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掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究 被引量:5
1
作者 居建华 夏义本 +6 位作者 张伟丽 王林军 史为民 黄志明 李志锋 郑国珍 汤定元 《应用科学学报》 CAS CSCD 2001年第2期173-177,共5页
采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备 ,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究 .结果表明 ,薄膜中氮含量随工艺中氮气 /甲烷流... 采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备 ,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究 .结果表明 ,薄膜中氮含量随工艺中氮气 /甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和 .光谱中 CH键吸收峰 (2 85 9~ 310 0 cm- 1 )逐渐消失 ,而且 CNH键(16 0 0 cm- 1 )、C≡ N键 (2 2 0 0 cm- 1 )和 NH键 (32 5 0 cm- 1 )对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加 .拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构 ,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应 .偏振光谱分析认为 ,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由 1.8降低到 1. 展开更多
关键词 掺氮类金刚石薄膜 微观结构 红外光学性能 化学沉积 非晶氮化碳 富氮纳米颗粒
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非致冷钛酸锶钡铁电薄膜红外探测器 被引量:8
2
作者 唐军 程建功 褚君浩 《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期26-29,共4页
采用半导体微机械 (Micro Electro MechanicalSystem ,MEMS)技术制备了具有热隔离微桥的 8× 8元非致冷Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 薄膜红外探测器列阵原型器件。热释电性能优良的Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 薄膜是使用浓度为 0 .0 5M的前躯体溶液... 采用半导体微机械 (Micro Electro MechanicalSystem ,MEMS)技术制备了具有热隔离微桥的 8× 8元非致冷Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 薄膜红外探测器列阵原型器件。热释电性能优良的Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 薄膜是使用浓度为 0 .0 5M的前躯体溶液、采用Sol Gel制备的。在 5~ 30℃的温度范围内 ,Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 薄膜的热释电系数大于 2 0nC cm2 K ,在 16 .8℃处达到最大值 4 1.3nC cm2 K。在 19℃的环境温度下 ,使用 5 0 0K黑体作为红外辐射源 ,测得 10Hz调制频率下 ,探测单元的探测率D 为 5 .9× 10 7cmHz1 2 W-1。 展开更多
关键词 铁电薄膜 红外探测器 非致冷钛酸锶钦
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BST铁电薄膜非制冷红外探测器热成像应用 被引量:4
3
作者 唐军 程建功 +1 位作者 褚君浩 郁启华 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期18-21,33,共5页
报道了基于Ba0 .8Sr0 .2 TiO3薄膜的红外探测器列阵原型器件 ,并通过将探测器器件与光学机械扫描器、红外图象采集卡、信号处理电路、热像仪系统软件和热像记录装置等组合形成整机系统 ,采用单元扫描方式 ,获得了目标物体的热图像。制... 报道了基于Ba0 .8Sr0 .2 TiO3薄膜的红外探测器列阵原型器件 ,并通过将探测器器件与光学机械扫描器、红外图象采集卡、信号处理电路、热像仪系统软件和热像记录装置等组合形成整机系统 ,采用单元扫描方式 ,获得了目标物体的热图像。制作器件的Ba0 .8Sr0 .2 TiO3薄膜是使用浓度为 0 .0 5M的前躯体溶液、采用溶胶 凝胶法制备的。对Ba0 .8Sr0 .2 TiO3薄膜材料的测试结果表明 ,在 5~ 30℃的温度范围内 ,Ba0 .8Sr0 .2 TiO3薄膜的热释电系数大于 2 0nC/cm2 K ,在 16℃处达到最大值 4 1.3nC/cm2 K。在 2 3℃的环境温度下 ,使用 10 0 0K的标准黑体和 35Hz的调制频率 ,测得探测器列阵探测单元的探测率D 为 2 .3× 10 8cmHz1/2 W- 1。 展开更多
关键词 BaxSr-1xTiO3薄膜 热释电性能 红外探测器列阵 红外热图像
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稀土(Er)与氧(O)共掺GaAs(Er,O)的红外吸收谱研究 被引量:1
4
作者 雷红兵 周必忠 +1 位作者 陈张海 唐文国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期56-60,共5页
用傅里叶变换红外吸收谱和透射谱(FTIR),在77K和300K温度下测量研究用双离子注入法配合优化热退火处理制成的GaAsEr,O发光材料的光吸收特性及杂质缺陷行为,观测到该材料中存在3种吸收峰并作了指认,分析了这些... 用傅里叶变换红外吸收谱和透射谱(FTIR),在77K和300K温度下测量研究用双离子注入法配合优化热退火处理制成的GaAsEr,O发光材料的光吸收特性及杂质缺陷行为,观测到该材料中存在3种吸收峰并作了指认,分析了这些吸收峰与材料的离子注入及退火的关系,给出杂质和缺陷对材料GaAs(Er。 展开更多
关键词 砷化镓 红外吸收光谱 红外透射光谱
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准二维电子系统的远红外栅压比谱 被引量:1
5
作者 胡灿明 陈张海 +5 位作者 史国良 陆卫 张波 石晓红 刘普霖 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期114-120,共7页
讨论应用快扫描傅里叶变换光谱仪研究异质结表面及量子阱中二维电子气的高频动力学性质,利用制备有金属栅极的异质结样品的肖特基场效应特性,通过光谱仪控制栅压门电源交替选择栅压扫描,获得了二维电子气的吸收栅压比谱,由此观察到... 讨论应用快扫描傅里叶变换光谱仪研究异质结表面及量子阱中二维电子气的高频动力学性质,利用制备有金属栅极的异质结样品的肖特基场效应特性,通过光谱仪控制栅压门电源交替选择栅压扫描,获得了二维电子气的吸收栅压比谱,由此观察到该低维系统的几类基本红外激发,包括回旋共振。 展开更多
