平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响

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作者 王涛 王倩 +4 位作者 何承发 荀明珠 买买提热夏提·买买提 雷琪琪 孙静 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期2278-2283,共6页

本文选择贴片式NPN双极器件作为研究对象,采用在器件辐照试验时设置平衡材料的方法,通过对器件辐照敏感电参数的测量,研究平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响程度.结果表明:在器件辐照试验时设置平衡材料,器件的敏感电参数电流增... 本文选择贴片式NPN双极器件作为研究对象,采用在器件辐照试验时设置平衡材料的方法,通过对器件辐照敏感电参数的测量,研究平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响程度.结果表明:在器件辐照试验时设置平衡材料,器件的敏感电参数电流增益较未设置平衡材料退化更明显,仅设置前平衡材料比仅设置后平衡材料影响更大.在器件前后均设置平衡材料、仅设置前平衡材料和仅设置后平衡材料三种不同条件下,器件电流增益退化差异在50krad(Si)剂量点时分别为22.55%、13.38%和12.58,当辐照总剂量达到300krad(Si)时降低至11.65%、7.31%和4.14%.因此在评估器件的抗辐照性能过程中,很有必要在器件进行辐照试验时根据器件的结构尺寸,设置一定厚度的平衡材料,使器件敏感区满足次级电子平衡条件,从而保证器件敏感区实际吸收剂量达到标称辐照剂量. 展开更多

关键词 电离总剂量效应 平衡材料 电流增益 次级电子平衡

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质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响 被引量：5

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作者 汪波 文林 +6 位作者 李豫东 郭旗 汪朝敏 王帆 任迪远 曾骏哲 武大猷 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第B12期35-40,共6页

对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保... 对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 高能粒子辐照 饱和输出电压 电离总剂量效应

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半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响 被引量：5

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作者 丛忠超 余学峰 +4 位作者 崔江维 郑齐文 郭旗 孙静 周航 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期465-469,共5页

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐... 对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。 展开更多

关键词 总剂量辐射效应 MOS晶体管 三极管 不同温度辐照

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电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应 被引量：2

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作者 汪波 李豫东 +2 位作者 郭旗 汪朝敏 文林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期44-49,共6页

为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由... 为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由于中子辐照产生的体缺陷能级在耗尽层中充当复合-产生中心,增大了热载流子的产生率所致,而各像素单元暗信号退化的不一致性使暗信号非均匀性增大;电荷转移效率显著减小则是由于中子辐照在转移沟道中产生的体缺陷不断捕获、发射电子所引起。在整个实验过程中,饱和输出电压的退化可以忽略不计,表现出较好的抗位移损伤能力。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 中子辐照 位移效应 电荷转移效率 暗信号

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质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性 被引量：2

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作者 姜柯 陆妩 +5 位作者 马武英 郭旗 何承发 王信 曾俊哲 刘默涵 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2087-2092,共6页

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM... 对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。 展开更多

关键词 PNP输入双极运算放大器 质子辐射 60 Coγ射线辐射 辐射效应

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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 被引量：2

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作者 崔江维 郑齐文 +6 位作者 余德昭 周航 苏丹丹 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1128-1132,共5页

随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应... 随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考. 展开更多

关键词 65nm 负偏压温度不稳定性 沟道宽度

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月壤纤维材料研究进展与展望

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作者 马鹏程 郭泽世 +5 位作者 苏秀中 赵晨 梁存光 葸雄宇 邢丹 郑庆彬 《深空探测学报（中英文）》 CSCD 北大核心 2023年第5期532-543,共12页

以月球基地建设中对结构和功能材料的需求为出发点,探讨了利用月壤制备纤维并用于月球基地建设的可行性,总结了目前国内外在月壤纤维制备领域的研究现状。在此基础上分析了月壤纤维在月球基地中用于结构防护、生存和生命保障等领域的独... 以月球基地建设中对结构和功能材料的需求为出发点,探讨了利用月壤制备纤维并用于月球基地建设的可行性,总结了目前国内外在月壤纤维制备领域的研究现状。在此基础上分析了月壤纤维在月球基地中用于结构防护、生存和生命保障等领域的独特优势和应用前景,提出了未来月壤纤维领域应重点研究和突破的关键理论和技术基础,以期从基础研究和应用需求层面促进月壤纤维这一前瞻性研究领域的发展。 展开更多

关键词 月壤 月壤纤维 资源原位利用 月球基地建设

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基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 被引量：2

