/IGZO TFT的电学性能
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作者 梁坤 邵霜霜 +3 位作者 罗慢慢 谢建军 赵建文 崔铮 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期349-355,共7页
利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面... 利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。 展开更多
关键词 非晶铟镓锌氧化物(IGZO) 喷墨打印 IN2O3 异质结沟道层 薄膜晶体管(TFT)
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