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碳纳米管光热治疗应用最新研究进展
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作者 纪其燕 张登松 +2 位作者 金赫华 李红波 李清文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期22-29,共8页
在肿瘤治疗领域中,热疗处于举足轻重的地位,而在众多的光热纳米材料中,碳纳米管(CNTs)能够同时用于光热成像和光热治疗,因而引起了广泛的兴趣,成为研究热点。主要综述了近年来碳纳米管用于光热治疗的研究进展,强调了其在肿瘤治疗方面的... 在肿瘤治疗领域中,热疗处于举足轻重的地位,而在众多的光热纳米材料中,碳纳米管(CNTs)能够同时用于光热成像和光热治疗,因而引起了广泛的兴趣,成为研究热点。主要综述了近年来碳纳米管用于光热治疗的研究进展,强调了其在肿瘤治疗方面的选择性及高效性,并对未来的发展做出展望。 展开更多
关键词 肿瘤 治疗 光热 碳纳米管
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基于溶液法的单壁碳纳米管水平取向排列研究进展 被引量:1
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作者 张小品 邱松 +2 位作者 张兆春 金赫华 李清文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期418-425,共8页
单壁碳纳米管(SWCNTs)以其优异的物理、化学及电学性质,在微纳米电子器件领域表现出巨大的应用前景。作为典型的一维纳米材料,SWCNTs呈现出随结构变化的不同导电属性和手性的多样性。然而,通常直接生长制备的SWCNTs是金属性和半导体性... 单壁碳纳米管(SWCNTs)以其优异的物理、化学及电学性质,在微纳米电子器件领域表现出巨大的应用前景。作为典型的一维纳米材料,SWCNTs呈现出随结构变化的不同导电属性和手性的多样性。然而,通常直接生长制备的SWCNTs是金属性和半导体性碳纳米管的混合物或不同手性结构的混合体,这在很大程度上限制了SWCNTs在电子器件领域中的实际应用。因此,首先需要精细分离出单一导电属性或单一手性的SWCNTs,以满足制作高性能碳纳米管器件的要求。此外,SWCNTs的一维特性使其在性能上显示出极其显著的各向异性,即大部分情况下其轴向性能要优于径向性能。因而,对于SWCNTs的进一步应用来说,其取向排列问题也显得尤为重要。基于上述两个方面的因素,近年来,直接生长后经分散分离处理的SWCNTs通过外界作用力实现其取向排布的方法(即基于溶液法的后排列的方法),引起了研究者们的极大关注。基于溶液法的SWCNTs取向排列方法,需要首先通过表面活性剂或小芳香分子、大环共轭物、核酸、多肽等生物分子的物理吸附或化学修饰来实现SWCNTs的分散及分离,然后结合各种物理、化学方法实现其水平取向排列。随着学者们研究的不断深入,迄今已报道了一些能够实现SWCNTs水平取向排列的简单易行的方法,包括剪切力诱导法、溶剂蒸发自组装法、Langmuir-Blodgett和Langmuir-Schaefer法、化学自组装法、真空过滤法、电磁场诱导法和模板法以及上述两种或几种方法的组合等。但是以上方法在大多数情况下依然存在比较严重的缺陷,如取向过程受分散体系的影响严重,分散及分离过程中会引入表面活性剂、聚合物分散剂等外来杂质并对后续器件制作造成不良影响,以及取向排列面积小、取向效果不理想等。因此,高性能碳纳米管器件的应用不仅需要取向碳纳米管的直径均匀、手性单一,而且需要高度取向、大面积以及取向密度均匀可控,这些仍是亟待解决的巨大的挑战。本文从不同分散体系中SWCNTs的水平取向排列原理出发,在对当前碳纳米管水平取向方法进行了分类的基础上,阐述了各种方法的研究进展现状,比较了其优缺点,并对其今后的研究与发展方向做出了展望。 展开更多
关键词 SWCNTS 水平取向排列 溶液法
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二维电子气等离激元太赫兹波器件 被引量:13
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作者 秦华 黄永丹 +4 位作者 孙建东 张志鹏 余耀 李想 孙云飞 《中国光学》 EI CAS CSCD 2017年第1期51-67,共17页
固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器、调制器和光源... 固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器、调制器和光源中应用的近期研究进展。通过光栅和太赫兹天线实现自由空间太赫兹波与二维电子气等离激元的耦合,通过太赫兹法布里-珀罗谐振腔进一步调制太赫兹波模式,增强太赫兹波与等离激元的耦合强度。在光栅-谐振腔耦合的二维电子气中验证了场效应栅控的等离激元色散关系,实现了等离激元模式与太赫兹波腔模强耦合产生的等离极化激元模式,演示了太赫兹波的调制和发射。在太赫兹天线耦合二维电子气中实现了等离激元共振与非共振的太赫兹波探测,建立了太赫兹场效应混频探测的物理模型,指导了室温高灵敏度自混频探测器的设计与优化。研究表明,基于非共振等离激元激发可发展形成室温高速高灵敏度的太赫兹探测器及其焦平面阵列技术。然而,固态等离激元的高损耗特性仍是制约基于等离激元共振的高效太赫兹光源和调制器的主要瓶颈。未来的研究重点将围绕高品质因子等离激元谐振腔的构筑,包括固态等离激元物理、等离激元谐振腔边界的调控、新型室温高迁移率二维电子材料的运用和高品质太赫兹谐振腔与等离激元器件的集成等。 展开更多
关键词 二维电子气 等离激元 太赫兹 氮化镓
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高能可充放电锂电池阴极材料的研究进展:从锂离子电池到锂-硫电池
