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微束斑RHEED类平行束电子枪设计: 1; 作者赵伟霞史丽娜 +2 位作者刘俊标殷伯华韩立《光学精密工程》北大核心 2025年第12期1876-1888,共13页; 针对高分辨率反射式高能电子衍射仪(RHEED)在微电子制造与表面分析领域的应用需求,而且长工作距离、微束斑、小束半角的电子枪是实现RHEED高分辨检测的关键核心部件,研制了微束斑的RHEED类平行束电子枪,分析了电子枪的电子光学系统特性... 展开更多; 关键词电子光学反射式高能电子衍射电子枪类平行电子束; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于功率芯片封装的瞬态液相扩散连接材料与接头可靠性研究进展被引量：9: 2; 作者刘璇徐红艳 +3 位作者李红徐菊 Hodulova Erika Kovarikova Ingrid 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第19期19116-19124,共9页; 功率半导体由于其工作电压高、电流大、放热量大等特点,已逐渐向小型化、高致密化发展。新一代宽禁带半导体器件因其优异的性能可以提高工作温度和功率密度,展现出较好的应用前景,这对与之匹配的电力封装材料提出了更高的要求。随着工... 展开更多; 关键词瞬态液相扩散连接功率芯片耐高温封装焊料接头可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

微型阵列束闸设计与实验被引量：2: 3; 作者张利新孙博彤 +3 位作者刘星云殷伯华刘俊标韩立《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期2061-2069,共9页; 微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功... 展开更多; 关键词电子束曝光阵列束闸多束电子束串扰偏转速度; 在线阅读下载PDF 职称材料

多束电子源设计与实验: 4; 作者赵伟霞白凌超 +3 位作者张利新刘俊标殷伯华韩立《光学精密工程》北大核心 2025年第5期741-750,共10页; 为了提高扫描电子显微镜等单电子束设备的通量,开发了基于肖特基阴极的多束电子源系统,研究了准直透镜、分束板及微阵列静电透镜的设计方法与制备工艺。根据肖特基阴极发射特性进行了静电准直透镜的设计,仿真计算了准直束的电子光学性... 展开更多; 关键词电子光学多束电子源肖特基发射准直透镜微阵列单电位透镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

磁浸没热场发射电子枪: 5; 作者赵伟霞张利新 +2 位作者刘俊标殷伯华韩立《光学精密工程》北大核心 2025年第11期1700-1712,共13页; 为了提高扫描电镜等设备的探针束流,设计了磁浸没式热场发射电子枪,可对电子枪阴极发射电子进行有效收集,提高有效的发射束流。对磁浸没热场发射电子枪的电子光学特性进行了理论分析,仿真对比了单极靴、双极靴轴向间隙、双极靴径向间隙... 展开更多; 关键词电子光学热场发射电子枪磁浸没透镜双极靴透镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

强韧一体Cu/Sn/Ag致密三维网络状接头结构设计与制备: 6; 作者张宏辉徐红艳 +1 位作者张炜刘璇《半导体技术》北大核心 2025年第6期625-632,共8页; 为满足大功率电力电子器件耐高温、高可靠性芯片焊接需求,解决Cu/Sn/Ag体系瞬态液相扩散焊接(TLPS)接头脆性大、韧性不足、孔隙率高等问题,通过电镀高纯度Cu@Sn核壳结构复合粉末和物理气相沉积镀覆Ag层,研究了Sn镀层厚度对接头强度和孔... 展开更多; 关键词电力电子器件瞬态液相扩散焊接(TLPS) Cu@Sn@Ag复合粉末三维网络状结构耐高温接头; 在线阅读下载PDF 职称材料

热压烧结及轧制工艺对CuCr/CNTs复合材料组织与性能的优化被引量：4: 7; 作者李健左婷婷 +5 位作者薛江丽茹亚东赵兴科高召顺韩立肖立业《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期2078-2085,共8页; 基于电工材料高电导、高强度的发展需求,本工作通过粉末真空热压烧结成功制备出微量Cr元素掺杂的功能化碳纳米管增强铜基复合材料(CuCr/CNTs),系统研究了热压烧结及轧制工艺对复合材料电导率和力学性能的影响。研究发现,在烧结温度为90... 