关键词 二维电子气 红外激发 异质结 半导体
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浅谈现代战斗机的红外隐身技术 被引量:8
6
作者 蔡毅 《红外技术》 CSCD 1994年第6期6-10,共5页
雷达隐身技术、电子战、红外探测技术和战斗机高机动性等因素使红外隐身技术变得更为重要。本文讨论了现代战斗机的红外隐身技术。目前在现代战斗机上采取的红外隐身措施,主要是综合使用冷却、屏蔽、遮挡和红外隐身涂料等技术手段,达... 雷达隐身技术、电子战、红外探测技术和战斗机高机动性等因素使红外隐身技术变得更为重要。本文讨论了现代战斗机的红外隐身技术。目前在现代战斗机上采取的红外隐身措施,主要是综合使用冷却、屏蔽、遮挡和红外隐身涂料等技术手段,达到消除或模糊目标与背景之间的温差,降低目标红外辐射的强度和亮度,限制目标红外辐射的方向等目的。这些隐身措施对减小现代战斗机的红外辐射特性有一定的作用,其作用大小与战斗机的用途和性能有关;但因战斗机需大功率发动机和高速飞行,一般说来目标的红外辐射特性仍是相当明显。 展开更多
关键词 歼击机 红外隐身 红外探测器
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Ⅱ-Ⅵ族半导体远红外反射光谱与电学参量
7
作者 李标 褚君浩 +5 位作者 叶红娟 蒋伟 汤定元 王善忠 姬荣斌 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期137-141,共5页
测量了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料Hg1-xCdxTe、ZnSe等的远红外反射光谱,拟合得到样品的载流子浓度、迁移率。
关键词 Ⅱ-Ⅵ族 半导体 远红外反射光谱 电学参数
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非完整红外反射光谱中介电函数推算方法的改进
8
作者 陆卫 穆耀明 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期17-20,共4页
报道了谐振子模型和Kramers-Kronig关系相结合在晶体长波光学声子红外反射光谱上的应用。
关键词 谐振子模型 K-K关系 介电函数 红外反射光谱
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红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度 被引量:2
9
作者 梁帮立 夏冠群 +2 位作者 黄志明 范叔平 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期188-190,共3页
采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 .根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效应确定了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品的... 采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 .根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效应确定了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品的禁带宽度 ,并发现在组分 x=0 .2~ 0 .3之间禁带宽度随组分 x近似于线性变化 . 展开更多
关键词 半导体材料 红外椭圆偏振光谱 禁带宽度
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GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气的回旋共振研究 被引量:2
10
作者 陈张海 胡灿明 +5 位作者 刘普霖 史国良 陆卫 张波 石晓红 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期107-113,共7页
采用栅压比谱的方法,研究了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2DEG)的回旋共振。观察到由于子能带-朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为.由回旋共振频率ωc确定了子能带电子的回旋共振有效质量m*... 采用栅压比谱的方法,研究了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2DEG)的回旋共振。观察到由于子能带-朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为.由回旋共振频率ωc确定了子能带电子的回旋共振有效质量m*,通过对共振峰线形的拟合,获得二维电子气浓度Ns、电子散射时间τ和迁移率μ.由子能带-朗道能级的共振耦合测量了不同栅压下的多个子能带间的能量间距. 展开更多
关键词 异质结 二维电子气 回旋共振 砷化镓 能带
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半导体量子点的尺寸分布对其荧光的影响 被引量:2
11
作者 陈效双 刘兴权 +1 位作者 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-85,共5页
基于量子局域模型,用类似Kane平均场方法和Lifshitz几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱.对直径为d的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述,研究表明:光荧光谱的线型在短波边不对称,与实验观测一致;尺寸服... 基于量子局域模型,用类似Kane平均场方法和Lifshitz几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱.对直径为d的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述,研究表明:光荧光谱的线型在短波边不对称,与实验观测一致;尺寸服从一定的分布导致光荧光峰红移,可用于获得表观激子束缚能; 展开更多
关键词 半导体量子点 光荧光 尺寸分布
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铁电半导体SnTe的晶格动力学 被引量:2
12
作者 刘平 徐文兰 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期75-77,共3页
用刚性离子模型研究了铁电半导体SnTe的晶格动力学,计及电子屏蔽作用对长程库仑作用的修正。
关键词 铁电半导体 碲化锡 晶格动力学
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表面固定电荷对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响 被引量:1
13