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作者 刘景海 刘雪云 +6 位作者 徐秀廷 陈晓红 许良 段莉梅 陈韦 刘立伟 刘宗瑞 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期6-8,共3页
高能、长循环寿命和高充放电速率的阴极材料是限制发展静态稳定电能存储和动力电源用先进锂电池的关键材料问题。基于脱嵌锂过程的层状锂过渡金属氧化物、过渡金属磷酸锂和富锂氧化物的阴极材料的容量发展遇到了瓶颈,因此探索基于新电... 高能、长循环寿命和高充放电速率的阴极材料是限制发展静态稳定电能存储和动力电源用先进锂电池的关键材料问题。基于脱嵌锂过程的层状锂过渡金属氧化物、过渡金属磷酸锂和富锂氧化物的阴极材料的容量发展遇到了瓶颈,因此探索基于新电化学过程的新型高容量阴极材料的研究非常重要。基于硫(S)和Li2S的阴极材料具有高的理论容量(1673mA h g-1和1166mA h g-1),成为发展高容量和高能锂离子电池阴极材料研究的重点。综述了解决硫阴极材料面临的电子和锂离子传导能力差、充放电过程中可溶性硫的溶解及体积变化等关键科学问题的新思路和新方法,为发展新型硫阴极材料提供参考和启发。 展开更多
关键词 锂电池 阴极材料 高容量 长循环寿命 快速充放电速率
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基于AlGaN/GaN HEMT外差探测器的太赫兹线阵列矢量探测系统 被引量:2
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作者 王凯出 丁青峰 +7 位作者 周奇 蔡昕航 张金峰 朱凯强 翟振钧 孙厚军 王林军 秦华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期166-175,共10页
为了研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)外差探测器应用于太赫兹来波方向(Direction of Arrival,DOA)估计领域的可行性及量化性能指标,基于AlGaN/GaN HEMT 243GHz外差探测器搭建了太赫兹波线阵... 为了研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)外差探测器应用于太赫兹来波方向(Direction of Arrival,DOA)估计领域的可行性及量化性能指标,基于AlGaN/GaN HEMT 243GHz外差探测器搭建了太赫兹波线阵列矢量探测系统,实现了太赫兹连续波的相位分布和来波方向的测量。该系统的核心器件为准光-波导耦合的太赫兹外差探测器线阵列组件,阵元平均噪声等效功率(Noise-Equivalent-Power,NEP)为-123.89dBm/Hz。通过测试,表明该系统相位解析稳定度优于0.6°,线阵列组件法线(阵列芯片的垂线)方向左右11°以内的太赫兹来波方向的检测误差小于0.25°。讨论了存在误差的原因及可能的解决方案,为后续基于AlGaN/GaN HEMT面阵列的太赫兹相控阵雷达及定向通信系统的研制提供了基础。 展开更多
关键词 太赫兹来波方向(DOA)估计 阵列混频器 外差(相干)探测 氮化镓HEMT
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基于AlGaN/GaN场效应晶体管的太赫兹焦平面成像传感器 被引量:13
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作者 罗木昌 孙建东 +9 位作者 张志鹏 李想 申志辉 王颖 陈红兵 董绪丰 张金峰 陈扬 周建勇 秦华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第3期234-239,共6页
太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成... 太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成像传感器由探测器阵列芯片和CMOS读出电路通过倒装互连实现,阵列规模达到32×32。探测器阵列中具有对管差分功能的像元设计通过提高探测器的电压响应度和抑制共模电压噪声,提高了焦平面成像的灵敏度。焦平面成像传感器的输出模拟信号通过片外的模数转换(ADC)芯片转化为数字信号,由现场可编程门阵列(FPGA)采集后通过Camera Link图像数据与通信接口发送到计算机。利用该焦平面成像传感器,演示实现了太赫兹光斑、太赫兹干涉环和太赫兹光照下的旋转塑料叶片的视频成像,帧频达到30 Hz。 展开更多
关键词 太赫兹自混频探测器 高电子迁移率晶体管 CMOS读出电路 焦平面成像
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4.2K硅辐射热太赫兹探测器的响应度校准(英文) 被引量:1
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作者 郑中信 余耀 +4 位作者 孙建东 李欣幸 秦华 涂学凑 陈健 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期76-82,共7页
提出一种基于标准黑体辐射源对宽谱太赫兹探测器进行响应度定标的方法.该方法包含一个直线型校准装置、两个定标流程和相应的模拟程序.考虑实验室温度、湿度和低通滤波器的透射特性,用该方法实现了4.2K硅辐射热太赫兹探测器的响应度定标... 提出一种基于标准黑体辐射源对宽谱太赫兹探测器进行响应度定标的方法.该方法包含一个直线型校准装置、两个定标流程和相应的模拟程序.考虑实验室温度、湿度和低通滤波器的透射特性,用该方法实现了4.2K硅辐射热太赫兹探测器的响应度定标.对黑体辐射的傅里叶变换光谱进行测试,验证了定标程序和定标结果.分析定位了定标装置的三种主要误差来源,并提出相应的改进措施.所提定标方法适用于热释电太赫兹探测器、微型辐射热太赫兹探测器等宽谱太赫兹探测器的响应度定标. 展开更多
关键词 太赫兹 探测器 响应度 黑体 滤波器 水汽吸收
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