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电子辐照PDMS力学性能影响实验研究
1
作者
邱剑
吕世豪
+2 位作者
玛丽娅
师岩
高存法
《应用力学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期1007-1013,共7页
聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受...
聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受电子辐照作用后的力学性能变化开展研究:(1)首先将树脂和固化剂按不同配比混合,按国标进行了哑铃状PDMS拉伸试样的制备,进行了单轴拉伸试验;(2)将不同配比PDMS拉伸样品进行了不同剂量的电子辐照试验,并对辐照后样品进行了拉伸试验。采用扫描电子显微镜对辐照前后样品断口形貌进行了观测,并进行了元素成分分析;(3)基于Neo-Hookean模型对单轴拉伸的应力应变关系进行了推导,并与实验数据进行了对比。结果表明,电子辐照能显著影响PDMS的力学性能和表面形貌。辐照后的PDMS试样呈现硬化,弹性模量随辐照剂量增加而提高,而断裂伸长率随辐照剂量增加而减少。
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关键词
辐照
PDMS
拉伸试验
Neo-Hookean模型
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职称材料
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
被引量:
2
2
作者
崔江维
郑齐文
+6 位作者
余德昭
周航
苏丹丹
马腾
魏莹
余学峰
郭旗
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期1128-1132,共5页
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应...
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考.
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关键词
65nm
负偏压温度不稳定性
沟道宽度
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职称材料
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
被引量:
4
3
作者
玛丽娅
李豫东
+3 位作者
郭旗
刘昌举
文林
汪波
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期182-187,共6页
对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量...
对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火时间的延长而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷导致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增大导致产生-复合中心的增加所引起。
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关键词
电子辐照
CMOS有源像素传感器
暗信号
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职称材料
丙二醇嵌段聚醚改性有机硅复配消泡剂的研制
被引量:
13
4
作者
罗倩
谢永新
+3 位作者
陈朝阳
闫世友
邓文叶
刘义
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1099-1102,共4页
研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件:聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2~3,HLB值范围在8.5...
研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件:聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2~3,HLB值范围在8.5~9.5的乳化剂用量为消泡剂总量的4~6%。
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关键词
丙二醇嵌段聚醚接枝聚硅氧烷
白炭黑硅膏
乳化剂
水
消泡剂
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职称材料
题名
电子辐照PDMS力学性能影响实验研究
1
作者
邱剑
吕世豪
玛丽娅
师岩
高存法
机构
南京航空航天大学机械结构力学及控制国家
重点
实验室
韶关
学院
化学与土木工程
学院
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所
出处
《应用力学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期1007-1013,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.U1937601,51921003)
机械结构力学及控制国重实验室基金资助项目(No.MCMS-I-0221Y01)。
文摘
聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受电子辐照作用后的力学性能变化开展研究:(1)首先将树脂和固化剂按不同配比混合,按国标进行了哑铃状PDMS拉伸试样的制备,进行了单轴拉伸试验;(2)将不同配比PDMS拉伸样品进行了不同剂量的电子辐照试验,并对辐照后样品进行了拉伸试验。采用扫描电子显微镜对辐照前后样品断口形貌进行了观测,并进行了元素成分分析;(3)基于Neo-Hookean模型对单轴拉伸的应力应变关系进行了推导,并与实验数据进行了对比。结果表明,电子辐照能显著影响PDMS的力学性能和表面形貌。辐照后的PDMS试样呈现硬化,弹性模量随辐照剂量增加而提高,而断裂伸长率随辐照剂量增加而减少。
关键词
辐照
PDMS
拉伸试验
Neo-Hookean模型
Keywords
irradiation
PDMS
tensile test
Neo-Hookean model
分类号
O348 [理学—固体力学]
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职称材料
题名
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
被引量:
2
2
作者
崔江维
郑齐文
余德昭
周航
苏丹丹
马腾
魏莹
余学峰
郭旗
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院
大学
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期1128-1132,共5页
基金
国家自然科学基金(No.11475255
No.11505282)
中国科学院西部之光项目(No.2015-XBQN-B-15)
文摘
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考.
关键词
65nm
负偏压温度不稳定性
沟道宽度
Keywords
65nm
NBTI(Negative Bias Temperature Instabitity)
channel width
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
被引量:
4
3
作者
玛丽娅
李豫东
郭旗
刘昌举
文林
汪波
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院
大学
重庆光电
技术
研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期182-187,共6页
基金
国家自然科学基金(11005152
11275262)资助项目~~
文摘
对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火时间的延长而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷导致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增大导致产生-复合中心的增加所引起。
关键词
电子辐照
CMOS有源像素传感器
暗信号
Keywords
electron irradiation
CMOS active pixel sensor
dark current
分类号
TN29 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
丙二醇嵌段聚醚改性有机硅复配消泡剂的研制
被引量:
13
4
作者
罗倩
谢永新
陈朝阳
闫世友
邓文叶
刘义
机构
中国科学院
特殊
环境
功能
材料与
器件
重点
实验室
、
新疆
电子信息
材料与
器件
重点
实验室
中国科学院
新疆
理化
技术
研究所
出处
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1099-1102,共4页
基金
新疆维吾尔自治区科技计划项目(201215142)
中国科学院西部之光项目(XBBS201117)
+1 种基金
新疆乌鲁木齐科技局科技攻关项目(K111110002)
新疆乌鲁木齐科技局应用开发项目(Y131020005)
文摘
研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件:聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2~3,HLB值范围在8.5~9.5的乳化剂用量为消泡剂总量的4~6%。
关键词
丙二醇嵌段聚醚接枝聚硅氧烷
白炭黑硅膏
乳化剂
水
消泡剂
Keywords
propylene glycol block polyether modified polysiloxanes
silicon ointment
emulsifier
water
defoamer
分类号
O633.1 [理学—高分子化学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子辐照PDMS力学性能影响实验研究
邱剑
吕世豪
玛丽娅
师岩
高存法
《应用力学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
2
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
崔江维
郑齐文
余德昭
周航
苏丹丹
马腾
魏莹
余学峰
郭旗
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
玛丽娅
李豫东
郭旗
刘昌举
文林
汪波
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
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职称材料
4
丙二醇嵌段聚醚改性有机硅复配消泡剂的研制
罗倩
谢永新
陈朝阳
闫世友
邓文叶
刘义
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2014
13
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职称材料
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