期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
被引量：
13
1
作者
汪波
李豫东
+4 位作者
郭旗
刘昌举
文林
孙静
玛丽娅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期242-248,共7页
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输...
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。
展开更多
关键词
电离总剂量辐射效应
CMOS有源像素传感器
饱和输出信号
像素单元结构
LOCOS隔离
在线阅读
下载PDF
职称材料
CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律
被引量：
4
2
作者
王田珲
李豫东
+5 位作者
文林
冯婕
蔡毓龙
马林东
张翔
郭旗
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期1697-1704,共8页
应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能,本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。首先,使用3MeV和10MeV两种能量的质子对图像传感器进行辐照,分析不同能量、不同注量的质子辐照产生热像...
应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能,本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。首先,使用3MeV和10MeV两种能量的质子对图像传感器进行辐照,分析不同能量、不同注量的质子辐照产生热像素的性质;其次,再对辐照后的器件进行退火试验,分析热像素的退火规律。对于相同注量辐照,3MeV质子辐照下热像素产生率大约是10MeV质子辐照下的2.3倍,但是10MeV质子辐照产生热像素的灰度值高于3MeV质子;辐照过程中热像素的数量都是随着注量的增加线性增加。退火过程中,热像素数量都不断减少,而3MeV质子辐照产生的热像素相比于10MeV质子,退火更为显著。结果表明,质子辐照下每个质子与器件之间的作用过程及产生缺陷的机制是相对独立的,不同质子的作用过程之间没有相关性。不同能量的质子辐照产生缺陷的类型不同,导致热像素具有不同特性。
展开更多
关键词
CMOS图像传感器
热像素
质子辐照
位移损伤
暗信号
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
被引量：
13
1
作者
汪波
李豫东
郭旗
刘昌举
文林
孙静
玛丽娅
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
中国科学院
大学
重庆光电技术研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期242-248,共7页
基金
国家自然科学基金(11005152)资助项目
文摘
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。
关键词
电离总剂量辐射效应
CMOS有源像素传感器
饱和输出信号
像素单元结构
LOCOS隔离
Keywords
total ionizing dose
CMOS APS
saturation output signal
pixel unit
LOCOS isolation
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律
被引量：
4
2
作者
王田珲
李豫东
文林
冯婕
蔡毓龙
马林东
张翔
郭旗
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
中国科学院
大学
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期1697-1704,共8页
基金
GF预研基金(6140A2404051)
中国科学院西部之光项目(2016-QNXZ-B-2)资助
文摘
应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能,本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。首先,使用3MeV和10MeV两种能量的质子对图像传感器进行辐照,分析不同能量、不同注量的质子辐照产生热像素的性质;其次,再对辐照后的器件进行退火试验,分析热像素的退火规律。对于相同注量辐照,3MeV质子辐照下热像素产生率大约是10MeV质子辐照下的2.3倍,但是10MeV质子辐照产生热像素的灰度值高于3MeV质子;辐照过程中热像素的数量都是随着注量的增加线性增加。退火过程中,热像素数量都不断减少,而3MeV质子辐照产生的热像素相比于10MeV质子,退火更为显著。结果表明,质子辐照下每个质子与器件之间的作用过程及产生缺陷的机制是相对独立的,不同质子的作用过程之间没有相关性。不同能量的质子辐照产生缺陷的类型不同,导致热像素具有不同特性。
关键词
CMOS图像传感器
热像素
质子辐照
位移损伤
暗信号
Keywords
CMOS image sensor
hot-pixels
proton irradiation
displacement damage
dark signal
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
汪波
李豫东
郭旗
刘昌举
文林
孙静
玛丽娅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
13
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律
王田珲
李豫东
文林
冯婕
蔡毓龙
马林东
张翔
郭旗
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