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作者 荀明珠 李豫东 +5 位作者 郭旗 何承发 于新 于钢 文林 张兴尧 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期828-834,共7页

基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提。为了摒除参数提取过程中封装引入的影响,实现在线参数测试,本文设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数... 基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提。为了摒除参数提取过程中封装引入的影响,实现在线参数测试,本文设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取试验装置,兼备晶圆级器件电离总剂量辐照、器件参数在线测试分析功能,并且具有通用性强、测量范围宽、结构一体化、操作自动化等特点。对设备在50 kV管压下产生的X射线能谱、剂量率、束斑的测量以及对晶圆级MOS器件进行I-V、C-V、低频噪声特性的测试分析结果表明,该设备符合ASTM F1467测试标准,且能满足晶圆级器件辐射效应参数提取要求,可为大规模集成电路抗辐射设计加固提供良好的试验条件。 展开更多

关键词 抗辐射加固 试验装置 晶圆级器件 X射线辐照 辐射效应 参数提取

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体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 被引量：2

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作者 席善学 陆妩 +5 位作者 郑齐文 崔江维 魏莹 姚帅 赵京昊 郭旗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1065-1069,共5页

研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Fie... 研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10μm/0.35μm的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的泄漏电流.辐照前体偏压为负时的转移特性曲线相比于体电压为零时发生了正向漂移.当体电压Vb=-1.1V时部分耗尽器件变为全耗尽器件,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区宽度的继续增加,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移. 展开更多

关键词 总剂量效应 绝缘体上硅 体效应 浅沟槽隔离

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γ射线辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 被引量：2

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作者 马腾 苏丹丹 +5 位作者 周航 郑齐文 崔江维 魏莹 余学峰(指导) 郭旗 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第9期203-208,共6页

研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲... 研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数,分析了γ射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明:由于γ射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷,影响了器件内部势垒的分布,降低了电子跃迁的势垒高度,导致了电子遂穿的正反馈作用增强,从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间,最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。 展开更多

关键词 场效应晶体管 可靠性 栅氧经时击穿 γ射线

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电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

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作者 武大猷 文林 +6 位作者 汪朝敏 何承发 郭旗 李豫东 曾俊哲 汪波 刘元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期711-719,共9页

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压... 对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计

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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

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作者 王利斌 王信 +3 位作者 吴雪 李小龙 刘默寒 陆妩 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2020年第5期60-66,共7页

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数... 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。 展开更多

关键词 SIGE BICMOS 偏置条件 电离总剂量 氧化物陷阱电荷 界面态

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电子辐照PDMS力学性能影响实验研究

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作者 邱剑 吕世豪 +2 位作者 玛丽娅 师岩 高存法 《应用力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1007-1013,共7页

聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受... 聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受电子辐照作用后的力学性能变化开展研究:(1)首先将树脂和固化剂按不同配比混合,按国标进行了哑铃状PDMS拉伸试样的制备,进行了单轴拉伸试验;(2)将不同配比PDMS拉伸样品进行了不同剂量的电子辐照试验,并对辐照后样品进行了拉伸试验。采用扫描电子显微镜对辐照前后样品断口形貌进行了观测,并进行了元素成分分析;(3)基于Neo-Hookean模型对单轴拉伸的应力应变关系进行了推导,并与实验数据进行了对比。结果表明,电子辐照能显著影响PDMS的力学性能和表面形貌。辐照后的PDMS试样呈现硬化,弹性模量随辐照剂量增加而提高,而断裂伸长率随辐照剂量增加而减少。 展开更多

关键词 辐照 PDMS 拉伸试验 Neo-Hookean模型

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环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响

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作者 蒲晓娟 冯皓楠 +3 位作者 梁晓雯 魏莹 余学峰 郭旗 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期908-914,共7页

开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用^(60)Coγ射线对三款国内外生产的SiCMOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25℃,100℃,175... 开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用^(60)Coγ射线对三款国内外生产的SiCMOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25℃,100℃,175℃下的辐射损伤特性,比较器件在不同温度下辐照后器件的退化程度。仿真实验结果表明,不同器件的阈值电压、静态漏电流以及亚阈特性等辐射损伤变化都表现出对环境温度的敏感性,而导通电阻、击穿电压等则相对不敏感。此外SiCMOSFET总剂量辐射响应特性对环境温度的敏感性,还随生产厂家的不同而呈现明显差异性。分析认为,在其他条件相同情况下,器件的阈值电压、静态漏电等参数的退化程度随着辐照温度的升高而降低,主要是由于高温辐照时器件发生隧穿退火效应引起。 展开更多

