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可调谐MEMS-VCSEL微桥梁制备及其应力的影响
1
作者
朱鲁江
孙玉润
+2 位作者
张琪
于淑珍
董建荣
《半导体技术》
北大核心
2025年第6期589-594,共6页
针对微电子机械系统(MEMS)的垂直腔面发射激光器(VCSEL)中静电驱动微桥梁结构制备工艺开展研究,旨在制备平直的悬空微桥梁结构,并通过工艺优化提高其可靠性。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法刻蚀Ge牺牲层,这种方法既能够防止湿法腐...
针对微电子机械系统(MEMS)的垂直腔面发射激光器(VCSEL)中静电驱动微桥梁结构制备工艺开展研究,旨在制备平直的悬空微桥梁结构,并通过工艺优化提高其可靠性。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法刻蚀Ge牺牲层,这种方法既能够防止湿法腐蚀横向刻蚀过多,还可以提高Ge和底部电极Ti的刻蚀比。通过XeF_(2)气体干法刻蚀去除剩余的Ge以释放微桥梁结构,避免湿法腐蚀释放造成的微桥梁结构与衬底粘附问题,测试结果表明XeF_(2)横向腐蚀Ge的速率高达150μm/min。此外,选用SiNx介质作为微桥梁结构层,并通过优化等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺条件调控薄膜应力为低张应力,解决了残余应力导致的微桥梁结构弯曲和断裂问题,制备了平直的悬空微桥梁结构。
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关键词
微电子机械系统(MEMS)
微桥梁结构
Ge刻蚀
XeF_(2)干法刻蚀
残余应力
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职称材料
高输出电压1310 nm激光电池
2
作者
付建鑫
孙玉润
+1 位作者
于淑珍
董建荣
《半导体技术》
北大核心
2025年第6期574-580,共7页
激光电池(LPC)是激光传能系统中的关键组件,可将激光能量转换为电能。为解决当前1310 nm波长多结激光电池存在的输出电压偏低问题,设计并采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术制备了受光面直径为2 mm的十结InGaAsP 1310 nm激光电池,...
激光电池(LPC)是激光传能系统中的关键组件,可将激光能量转换为电能。为解决当前1310 nm波长多结激光电池存在的输出电压偏低问题,设计并采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术制备了受光面直径为2 mm的十结InGaAsP 1310 nm激光电池,采用无光学吸收损耗的p^(++)-InAlAs/n^(++)-InP隧道结连接各子电池。研究了该激光电池在不同激光功率和温度下的电流-电压(I-V)特性,室温(25±2)℃下,其开路电压达到5.82 V,入射光功率为1.54 W时光电转换效率达到30.33%。结果表明多结激光电池I-V特性曲线中开路电压点附近的非线性特性是由背面不良欧姆接触所致。
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关键词
激光电池(LPC)
1310
nm
多结
高输出电压
INGAASP
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职称材料
题名
可调谐MEMS-VCSEL微桥梁制备及其应力的影响
1
作者
朱鲁江
孙玉润
张琪
于淑珍
董建荣
机构
中国科
学
技术
大学
纳米技术
与纳米
仿生
学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所半导体显示材料与芯片重点实验室
中国科
学
技术
大学
纳米
科学
技术
学院
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第6期589-594,共6页
文摘
针对微电子机械系统(MEMS)的垂直腔面发射激光器(VCSEL)中静电驱动微桥梁结构制备工艺开展研究,旨在制备平直的悬空微桥梁结构,并通过工艺优化提高其可靠性。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法刻蚀Ge牺牲层,这种方法既能够防止湿法腐蚀横向刻蚀过多,还可以提高Ge和底部电极Ti的刻蚀比。通过XeF_(2)气体干法刻蚀去除剩余的Ge以释放微桥梁结构,避免湿法腐蚀释放造成的微桥梁结构与衬底粘附问题,测试结果表明XeF_(2)横向腐蚀Ge的速率高达150μm/min。此外,选用SiNx介质作为微桥梁结构层,并通过优化等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺条件调控薄膜应力为低张应力,解决了残余应力导致的微桥梁结构弯曲和断裂问题,制备了平直的悬空微桥梁结构。
关键词
微电子机械系统(MEMS)
微桥梁结构
Ge刻蚀
XeF_(2)干法刻蚀
残余应力
Keywords
micro-electromechanical system(MEMS)
microbridge structure
Ge etching
XeF_(2)
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高输出电压1310 nm激光电池
2
作者
付建鑫
孙玉润
于淑珍
董建荣
机构
中国科
学
技术
大学
纳米技术
与纳米
仿生
学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所半导体显示材料与芯片重点实验室
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第6期574-580,共7页
基金
国家自然科学基金(62275262)。
文摘
激光电池(LPC)是激光传能系统中的关键组件,可将激光能量转换为电能。为解决当前1310 nm波长多结激光电池存在的输出电压偏低问题,设计并采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术制备了受光面直径为2 mm的十结InGaAsP 1310 nm激光电池,采用无光学吸收损耗的p^(++)-InAlAs/n^(++)-InP隧道结连接各子电池。研究了该激光电池在不同激光功率和温度下的电流-电压(I-V)特性,室温(25±2)℃下,其开路电压达到5.82 V,入射光功率为1.54 W时光电转换效率达到30.33%。结果表明多结激光电池I-V特性曲线中开路电压点附近的非线性特性是由背面不良欧姆接触所致。
关键词
激光电池(LPC)
1310
nm
多结
高输出电压
INGAASP
Keywords
laser power converter(LPC)
1310 nm
multi-junction
high output voltage
InGaAsP
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
可调谐MEMS-VCSEL微桥梁制备及其应力的影响
朱鲁江
孙玉润
张琪
于淑珍
董建荣
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
高输出电压1310 nm激光电池
付建鑫
孙玉润
于淑珍
董建荣
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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