二氧化钛表面包覆氧化硅纳米膜的热力学研究 被引量：46

1

作者 崔爱莉 王亭杰 +1 位作者 金涌 孙牧 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1543-1545,共3页

热力学计算结果表明 ,氧化硅的临界成核半径为 2 .8nm.由起伏引起的核胚如果小于 2 .8nm则不会形成晶核而继续生长 .上述热力学分析虽然是半理想化的 ,但是非常有效 .可以找到这样一个体系 ,其溶液条件不发生均匀成核 ,而是异相表面成核 .

关键词 二氧化钛 氧化硅 热力学 表面包覆 纳米膜 表面处理 钛白粉

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晶体冰微观结构研究的最新进展

2

作者 王洪政 南鹏飞 +1 位作者 王立芬 葛炳辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期500-524,共25页

水是生命之源,对人类和整个生态系统都至关重要。作为水的固态形式,冰的结构研究对环境科学、大气科学和天体物理学等领域相关自然现象的理解有重要指导意义。然而,由于氢键的影响冰的晶体结构非常复杂(仅目前发现就有二十种晶体相和三... 水是生命之源,对人类和整个生态系统都至关重要。作为水的固态形式,冰的结构研究对环境科学、大气科学和天体物理学等领域相关自然现象的理解有重要指导意义。然而,由于氢键的影响冰的晶体结构非常复杂(仅目前发现就有二十种晶体相和三种无定形相),且通常存在于低温和高压等极端环境,因此其结构研究一直都充满挑战。早期冰的结构研究主要通过谱学手段,如X射线衍射、拉曼光谱和中子衍射等,揭示了平均结构信息。随着显微成像技术的发展,如透射电子显微镜、扫描隧道显微镜、原子力显微镜等,人们对冰的结构研究已经进入到分子尺度。本文将简要归纳过去近20年晶体冰微观结构的研究进展,并探讨未来晶体冰结构研究的挑战与机遇。 展开更多

关键词 冰 晶体 微观结构

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溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究 被引量：8

3

作者 杜新华 刘振祥 +2 位作者 谢侃 王燕斌 褚武扬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期585-587,共3页

本文用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）研究了不同处理条件对CeO2-x薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ce3dXPS谱的高斯拟合，计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原... 本文用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）研究了不同处理条件对CeO2-x薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ce3dXPS谱的高斯拟合，计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志。研究结果表明，在空气中经1173K高温退火后可得到结晶完好的多晶CeO2薄膜，而薄膜的化学价态没有变化，退火前后薄膜表面总有少量Ce3+存在（15％）。退火后部分还原的CeO2表面具有极强的吸附和再氧化能力，还原程度越高，其再氧化的能力也越强。 展开更多

关键词 二氧化铈 薄膜 退火 XPS

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CeO_2/Nb_2O_5双层氧敏薄膜的制备及界面扩散研究 被引量：2

4

作者 杜新华 刘振祥 +2 位作者 谢侃 王燕斌 褚武扬 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期159-163,共5页

用射频 /直流磁控溅射法制备了CeO2 /Nb2 O5双层氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱研究了真空原位加热对薄膜界面相互扩散的影响。结果表明 ,通过热扩散进入上层CeO2 薄膜的Nb2 O5,不仅达到了对上层薄膜进行微量掺杂的目的 ,而且能够促使Ce... 用射频 /直流磁控溅射法制备了CeO2 /Nb2 O5双层氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱研究了真空原位加热对薄膜界面相互扩散的影响。结果表明 ,通过热扩散进入上层CeO2 薄膜的Nb2 O5,不仅达到了对上层薄膜进行微量掺杂的目的 ,而且能够促使CeO2 薄膜中的晶格氧大量脱附 ,使CeO2 更容易还原为Ce2 O3,而其自身的构型却未发生变化。 展开更多

关键词 二氧化铈 五氧化二铌 双层 薄膜 制备 界面扩散

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Ti/Al_2O_3界面的光电子能谱研究 被引量：5

5

作者 陆华 张小军 崔玉德 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第1期1-6,共6页

用X射线光电子谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）研究了Ti／Al_2O_3界面形成的过程。研究表明，活性金属Ti在室温下能与衬底Al2O3（1102）形成约20nm强结合的界面区。从Al，O，Ti的光电子谱形状变化以及它们随着Ti覆盖度的增加而出现结合... 用X射线光电子谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）研究了Ti／Al_2O_3界面形成的过程。研究表明，活性金属Ti在室温下能与衬底Al2O3（1102）形成约20nm强结合的界面区。从Al，O，Ti的光电子谱形状变化以及它们随着Ti覆盖度的增加而出现结合能位移表明，在界面处形成的反应层中，最初几个单层的Ti很容易被Al2O3表面的活性氧所氧化，从而使Ti／Al2O3界面逐步由具有更强相互作用的TiOx／Al2O3界面所代替，并形成由多相混合体［Ti-O相，（Ti，Al）2O3相以及金属Al相］所组成的界面区。就是说，Ti通过Al—O键的O2-离子转移其电子给Al3+并使它还原成金属Al，从而形成Ti－O键所致。本文用AES强度剖面分析观察到了这种被还原的Al。 展开更多