展开更多; 关键词 Cu/CNTs复合材料真空热压烧结轧制界面结构电导率力学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微束斑RHEED类平行束电子枪设计: 1; 作者赵伟霞史丽娜刘俊标殷伯华韩立; 机构中国科学院电工研究所微纳加工技术与智能电气设备研究部中国科学院大学电子电气与通信工程学院; 出处《光学精密工程》北大核心 2025年第12期1876-1888,共13页; 基金中国科学院科研仪器设备研制项目(No.PTYQ2024BJ0004)。; 文摘针对高分辨率反射式高能电子衍射仪(RHEED)在微电子制造与表面分析领域的应用需求,而且长工作距离、微束斑、小束半角的电子枪是实现RHEED高分辨检测的关键核心部件,研制了微束斑的RHEED类平行束电子枪,分析了电子枪的电子光学系统特性,采用电子光学仿真软件仿真设计了低像差聚焦透镜;搭建了实验平台对研制的电子枪进行了束斑直径、束流和束半角性能测试与高定向热解石墨(HOPG)样品的衍射成像测试。实验结果表明:在工作距离500 mm下,RHEED类平行束电子枪的束斑直径为47.1μm(加速电压30 kV),发射束流与束半角分别为144.96μA,0.289 mrad(加速电压15 kV),在HOPG样品上获得了清晰的强度与晶体结构因子相对应的衍射斑点。; 关键词电子光学反射式高能电子衍射电子枪类平行电子束; Keywords electron optics Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED) electron gun quasi-parallel electron beam; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于功率芯片封装的瞬态液相扩散连接材料与接头可靠性研究进展被引量：9: 2; 作者刘璇徐红艳李红徐菊 Hodulova Erika Kovarikova Ingrid; 机构北京工业大学材料科学与工程学院中国科学院电工研究所微纳加工与智能电气设备研究部斯洛伐克工业大学材料科学与技术学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第19期19116-19124,共9页; 基金国家自然科学基金(51777203) 碳基纳米材料北京市国际科技合作基地项目 2021年度北京工业大学国际科研合作种子基金项目(A14)。; 文摘功率半导体由于其工作电压高、电流大、放热量大等特点,已逐渐向小型化、高致密化发展。新一代宽禁带半导体器件因其优异的性能可以提高工作温度和功率密度,展现出较好的应用前景,这对与之匹配的电力封装材料提出了更高的要求。随着工作温度的不断升高,高温环境下失稳和运行环境不稳定等安全问题亟需解决,对功率半导体芯片封装接头的高温可靠性提出了更高的要求。且由于污染严重的高铅焊料不满足环保要求,高温无铅焊料的研制与对相应连接技术的研究成为当前的研究重点。瞬态液相扩散连接(Transient liquid phase bonding,TLP bonding)技术通过在低温下焊接形成耐高温金属间化合物接头,以满足“低温连接,高温服役”的要求,在新一代功率半导体的耐高温封装方面有良好的应用前景。针对TLP技术的耐高温封装材料有Sn基、In基和Bi基等。目前TLP连接材料主要有片层状、焊膏与焊片三种形态。其中片层状TLP焊料应用最早,且国内外对于其连接机理、接头性能和可靠性已有较为成熟的研究。近些年开发的基于复合粉末的焊膏与焊片形态TLP焊料具有相对较高的反应效率,但仍需大量理论与实验研究来验证其工业应用前景。本文综述了TLP连接用Sn基与In基焊料的特点,重点阐述了不同形态焊料在TLP连接机理、接头微观组织、力学性能与结构可靠性等方面的国内外研究现状及进展,并且认为接头中缺陷问题的研究以及不同服役条件下物相转化机制和接头失效机理的研究对高可靠性接头的制备具有重要意义。; 关键词瞬态液相扩散连接功率芯片耐高温封装焊料接头可靠性; Keywords transient liquid phase bonding power chip high-temperature packaging solder structural reliability; 分类号 TG425 [金属学及工艺—焊接]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微型阵列束闸设计与实验被引量：2: 3; 作者张利新孙博彤刘星云殷伯华刘俊标韩立; 机构中国科学院电工研究所微纳加工技术与智能电气设备研究部中国科学院大学电子电气与通信工程学院; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期2061-2069,共9页; 基金国家自然科学青年基金资助项目(No.62101528) 中国科学院科研仪器设备研制项目(No.GJJ⁃STD20200003)。; 文摘微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功制备了阵列束闸。针对阵列束闸的控制要求,设计了可单独控制的阵列束闸控制器。将控制器与阵列束闸进行连接,验证了控制器的偏转速度与功能完整性。