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GaN基发光二极管研究进展被引量：4: 1; 作者邢志刚贾海强 +1 位作者王文新陈弘《中国材料进展》 CAS CSCD 2009年第7期16-19,共4页; GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件,在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状,本研究组做出了有意义的富有创新性的工作:提出的宽... 展开更多; 关键词发光二极管氮化镓晶体生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

量子阱带间跃迁探测器基础研究(特邀): 2; 作者岳琛杨浩军 +9 位作者吴海燕李阳锋孙令邓震杜春花江洋马紫光王文新贾海强陈弘《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第1期52-57,共6页; 在最近的实验中,PN结型量子阱结构被观察到反常的载流子输运情况,其相应的物理机制和载流子输运模型被提出。通过系统实验观察到,PN结量子阱结构材料在共振激发模式下,仍可测出开路电压或短路电流。对比开路和短路情况下的光致荧光(PL)... 展开更多; 关键词探测器量子阱载流子输运; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ni^(3+)抑制具有阴离子氧化还原活性钠离子电池正极材料的电压衰减: 3; 作者胡紫霖牛耀申 +1 位作者容晓晖胡勇胜《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第6期54-56,共3页; 由于钠资源丰富,钠离子电池在大规模储能方面显示出巨大的潜力。随着近年来研究的深入,在正极材料中引入适量的阴离子氧化还原可以有效地提升钠离子电池的能量密度,同时减少高成本过渡金属元素如V、Co和Ni等的用量。有研究表明,材料循... 展开更多; 关键词钠离子电池阴离子氧化还原电压衰减单相固溶反应; 在线阅读下载PDF 职称材料

国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜被引量：10: 4; 作者陈耀王文新 +5 位作者黎艳江洋徐培强马紫光宋京陈弘《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期896-901,共6页; 采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 ar... 展开更多; 关键词 GAN ALN SIC衬底 MOCVD X射线衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

含硅负极在硫化物全固态电池中的应用被引量：4: 5; 作者闫汶琳吴凡 +1 位作者李泓陈立泉《储能科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期821-835,共15页; 硫化物固态电解质具有超高离子电导率和优良力学性能,是实现全固态电池最有希望的技术路线之一。为进一步提高硫化物全固态电池的能量密度,促进其应用,理论比容量接近石墨10倍(3759 mA·h/g)的硅负极材料具有极佳的应用前景。并且S... 展开更多; 关键词硫化物固态电解质含硅负极全固态电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文）被引量：1: 6; 作者孙庆灵王禄 +6 位作者姚官生曹先存王文奇孙令王文新贾海强陈弘《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期386-388,共3页; 采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.; 关键词分子束外延(MBE) 铟砷锑组分控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

高效铌酸锂薄膜波导模斑转换器设计被引量：1: 7; 作者丁国建王晓晖 +4 位作者冯琦于萍贾海强陈弘汪洋《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期273-281,共9页; 铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就... 展开更多; 关键词集成光学模斑转换器三维有限差分光束传播法铌酸锂薄膜耦合效率单模光纤; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN基发光二极管研究进展被引量：4: 1; 作者邢志刚贾海强王文新陈弘; 机构中国科学院物理研究所清洁能源实验室; 出处《中国材料进展》 CAS CSCD 2009年第7期16-19,共4页; 文摘 GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件,在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状,本研究组做出了有意义的富有创新性的工作:提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高;通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层,制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED。