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O.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-O.1PbTiO3功能铁电薄膜的制备及其电性能研究
1
作者
张清涛
李艳秋
+1 位作者
尚永红
刘少波
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期359-362,共4页
利用溶胶凝胶(sol-gel)技术制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMNT)铁电薄膜,研究了不同的溶剂对溶胶的配制和溶胶稳定性的影响,得到了可以长期稳定放置的溶胶;采用热重分析和差热分析的方法研究了凝胶的热解过程,确定了420℃为溶胶的热解温...
利用溶胶凝胶(sol-gel)技术制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMNT)铁电薄膜,研究了不同的溶剂对溶胶的配制和溶胶稳定性的影响,得到了可以长期稳定放置的溶胶;采用热重分析和差热分析的方法研究了凝胶的热解过程,确定了420℃为溶胶的热解温度,750℃为合理的结晶温度;以Pt/Ti/Si(100)为衬底,成功地制备了0.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.1PbTiO3铁电薄膜.通过X射线衍射分析了热处理温度对薄膜相的影响.通过高倍显微镜研究了薄膜的表面形态,通过ZT-Ⅱ型铁电参数测试仪对PMNT薄膜进行了铁电性能测试.测试结果表明,制备的PMNT铁电薄膜为具有完全钙钛矿相的弛豫性PMNT铁电薄膜,薄膜无裂纹,致密性好,其剩余极化和矫顽场分别可达到2.5μC/cm2和45kV/cm.
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关键词
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMNT)
溶胶凝胶
铁电薄膜
钙钛矿相
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职称材料
绝缘栅双极型晶体管的电路仿真模型
被引量：
2
2
作者
陈树君
卢振洋
+2 位作者
黄鹏飞
殷树言
张树田
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
2000年第4期24-28,共5页
以通用电路仿真软件 Ｐｓｐｉｃｅ的现有器件模型为基础，依据器件手册提供的典型数据，建立了绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）的组合模型，并采用非线性电容来表征器件的寄生电容．利用所建立的模型，对ＩＧＢＴ的静态特性和动态特性...
以通用电路仿真软件 Ｐｓｐｉｃｅ的现有器件模型为基础，依据器件手册提供的典型数据，建立了绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）的组合模型，并采用非线性电容来表征器件的寄生电容．利用所建立的模型，对ＩＧＢＴ的静态特性和动态特性进行了仿真．仿真的结果通过硬件实验得到了证实．
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
模型
电力电子
电路仿真
静态特性
动态特性
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职称材料
题名
O.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-O.1PbTiO3功能铁电薄膜的制备及其电性能研究
1
作者
张清涛
李艳秋
尚永红
刘少波
机构
中国科学院电工技术研究所
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期359-362,共4页
基金
中国科学院"引进国外杰出人才基金"2001年资助项目(20011215)
国家863高技术研究发展计划资助项目(2003AA404150)
文摘
利用溶胶凝胶(sol-gel)技术制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMNT)铁电薄膜,研究了不同的溶剂对溶胶的配制和溶胶稳定性的影响,得到了可以长期稳定放置的溶胶;采用热重分析和差热分析的方法研究了凝胶的热解过程,确定了420℃为溶胶的热解温度,750℃为合理的结晶温度;以Pt/Ti/Si(100)为衬底,成功地制备了0.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.1PbTiO3铁电薄膜.通过X射线衍射分析了热处理温度对薄膜相的影响.通过高倍显微镜研究了薄膜的表面形态,通过ZT-Ⅱ型铁电参数测试仪对PMNT薄膜进行了铁电性能测试.测试结果表明,制备的PMNT铁电薄膜为具有完全钙钛矿相的弛豫性PMNT铁电薄膜,薄膜无裂纹,致密性好,其剩余极化和矫顽场分别可达到2.5μC/cm2和45kV/cm.
关键词
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMNT)
溶胶凝胶
铁电薄膜
钙钛矿相
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
绝缘栅双极型晶体管的电路仿真模型
被引量：
2
2
作者
陈树君
卢振洋
黄鹏飞
殷树言
张树田
机构
北京工业大学北京市焊接设备
研究
与开发中心
中国科学院电工技术研究所
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
2000年第4期24-28,共5页
基金
中国博士后科学基金资助项目
北京市自然科学基金资助项目(3001001)
文摘
以通用电路仿真软件 Ｐｓｐｉｃｅ的现有器件模型为基础，依据器件手册提供的典型数据，建立了绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）的组合模型，并采用非线性电容来表征器件的寄生电容．利用所建立的模型，对ＩＧＢＴ的静态特性和动态特性进行了仿真．仿真的结果通过硬件实验得到了证实．
关键词
绝缘栅双极型晶体管
模型
电力电子
电路仿真
静态特性
动态特性
Keywords
IGBT
model
power electronic simulation
分类号
TM76 [电气工程—电力系统及自动化]
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
O.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-O.1PbTiO3功能铁电薄膜的制备及其电性能研究
张清涛
李艳秋
尚永红
刘少波
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
2
绝缘栅双极型晶体管的电路仿真模型
陈树君
卢振洋
黄鹏飞
殷树言
张树田
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
2000
2
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职称材料
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