关键词 SiC金属氧化物半导体 总剂量效应 温度 静态参数

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数字集成电路电离总剂量辐射效应原位测试系统的研究与实现

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作者 张兴尧 孙静 +3 位作者 郭旗 李豫东 荀明珠 文林 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第5期815-823,共9页

电离总剂量效应将会导致数字集成电路电参数超差,甚至功能失效。目前数字集成电路的电离总剂量效应试验主要采用移位测试,移位测试需要一定时间将器件移动到测试机上进行测试,移动耗费的时间将导致器件有不同程度的退火,同时只有在移位... 电离总剂量效应将会导致数字集成电路电参数超差,甚至功能失效。目前数字集成电路的电离总剂量效应试验主要采用移位测试,移位测试需要一定时间将器件移动到测试机上进行测试,移动耗费的时间将导致器件有不同程度的退火,同时只有在移位测试过程中才能获得辐射效应数据,相较于在线原位测试数据量较少。数字集成电路测试系统采用PXI系统,系统内装配数字向量测试模块和电源量测模块,同时编写了测试软件和制作了测试板。通过对一款NAND Flash存储器进行在线原位辐照测试,测试结果满足对数字集成电路在X射线辐照过程中的DC、AC及功能测试要求。系统的装备应用为未来应用到各种加速器或其他辐射源的数字集成电路的在线测试奠定了基础。 展开更多

关键词 X射线 辐射效应 原位测试 NAND Flash存储器

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丙二醇嵌段聚醚改性有机硅复配消泡剂的研制 被引量：13

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作者 罗倩 谢永新 +3 位作者 陈朝阳 闫世友 邓文叶 刘义 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1099-1102,共4页

研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件：聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2～3,HLB值范围在8.5... 研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件：聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2～3,HLB值范围在8.5～9.5的乳化剂用量为消泡剂总量的4～6%。 展开更多

关键词 丙二醇嵌段聚醚接枝聚硅氧烷 白炭黑硅膏 乳化剂 水 消泡剂

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双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评估方法 被引量：7

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作者 马武英 陆妩 +5 位作者 郭旗 吴雪 孙静 邓伟 王信 吴正新 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2170-2176,共7页

对3款同种型号不同公司生产的双极电压比较器进行了高、低剂量率及变温辐照的60 Coγ辐照实验。结果表明:偏置电流和电源电流为双极电压比较器辐射敏感参数,失调电压仅在工作偏置条件下为辐射敏感参数;由于工艺不同,不同公司的双极电压... 对3款同种型号不同公司生产的双极电压比较器进行了高、低剂量率及变温辐照的60 Coγ辐照实验。结果表明:偏置电流和电源电流为双极电压比较器辐射敏感参数,失调电压仅在工作偏置条件下为辐射敏感参数;由于工艺不同,不同公司的双极电压比较器存在辐射响应差异,而同一公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的辐照损伤趋势亦不同;变温辐照加速评估方法不仅可鉴别上述不同公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的剂量率效应,而且能很好地模拟和保守地评估其低剂量率下的辐照损伤。 展开更多

关键词 双极电压比较器 60Coγ辐照 低剂量率 变温辐照

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温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 被引量：5

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作者 王帆 李豫东 +2 位作者 郭旗 汪波 张兴尧 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期332-337,共6页

为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高... 为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。 展开更多

关键词 CMOS图像传感器 转换增益 满阱容量 暗电流 温度

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CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应 被引量：4

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作者 汪波 李豫东 +5 位作者 郭旗 文林 孙静 王帆 张兴尧 玛丽娅 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期202-206,共5页

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输... 为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。 展开更多

关键词 CMOS有源像素传感器 中子辐照 像素单元 饱和输出电压 位移效应

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聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的研究进展 被引量：9

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作者 罗倩 谢永新 +1 位作者 陈朝阳 闫世友 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期10-12,共3页

概述了聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的消泡机理以及特点,综合介绍了聚醚改性聚硅氧烷的分类、合成工艺条件,以及其复合消泡剂复配过程主要成分选择的一般规律,并对聚醚改性聚硅氧烷消泡剂的研究进展及市场前景做了简要展望。

关键词 聚醚改性聚硅氧烷 机理 复合消泡剂

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