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N^+注入对甘草种子萌发和根发育效应及作用机制 被引量:23
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作者 魏胜林 刘竞男 +2 位作者 王陶 张婉 余增亮 《草业学报》 CSCD 2004年第5期112-115,共4页
甘草种子注入25keV,剂量≤4.68×1016个/cm2N+对种子萌发的成活率和根发育表现为刺激效应,更高剂量的N+注入表现出"损伤—修复—损伤"的效应趋势,表明离子注入的能量沉积和动量传递效应产生的自由基伤害与质量沉积和电荷... 甘草种子注入25keV,剂量≤4.68×1016个/cm2N+对种子萌发的成活率和根发育表现为刺激效应,更高剂量的N+注入表现出"损伤—修复—损伤"的效应趋势,表明离子注入的能量沉积和动量传递效应产生的自由基伤害与质量沉积和电荷的中和效应对自由基的清除是一个动态反应过程。25keV,4.68×1016个/cm2N+注入能提高甘草种子萌发成活率,促进根发育,提高幼苗的耐旱特性,可用于沙漠植被甘草种子的前处理。 展开更多
关键词 离子注入 甘草 种子萌发 根发育 耐旱特性
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N^+注入对甘草多糖及耐渗透胁迫的影响 被引量:2
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作者 魏胜林 吴李君 余增亮 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期271-274,共4页
为研究N^+注入对植物耐旱性的影响,实验以甘草为试材,以15%聚乙二醇(Polyethyleneglycol,PEG)为渗透胁迫培养条件,研究不同能量的低能N^+注入对甘草耐渗透胁迫的影响。结果表明,对甘草干种子注入总剂量为4.68x10^(16)/cm^(-2),在15%PEG... 为研究N^+注入对植物耐旱性的影响,实验以甘草为试材,以15%聚乙二醇(Polyethyleneglycol,PEG)为渗透胁迫培养条件,研究不同能量的低能N^+注入对甘草耐渗透胁迫的影响。结果表明,对甘草干种子注入总剂量为4.68x10^(16)/cm^(-2),在15%PEG的渗透胁迫下,20keV的N^+注入与对照相比,甘草株高生长增加40.2%(p<0.01),叶内多糖含量增加84.8%(p<0.01);在渗透胁迫下,株高生长和叶内多糖含量呈极显著正相关(r=0.7166,p<0.01)。这一N^+的注入参数可供提高甘草耐旱性种植,发挥当代刺激效应,对甘草进行离子束注入时参考。 展开更多
关键词 甘草 渗透胁迫 N^+注入 多糖
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