最后,在多束电子束测试平台对阵列束闸进行了偏转实验,研究串扰对电子束偏转的影响。实验结果表明:阵列束闸控制器的偏转速度达到43.5 MHz,大于设计值10 MHz;阵列束闸成功实现了单独控制电子束开和关,束闸的偏转距离在25~30μm之间,小于计算值43.29μm;串扰程度均小于3%。该阵列束闸已经具备多束电子束开/关控制功能,但在偏转精度,设计和加工工艺等方面还需进一步优化和完善。; 关键词电子束曝光阵列束闸多束电子束串扰偏转速度; Keywords electron beam lithography arrayed beam blanker multi-beam electron beam crosstalk de⁃flection speed; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多束电子源设计与实验: 4; 作者赵伟霞白凌超张利新刘俊标殷伯华韩立; 机构中国科学院电工研究所微纳加工技术与智能电气设备研究部中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院; 出处《光学精密工程》北大核心 2025年第5期741-750,共10页; 基金中国科学院科研仪器设备研制项目(No.PTYQ2024BJ0004)。; 文摘为了提高扫描电子显微镜等单电子束设备的通量,开发了基于肖特基阴极的多束电子源系统,研究了准直透镜、分束板及微阵列静电透镜的设计方法与制备工艺。根据肖特基阴极发射特性进行了静电准直透镜的设计,仿真计算了准直束的电子光学性能。基于MEMS加工工艺实现了3×3和10×10多孔阵列分束板的制备,开发了多孔多层器件装配系统并实现了微阵列静电透镜的高精度装配;搭建了多束电子源测试平台并进行了多束电子源的准直、分束与聚焦性能验证。结果表明:多束电子源的准直束范围为600μm,准直范围内的束流密度为4.11 A/m^(2)、均匀度为6.06%;实现了3×3分束且大小可调,聚焦后的子束束斑直径均值为5.32μm,束斑直径均匀度为5.91%,束流强度均匀度为4.36%,间距均匀度为3.06%,满足多电子束设备的设计要求。; 关键词电子光学多束电子源肖特基发射准直透镜微阵列单电位透镜; Keywords electron optics multi-beam electron source Schottky emission collimator lenses micro-ar⁃rayed einzel lens; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁浸没热场发射电子枪: 5; 作者赵伟霞张利新刘俊标殷伯华韩立; 机构中国科学院电工研究所微纳加工技术与智能电气设备研究部中国科学院大学电子电气与通信工程学院; 出处《光学精密工程》北大核心 2025年第11期1700-1712,共13页; 基金国家重点研发计划资助项目(No.2022YFF0709400) 中国科学院科研仪器设备研制项目(No.PTYQ2024BJ0004)。; 文摘为了提高扫描电镜等设备的探针束流,设计了磁浸没式热场发射电子枪,可对电子枪阴极发射电子进行有效收集,提高有效的发射束流。对磁浸没热场发射电子枪的电子光学特性进行了理论分析,仿真对比了单极靴、双极靴轴向间隙、双极靴径向间隙3种结构的磁透镜性能。基于双极靴轴向间隙结构的透镜设计了磁浸没式电子枪,仿真分析了束斑、束流、角束流密度、亮度等参数随浸没透镜的变化情况。基于实验平台对浸没透镜的磁场分布与磁浸没式电子枪的有效发射束流进行了测试。实验结果表明:浸没透镜磁场实际分布值与仿真值基本一致;在相同光阑尺寸下,磁浸没式电子枪的有效发射束流在3.3 kV低加速电压下为44.97 nA,23.5 kV高加速电压下为638.12 nA,与普通热场发射电子枪相比提高了约4倍。; 关键词电子光学热场发射电子枪磁浸没透镜双极靴透镜; Keywords electron optics thermal field electron gun magnetic immersion lens double polepiece lens; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名强韧一体Cu/Sn/Ag致密三维网络状接头结构设计与制备: 6; 作者张宏辉徐红艳张炜刘璇; 机构信阳职业技术学院生态与环境学院中国科学院电工研究所微纳加工与智能电气设备研究部; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第6期625-632,共8页; 基金河南省科技攻关项目(242102231025) 北京市自然科学基金(2222083)。; 文摘为满足大功率电力电子器件耐高温、高可靠性芯片焊接需求,解决Cu/Sn/Ag体系瞬态液相扩散焊接(TLPS)接头脆性大、韧性不足、孔隙率高等问题,通过电镀高纯度Cu@Sn核壳结构复合粉末和物理气相沉积镀覆Ag层,研究了Sn镀层厚度对接头强度和孔隙率的影响以及镀覆Ag层厚度对TLPS接头抗氧化性能和韧性的影响。