期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响
被引量：
5
1
作者
丛忠超
余学峰
+4 位作者
崔江维
郑齐文
郭旗
孙静
周航
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期465-469,共5页
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐...
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。
展开更多
关键词
总剂量辐射效应
MOS晶体管
三极管
不同温度辐照
在线阅读
下载PDF
职称材料
0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究
被引量：
1
2
作者
吴雪
陆妩
+3 位作者
王信
郭旗
张兴尧
于新
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期1886-1890,共5页
为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管,进行了60 Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明:与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在:1)辐...
为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管,进行了60 Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明:与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在:1)辐照引起NMOS差分对管转移特征曲线失配增加;2)NMOS差分对管阈值电压失配随辐照总剂量的增加而增大;3)栅极电流辐照后稍有增加,失配随栅极电压的增加而增大。而PMOS差分对管在整个辐照过程中,无论是曲线还是参数均未出现明显变化,且失配亦未随辐照总剂量的增加而增大。
展开更多
关键词
MOS差分对管
60^Coγ辐射
失配
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响
被引量：
5
1
作者
丛忠超
余学峰
崔江维
郑齐文
郭旗
孙静
周航
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所
新疆
电子信息
材料与
器件
重点
实验室
中国科学院
大学
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期465-469,共5页
基金
西部博士资助项目(XBBS201219)资助
文摘
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。
关键词
总剂量辐射效应
MOS晶体管
三极管
不同温度辐照
Keywords
Field effect transistors
MOSFET devices
Threshold voltage
Transistors
Triodes
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究
被引量：
1
2
作者
吴雪
陆妩
王信
郭旗
张兴尧
于新
机构
中国科学院
特殊
环境
功能
材料与
器件
重点
实验室
新疆
电子信息
材料与
器件
重点
实验室
中国科学院
大学
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期1886-1890,共5页
基金
模拟集成电路国家重点实验室(NLAIC)基金资助项目(9140C090401120C09036)
文摘
为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管,进行了60 Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明:与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在:1)辐照引起NMOS差分对管转移特征曲线失配增加;2)NMOS差分对管阈值电压失配随辐照总剂量的增加而增大;3)栅极电流辐照后稍有增加,失配随栅极电压的增加而增大。而PMOS差分对管在整个辐照过程中,无论是曲线还是参数均未出现明显变化,且失配亦未随辐照总剂量的增加而增大。
关键词
MOS差分对管
60^Coγ辐射
失配
Keywords
MOS differential pair transistors
60^Co γ radiation
mismatch
分类号
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响
丛忠超
余学峰
崔江维
郑齐文
郭旗
孙静
周航
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究
吴雪
陆妩
王信
郭旗
张兴尧
于新
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