关键词 TI/AL2O3 光电子能谱 XPS AES 界面

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银纳米团簇在HOPG表面上的控制生长 被引量：1

6

作者 王立莉 马旭村 +5 位作者 齐云 姜鹏 焦健 包信和 贾金锋 薛其坤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期1-5,共5页

由于银与高定向热解石墨(highlyorientedpyrolyticgraphite,HOPG)表面间的相互作用很小,银在HOPG表面上的生长通常采取三维的Volmer Weber模式,得到空间分布不均匀的银团簇。本文分别采用加热氧化和氩离子轰击来改变HOPG衬底的表面结构... 由于银与高定向热解石墨(highlyorientedpyrolyticgraphite,HOPG)表面间的相互作用很小,银在HOPG表面上的生长通常采取三维的Volmer Weber模式,得到空间分布不均匀的银团簇。本文分别采用加热氧化和氩离子轰击来改变HOPG衬底的表面结构,并用扫描隧道显微镜(STM)研究了银在它们上面的生长过程。实验结果表明:在氩离子轰击过的HOPG表面上,可以得到大小基本一致、空间分布均匀的银纳米团簇,实现了银团簇的控制生长。氩离子轰击导致了平整的HOPG表面产生缺陷,这些缺陷对银原子的扩散进行限制并成为优先成核中心,最终形成均匀的银纳米团簇。 展开更多

关键词 纳米团簇 轰击 表面 原子 氩离子 热解石墨 成核 改变 控制 实验结果

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金属薄膜表面化学反应活性中的量子尺寸效应 被引量：1

7

作者 马旭村 姜鹏 +4 位作者 宁艳晓 宋灿立 陈曦 贾金锋 薛其坤 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第2期146-157,共12页

本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/Si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响。扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面上的分子吸... 本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/Si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响。扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面上的分子吸附和氧化反应随着薄膜厚度一个原子层一个原子层变化时会出现振荡现象。通过研究薄膜中量子阱态的形成、费米能级处电子态密度的变化与薄膜的表面反应活性之间的关系,我们从实验上直接定量地证明了量子尺寸效应对表面反应活性的调控作用。 展开更多

关键词 量子尺寸效应 电子结构 Pb(111)薄膜 表面吸附和氧化 扫描隧道显微镜/谱

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用X射线光电子谱研究Pt和CeO_2间的相互作用 被引量：2

8

作者 刘振祥 谢侃 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期448-451,共4页

用X射线光电子谱研究了CeO2 和Pt间的相互作用 ,探讨了通过相互作用能提高CeO2 的氧化还原反应活性的机理 ,并与通常的金属和载体强相互作用的机理进行了比较。对高结合能端O 1s峰和表面O-离子的产生过程进行了讨论。

关键词 氧化铈 X射线光电子谱 CEO2 PT 铂 催化活性 汽车尾气催化剂 薄膜 相互作用

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原子位置交换导致的Pt(100)表面上Fe-Pt有序合金的形成

9

作者 何珂 张丽娟 +1 位作者 贾金锋 薛其坤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期378-378,共1页

关键词 表面 有序合金 Fe 位置交换 PT 扫描隧道显微术 原子 磁光克尔效应 低能电子衍射

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取向碳纳米管膜的大面积制备及其场发射性能的研究 被引量：2

10

作者 葛颂 冯孙齐 +2 位作者 俞大鹏 张广宇 刘双 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期341-346,共6页

利用热丝增强化学气相沉积法 ,在镀Ni的Si基片上成功地生长大面积取向碳纳米管膜 ,并研究了其场发射性质。研究表明 ,碳纳米管膜的场发射Fowler Nordheim曲线上存在一转折点Es(“饱和”场强 ) ,低场区域 (E <Es)的F N曲线斜率明显高... 利用热丝增强化学气相沉积法 ,在镀Ni的Si基片上成功地生长大面积取向碳纳米管膜 ,并研究了其场发射性质。研究表明 ,碳纳米管膜的场发射Fowler Nordheim曲线上存在一转折点Es(“饱和”场强 ) ,低场区域 (E <Es)的F N曲线斜率明显高于高场 (E >Es)区域。实验证实 ,低场区域的场放大系数 β与极间距d成正比 ,Es 与极间距d成反比 ,它们可用双区域场模型唯像地解释。讨论了高场区域场发射电流“饱和”(变化趋缓 ) 展开更多