结果表明,Sn镀层厚度为2~3μm时接头本体相孔隙率最低,抗拉强度达到86 MPa;Cu/Sn/Ag体系中Sn镀层厚度为2μm且镀覆Ag层厚度为1μm时,Cu_(3)Sn/Ag3Sn包覆Cu颗粒的三维网络状结构致密接头的弹性模量由Cu@Sn体系中的83 GPa降至Cu@Sn@Ag体系中的75 GPa;通过在Cu基板表面镀Sn和镀Ag等改性处理,提高了Cu/Sn/Ag预成型焊片与直接键合铜(DBC)基板的共面性,实现了焊接界面致密互连。以上结果为Cu/Sn/Ag系统TLPS制备耐高温接头技术提供了研究依据和应用基础。; 关键词电力电子器件瞬态液相扩散焊接(TLPS) Cu@Sn@Ag复合粉末三维网络状结构耐高温接头; Keywords power electronic device transient liquid phase diffusion soldering(TLPS) Cu@Sn@Ag composite powder three-dimensional networked structure high-temperature resistant joint; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热压烧结及轧制工艺对CuCr/CNTs复合材料组织与性能的优化被引量：4: 7; 作者李健左婷婷薛江丽茹亚东赵兴科高召顺韩立肖立业; 机构北京科技大学材料科学与工程学院中国科学院电工研究所多学科交叉研究中心中国科学院洁净能源创新研究院中国科学院电工研究所微纳加工技术与智能电气设备研究部; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期2078-2085,共8页; 基金国家自然科学基金(51901221) 中国科学院洁净能源创新研究院合作基金(DNL180304)。; 文摘基于电工材料高电导、高强度的发展需求,本工作通过粉末真空热压烧结成功制备出微量Cr元素掺杂的功能化碳纳米管增强铜基复合材料(CuCr/CNTs),系统研究了热压烧结及轧制工艺对复合材料电导率和力学性能的影响。研究发现,在烧结温度为900℃、保温1 h、保压压力为50 MPa的工艺下,样品的电导率高达96.2%IACS,硬度为73.0HV。通过对微观组织与性能的分析,发现热压烧结工艺显著影响基体晶粒的尺寸以及界面处碳化物的数量,界面处适量Cr 3C 2纳米相的存在可以改善界面润湿性,增强界面结合,有利于电流传递和载荷传递。通过进一步冷轧,CNTs定向排列并均匀分散,样品的电导率和力学性能均有提升,在电导率保持96.6%IACS时,其屈服强度可达311 MPa,拉伸强度达到373 MPa,具有非常好的工程应用前景。; 关键词 Cu/CNTs复合材料真空热压烧结轧制界面结构电导率力学性能; Keywords Cu/CNTs composite vacuum hot-pressing sintering rolling interface structure electrical conductivity mechanical property; 分类号 TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	微束斑RHEED类平行束电子枪设计	赵伟霞史丽娜刘俊标殷伯华韩立	《光学精密工程》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	应用于功率芯片封装的瞬态液相扩散连接材料与接头可靠性研究进展	刘璇徐红艳李红徐菊 Hodulova Erika Kovarikova Ingrid	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	微型阵列束闸设计与实验	张利新孙博彤刘星云殷伯华刘俊标韩立	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	多束电子源设计与实验	赵伟霞白凌超张利新刘俊标殷伯华韩立	《光学精密工程》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	磁浸没热场发射电子枪	赵伟霞张利新刘俊标殷伯华韩立	《光学精密工程》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	强韧一体Cu/Sn/Ag致密三维网络状接头结构设计与制备	张宏辉徐红艳张炜刘璇	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	热压烧结及轧制工艺对CuCr/CNTs复合材料组织与性能的优化	李健左婷婷薛江丽茹亚东赵兴科高召顺韩立肖立业	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料