作者 桂永胜 郑国珍 +2 位作者 褚君浩 郭少令 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期121-125,共5页
研究了表面固定电荷密度对HgCdTe光导探测器性能的影响,计算结果表明,表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响,选择合适的钝化工艺,控制表面固定电荷密度。
关键词 HGCDTE 光导探测器 电压响应 光电子器件
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碲镉汞小晶片中缺陷的X射线形貌相检测 被引量:3
14
作者 蔡毅 郑国珍 汤定元 《红外技术》 CSCD 1993年第6期5-8,共4页
用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的... 用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的X射线光源上,用劳厄透射形貌术能以20μm的分辨率无损检测用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片中的晶体缺陷;在不良的器件工艺中,小晶片的晶格会受到明显的损伤,严重地影响了小晶片的电学参数和多元线列探测器的性能。 展开更多
关键词 碲镉汞小晶片 晶体缺陷 X射线形貌相
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Cu^(2+)对luminol-碱性水溶液声致荧光的影响 被引量:2
15
作者 李化茂 罗序中 +4 位作者 谢锦平 吕家鸿 常勇 于剑 冯若 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期57-60,共4页
实验表明 ,Cu2 + 增强了 luminol-Na OH水溶液和 luminol-Ca( OH) 2 水溶液的声致荧光强度 ,并使这两种水溶液的最大声致荧光峰分别发生了 6nm和 9nm的红移 ;Cu2 + 减弱了 luminol-Na2 CO3 水溶液的声致荧光强度 ,并使其最大声致荧光峰... 实验表明 ,Cu2 + 增强了 luminol-Na OH水溶液和 luminol-Ca( OH) 2 水溶液的声致荧光强度 ,并使这两种水溶液的最大声致荧光峰分别发生了 6nm和 9nm的红移 ;Cu2 + 减弱了 luminol-Na2 CO3 水溶液的声致荧光强度 ,并使其最大声致荧光峰发生了 5nm的蓝移 ;但是 ,Cu2 + 并未对上述三种溶液的声致荧光的发射波长范围 3 70~ 750 nm产生明显影响。上述结果至少可以证明 ,这三种 luminol-碱性水溶液或许能成为一类声致荧光发光体系而用于检测 Cu2 + ,甚至其他离子。 展开更多
关键词 luminol-碱性水溶液 声致荧光 铜离子
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n型AlAs/GaAlAs量子阱子带间正入射吸收跃迁振子强度 被引量:1
16
作者 徐文兰 傅英 M.Wilander 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期86-92,共7页
对n型电子有效质量各向异性半导体量子阱,给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式.这种子带间的跃迁有束缚基态到束缚的激发态的,有束缚基态到扩展的激发态的.以AlAs/GaAlAs为例研究了量子阱生长方向。
关键词 量子阱 红外材料 正入射吸收 振动强度 半导体
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Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究
17
作者 杨宇 黄醒良 +5 位作者 刘晓晗 黄大鸣 蒋最敏 龚大卫 张翔九 赵国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期285-292,共8页
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料.发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估.背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应... 采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料.发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估.背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好.低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合.并讨论了生长温度对量于阱发光的影响. 展开更多
关键词 分子束外延 量子阱 发光材料 反常沟道效应
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量子台阶上准束缚电子能态光学性质研究
18
作者 陆卫 穆耀明 +5 位作者 刘兴权 陈效双 万明芳 李宁 窦红飞 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期333-337,共5页
给出量子台阶上准束缚电子能态间的跃迁特性,通过理论计算模型中等效电子波函数相干长度对量子台阶光学特性的影响,提出一种对电子波函数相干长度行为的实验研究途径.
关键词 量子台阶 电子能态 电子波函数 光学特性
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Ni丝的自电热升华镀膜及其机理研究
19
作者 黄醒良 方晓明 +1 位作者 沈学础 袁诗鑫 《红外技术》 CSCD 1993年第5期3-7,共5页
讨论了Ni丝自电热升华镀Ni的机理,测定了Φ0.5mmNi丝的升华速率α_V(I′),并讨论了Ni丝镀膜的控制工艺;最后测定了Ni丝的自电热电阻R(I′)和小电流下的变温电阻R(T)。
关键词 真空镀镍 变温电阻 红外材料 调速
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HgGdTe子能带电子的磁光共振
20
作者 褚君浩 沈学础 +1 位作者 R.Sizmann F.Koch 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期44-50,共7页
报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10^(17)cm^(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋... 报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10^(17)cm^(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋共振。定量地证明了窄禁带半导体量子阱子能带朗道能级的移动和交叉效应,这一效应起源于表面势的反演不对称所导致的较强的表面电子自旋轨道相互作用。 展开更多
关键词 碲镉汞 子能带 电子 磁光效应
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