; 关键词发光二极管氮化镓晶体生长; Keywords light-emitting diodes gallium nitride crystal growth; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名量子阱带间跃迁探测器基础研究(特邀): 2; 作者岳琛杨浩军吴海燕李阳锋孙令邓震杜春花江洋马紫光王文新贾海强陈弘; 机构中国科学院物理研究所清洁能源重点实验室中国科学院大学; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第1期52-57,共6页; 基金国家自然科学基金(61991441,11574362,61210014,11374340,11474205) 国家科技支撑计划(2016YFB0400302)。; 文摘在最近的实验中,PN结型量子阱结构被观察到反常的载流子输运情况,其相应的物理机制和载流子输运模型被提出。通过系统实验观察到,PN结量子阱结构材料在共振激发模式下,仍可测出开路电压或短路电流。对比开路和短路情况下的光致荧光(PL)光谱,发现短路下PL强度明显降低。这说明短路状态下的光生载流子没有被限制在量子阱内,而是逃逸出结区。这种载流子逃出量子阱的现象却没有在等量偏压下的NN型量子阱结构中发现,说明载流子逃出量子阱并非由传统的热激发或隧穿的作用导致。据此,笔者提出了相应的物理机制和载流子输运模型对此现象进行解释,认为光生载流子能在PN结内建电场的作用下直接逃出量子阱,并且辐射复合发光发生在载流子逃逸过程之后。; 关键词探测器量子阱载流子输运; Keywords photodetector quantum well carrier transport; 分类号 O471 [理学—半导体物理] O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ni^(3+)抑制具有阴离子氧化还原活性钠离子电池正极材料的电压衰减: 3; 作者胡紫霖牛耀申容晓晖胡勇胜; 机构中国科学院物理研究所清洁能源实验室中国科学院大学材料与光电技术学院长三角物理研究中心有限公司中国科学院物理研究所怀柔分部; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第6期54-56,共3页; 基金国家重点研发规划(2022YFB2402500) 国家自然科学基金(51725206,52122214,52072403,52002394) +2 种基金北京市自然科学基金(2212022) 中国科协青年人才托举工程(2022QNRC001)资助项目。; 文摘由于钠资源丰富,钠离子电池在大规模储能方面显示出巨大的潜力。随着近年来研究的深入,在正极材料中引入适量的阴离子氧化还原可以有效地提升钠离子电池的能量密度,同时减少高成本过渡金属元素如V、Co和Ni等的用量。有研究表明,材料循环过程中不可逆的氧损失以及Mn^(4+)/Mn^(3+)氧化还原的激活,导致了层状氧化物正极材料持续的电压衰减。本工作通过在Na_(x)[Li,Ni,Mn]O_(2)基钠离子电池正极材料中引入Ni^(3+)作为Mn^(4+)/Mn^(3+)氧化还原屏障,利用Ni^(3+)/Ni^(2+)的氧化还原代替Mn^(4+)/Mn^(3+)的氧化还原,成功抑制了材料的电压衰减。电化学测试结果显示,改性材料在不损失容量的前提下,循环稳定性得到明显提升。X射线光电子能谱结果也验证了Ni3^(+)的引入有利于维持材料多周循环后Mn价态的稳定。; 关键词钠离子电池阴离子氧化还原电压衰减单相固溶反应; Keywords Na-ion battery Anion-redox Voltage decay Single-phase solid solution reaction; 分类号 O646 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜被引量：10: 4; 作者陈耀王文新黎艳江洋徐培强马紫光宋京陈弘; 机构北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所清洁能源实验室天津中环新光科技有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期896-901,共6页; 基金国家自然科学基金(50872146 60877006 +1 种基金 60890192/F0404) 科技部973(2010CB327501)资助项目; 文摘采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果。文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小。; 关键词 GAN ALN SIC衬底 MOCVD X射线衍射; Keywords GaN AlN SiC MOCVD XRD; 分类号 O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名含硅负极在硫化物全固态电池中的应用被引量：4: 5; 作者闫汶琳吴凡李泓陈立泉; 机构天目湖先进储能技术研究院中国科学院物理所长三角研究中心中国科学院物理研究所中国科学院大学; 出处《储能科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期821-835,共15页; 基金江苏省科技厅重点研发计划重点项目(BE2020003) 国家自然科学基金重点项目-汽车联合基金(U1964205) +2 种基金中国科学院海外杰出人才引进计划,中科院物理所长三角物理研究中心和天目湖先进储能技术研究院“科学家工作室”研发项目(TIESSS0001)。; 文摘硫化物固态电解质具有超高离子电导率和优良力学性能,是实现全固态电池最有希望的技术路线之一。为进一步提高硫化物全固态电池的能量密度,促进其应用,理论比容量接近石墨10倍(3759 mA·h/g)的硅负极材料具有极佳的应用前景。