关键词 取向碳纳米管膜 场发射 Fowler-Nordheim公式 场放大系数β

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低压气相合成金刚石的机理研究新进展 被引量：4

11

作者 孙碧武 林彰达 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第3期149-163,共15页

本文第1部分评述了低压气相合成金刚石的进展。第2部分介绍了用表面分析方法和HREM对金刚石(111)和(100)面的生长机理,原子氢和氧对金刚石生长本身的影响,亚稳态条件下金刚石的晶形显露规律,硅衬底上的形核机理和初期生长规律进行研究... 本文第1部分评述了低压气相合成金刚石的进展。第2部分介绍了用表面分析方法和HREM对金刚石(111)和(100)面的生长机理,原子氢和氧对金刚石生长本身的影响,亚稳态条件下金刚石的晶形显露规律,硅衬底上的形核机理和初期生长规律进行研究所取得的重要进展。 展开更多

关键词 金刚石 气相沉积 低压合成

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量子阱态光电子谱研究的理论模型

12

作者 王得勇 刘杰 +2 位作者 贾金锋 刘洪 薛其坤 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期532-537,共6页

近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究。为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型。介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量... 近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究。为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型。介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽。线宽由准粒子寿命的倒数,以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢k以及电子在表面和界面相位移之和Φ决定了峰的位置。 展开更多

关键词 光电子学 量子阱态 近自由电子模型 相位积累模型 电子干涉模型 光电子谱

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低温生长AlGaAs／GaAs多量子阱中的超快过程研究

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作者 李春勇 傅盘铭 +7 位作者 汪力 张治国 魏彦锋 赵士平 杨乾声 韩英军 郭丽伟 黄绮 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期119-120,共2页

半导体材料无论在应用领域，还是在基础研究中都有重要的意义，对其中超快过程的研究近年来已成为研究的热点之一．低温生长的AlGaAs／GaAs多量子阱材料具有超短的非平衡载流子复合寿命，广泛应用于超快光学元件中．我们利用飞秒激光泵... 半导体材料无论在应用领域，还是在基础研究中都有重要的意义，对其中超快过程的研究近年来已成为研究的热点之一．低温生长的AlGaAs／GaAs多量子阱材料具有超短的非平衡载流子复合寿命，广泛应用于超快光学元件中．我们利用飞秒激光泵浦一探测技术对其中的超快过程进行了研究。 展开更多

关键词 低温生长 AlGaAs/GaAs多量子阱 超快过程 飞秒激光泵浦

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全密封超薄碳纳米管玻璃平板字符显示器件制造工艺的初步探讨 被引量：4

14

作者 李宏彦 刘光诒 +5 位作者 夏善红 叶久龙 杨久霞 支春义 王恩哥 戴居丰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期476-480,共5页

利用自制的场助热丝化学气相沉积设备,在不锈钢电极的部分选取表面上,摸索出了直接生长碳纳米管(CNT s)勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜,研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射(CNT s/FEA)阴极的新方... 利用自制的场助热丝化学气相沉积设备,在不锈钢电极的部分选取表面上,摸索出了直接生长碳纳米管(CNT s)勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜,研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射(CNT s/FEA)阴极的新方法。经真空条件下的发射特性测量及SEM等检测手段肯定了这种CNT s/FEA阴极的实用性。从工艺流程角度出发,初步探讨了静态工作制式下,采用碳纳米管做电极后,实现一种全密封超薄碳纳米管玻璃真空字符(或图像)显示器件的可能性。10多只封离管共显示过3种类型的字型(图像),全部管厚仅为2·7mm。实验结果不仅提供了一种碳纳米管阴极在玻璃真空平板型器件内应用的方法,也摸索出了一条实现小尺寸双色(或多色)字符(图像)静态(或动态)显示的廉价、节能途径。 展开更多

关键词 碳纳米管 阵列场电子发射电子源 平板型字符显示器件 场助(或偏置增强)热丝化学气相沉积 二极管 荧光粉

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金刚石晶形显露的化学控制 被引量：2

15

作者 陈友存 谢仿卿 +1 位作者 张青哲 林章达 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第9期799-803,共5页

