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钨丝上原位加热生长的WO_(3-x)纳米棒的结构与缺陷研究
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作者 张怀若 刘立宝 +5 位作者 陈寒元 刘飞 丰敏 虞红春 高鸿钧 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期366-366,共1页
关键词 半导体材料 氧化钨纳米棒 结构分析 原位加热生长 扫描电子显微镜
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高温液相还原法制备钴纳米晶及其二维有序阵列 被引量:2
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作者 苏轶坤 申承民 +3 位作者 杨天中 杨海涛 高鸿钧 力虎林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期227-229,共3页
The monodisperse magnetic cobalt nanocrystals(NCs) of 7 nm in diameter were prepared by using high temperature solution phase reducing method. The UV-Vis spectrum showed that the cobalt NCs was stable. The structure o... The monodisperse magnetic cobalt nanocrystals(NCs) of 7 nm in diameter were prepared by using high temperature solution phase reducing method. The UV-Vis spectrum showed that the cobalt NCs was stable. The structure of the cobalt NCs were determined by XRD. The results showed that each of the cobalt nanoparticles is a single crystal with a complex cubic structure relating to the β phase of manganese. The XPS spectra indicate that the surface of Co nanoparticles was not oxidized or formed other compound. Two-dimensional order superlattices of the Co nanoparticles were formed by self-assembly technique. 展开更多
关键词 磁性钴纳米晶 制备 高温液相还原法 二维有序阵列 表面活性剂 自组装
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轴向应变导致柔性电路的裂化研究
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作者 刘虹雯 郭海明 +5 位作者 王业亮 高鸿钧 刘盛 Kamgar A Gleskova H Wagner S 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期142-144,共3页
本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形Si和SiNx 薄膜的裂化规律。结果表明 ,在单轴向拉力应变下 ,虽然衬底仍保持完整 ,但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列。当应变大于一个临界值后 ,裂纹的密度成线性增长。
关键词 柔性电路 轴向应变 裂化 半导体薄膜 裂纹宽度 原子力显微镜
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基于超高密度信息存储薄膜制备的研究进展 被引量:1
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作者 张秀清 潘礼庆 +3 位作者 蔡莉 郭海明 申承民 高鸿钧 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期4-6,共3页
信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率。存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的。薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术。... 信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率。存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的。薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术。从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展。 展开更多
关键词 超高密度信息存储 存储介质薄膜 薄膜制备 扫描探针显微镜
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