并且Si负极和硫化物固态电解质结合,可规避Si负极在液态电池中重复生成固态电解质界面层(SEI)的问题,充分发挥Si负极的高容量,同时利用硫化物较好的力学性能缓冲硅负极巨大的体积膨胀,改善固固接触,促进离子扩散,有望实现高能量密度电池的长效循环。虽然含Si负极硫化物全固态电池极具实用前景,但是目前研究尚处于起步阶段,缺少成熟有效的表征手段和对基础科学问题的深入理解,全电池性能较差、容量衰减过快、比能量还有很大提升空间。为加速推进含Si负极硫化物全固态电池的研究进程,本文总结了近年来该领域的相关工作,分类论述了3种类型的含Si负极硫化物全固态电池(粉饼电池、湿法涂覆电池、薄膜电池),综合分析了影响其性能的关键因素,并阐明通过减小Si的颗粒尺寸、外加应力、设置合适的截止电压、调控硫化物电解质的杨氏模量等手段可以有效优化含Si负极硫化物全固态电池的性能。最后,本文分析了目前该领域面临的问题和挑战,指出未来发展趋势。; 关键词硫化物固态电解质含硅负极全固态电池; Keywords sulfide solid-state electrolyte Si-based anode all-solid-state batteries; 分类号 O643 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文）被引量：1: 6; 作者孙庆灵王禄姚官生曹先存王文奇孙令王文新贾海强陈弘; 机构中国科学院物理研究所清洁能源重点实验室中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京新能源材料与器件重点实验室中国空空导弹研究院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期386-388,共3页; 基金 Supported by Aeronautical Science Foundation of China(20132435,20142435001) China Postdoctoral Science Foundation(2014M560936) General armaments department common technology project foundation(9140A12050414ZK33-001); 文摘采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.; 关键词分子束外延(MBE) 铟砷锑组分控制; Keywords molecular beam epitaxy （ MBE）, InAsSb, composition control; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高效铌酸锂薄膜波导模斑转换器设计被引量：1: 7; 作者丁国建王晓晖冯琦于萍贾海强陈弘汪洋; 机构松山湖材料实验室中国科学院物理研究所清洁能源重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期273-281,共9页; 文摘铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就是铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤的高效耦合。针对这一问题,设计了一种基于SiO_(2)、SiON锥形结构以及双层铌酸锂锥形结构的模斑转换器,实现铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤之间模式和能量的高效传递与转换。采用三维有限差分光束传播法对器件结构进行了模拟仿真,并优化了结构参数,可实现与铌酸锂薄膜波导与单模光纤的高效耦合,耦合效率在82.2%~89.0%之间,同时,得到了±1.8μm光纤耦合对准容差,可为下一步制备出高效耦合的铌酸锂薄膜光子器件提供参考。; 关键词集成光学模斑转换器三维有限差分光束传播法铌酸锂薄膜耦合效率单模光纤; Keywords integrated optics mode size converter three-dimensional finite difference beam propagation method lithium niobate film coupling efficiency single mode fiber; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN基发光二极管研究进展	邢志刚贾海强王文新陈弘	《中国材料进展》 CAS CSCD	2009	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	量子阱带间跃迁探测器基础研究(特邀)	岳琛杨浩军吴海燕李阳锋孙令邓震杜春花江洋马紫光王文新贾海强陈弘	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ni^(3+)抑制具有阴离子氧化还原活性钠离子电池正极材料的电压衰减	胡紫霖牛耀申容晓晖胡勇胜	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜	陈耀王文新黎艳江洋徐培强马紫光宋京陈弘	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	10	在线阅读下载PDF 职称材料
5	含硅负极在硫化物全固态电池中的应用	闫汶琳吴凡李泓陈立泉	《储能科学与技术》 CAS CSCD 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文）	孙庆灵王禄姚官生曹先存王文奇孙令王文新贾海强陈弘	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	高效铌酸锂薄膜波导模斑转换器设计	丁国建王晓晖冯琦于萍贾海强陈弘汪洋	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料