采用热丝化学气相沉积法（HPCV），研究了N2、O2对金刚石晶形显露的影响。发现微量的氮气的加入（[N2]／[CH4]＜1％）有利于金刚石（100）晶面的显露，且不会降低金刚石晶形的完整性；微量氧的加入有利于金刚石（111）面显露．采用氧辅... 采用热丝化学气相沉积法（HPCV），研究了N2、O2对金刚石晶形显露的影响。发现微量的氮气的加入（[N2]／[CH4]＜1％）有利于金刚石（100）晶面的显露，且不会降低金刚石晶形的完整性；微量氧的加入有利于金刚石（111）面显露．采用氧辅助控制金刚石膜（111）织构生长，可以使X射线（111）峰摇摆曲线的半宽降到6．2°．氮或氧的加入扩大了织构生长金刚石（100）或（111）膜的基片温度范围． 展开更多

关键词 金刚石 织构生长 化学气相沉淀 晶形

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全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长(英文) 被引量：1

16

作者 贾金锋 厉建龙 +12 位作者 梁学锦 刘熙 王俊忠 刘洪 窦瑞芬 徐茂杰 潘明虎 李绍春 薛其坤 李志强 John S Tse 张振宇 张绳百 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期270-278,共9页

我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法。该方法的普适性通过研究Si(1 1 1 ) - 7× 7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实。通过对In团族点阵的... 我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法。该方法的普适性通过研究Si(1 1 1 ) - 7× 7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实。通过对In团族点阵的原位扫描隧道显微镜分析和第一性原理总能量计算 ,我们确定了这些团簇独特的原子结构 ,阐明了这些结构的形成机理。 展开更多

关键词 全同周期排列 纳米闭簇阵列 自发生长 扫描隧道显微镜 分子束外延 纳米团簇 人造团簇超晶格 第一性原理理论

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用于量子化霍尔电阻标准的GaAs／AlGaAs异质结二维电子气结构 被引量：1

17

作者 钟源 贺青 +4 位作者 钟青 鲁云峰 赵建亭 王文新 田海涛 《计量学报》 CSCD 北大核心 2010年第6期543-546,共4页

设计并利用分子束外延生长了GaAs／AlGaAs异质结结构，以制作应用于中国电阻基准的量子化霍尔电阻器件。报道了这种制作量子化霍尔电阻器件的步骤及结果，讨论了利用77K下二维电子气的载流子浓度和迁移率数据初步判断其是否适合用于量... 设计并利用分子束外延生长了GaAs／AlGaAs异质结结构，以制作应用于中国电阻基准的量子化霍尔电阻器件。报道了这种制作量子化霍尔电阻器件的步骤及结果，讨论了利用77K下二维电子气的载流子浓度和迁移率数据初步判断其是否适合用于量子化霍尔电阻标准的方法和该方法的局限性。 展开更多

关键词 计量学 量子化霍尔电阻标准 GaAs/AlGaAs异质结 二维电子气

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TiC_x/NiAl复合材料界面纳米硬度与弹性模量分布 被引量：1

18

作者 华文深 吴杏芳 +2 位作者 陆华 沈电洪 M.Polak 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期8-11,15,共5页

对C、Ti比x分别为 0 .6、0 .75、0 .8和 0 .9的四种不同TiCx/NiAl复合材料进行扫描电镜研究 ,发现陶瓷颗粒随着C、Ti比的增加而变小 ,并且Ti元素向金属相存在较强的扩散 ,而Ni和Al元素几乎没有向陶瓷相中扩散 ,扩散形成了两相界面处直... 对C、Ti比x分别为 0 .6、0 .75、0 .8和 0 .9的四种不同TiCx/NiAl复合材料进行扫描电镜研究 ,发现陶瓷颗粒随着C、Ti比的增加而变小 ,并且Ti元素向金属相存在较强的扩散 ,而Ni和Al元素几乎没有向陶瓷相中扩散 ,扩散形成了两相界面处直接的原子结合 ,提高了复合材料相界面结合的强度和韧性。利用纳米压痕技术得出材料相界面附近的纳米硬度H和弹性模量E呈连续梯度分布 ,C、Ti比为 0 .75的复合材料相界面处的纳米硬度和弹性模量值较大。 展开更多

关键词 微结构 纳米硬度 弹性模量 复合材料 界面

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扫描隧道显微学在薄膜量子生长中的应用 被引量：1

19

作者 薛其坤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期243-243,共1页

关键词 薄膜材料 量子力学 扫描隧道 显微学 一维方势阱 电子态密度 应用 生长 干涉现象

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量子阱态对Pb薄膜局域功函数的调制

20

作者 齐云 马旭村 +4 位作者 姜鹏 付英双 季帅华 贾金锋 薛其坤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期377-377,共1页

关键词 量子阱 Pb 薄膜 功函数 调制 局域 超导转变温度 物理性质 能量本征态

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