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具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性
被引量：
5
1
作者
王小丽
王文新
+5 位作者
江洋
马紫光
崔彦翔
贾海强
宋京
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1152-1158,共7页
研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光...
研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光致发光(PL)谱均出现了双发光峰。我们认为这两个峰分别来自于量子点和量子阱,且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温PL积分强度的Arrhenius拟合表明,SL插入结构并没有在MQW中引入新的缺陷,使其发光效率下降。
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关键词
INGAN/GAN多量子阱
超晶格
电致发光
光致发光
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职称材料
题名
具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性
被引量：
5
1
作者
王小丽
王文新
江洋
马紫光
崔彦翔
贾海强
宋京
陈弘
机构
中国科学院物理研究所清洁能源前沿研究重点实验室
天津中环新光科技有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1152-1158,共7页
基金
国家自然科学基金(60877006
60890192/F0404
+1 种基金
50872146)
科技部"973"计划(2010CB327501)资助项目
文摘
研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光致发光(PL)谱均出现了双发光峰。我们认为这两个峰分别来自于量子点和量子阱,且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温PL积分强度的Arrhenius拟合表明,SL插入结构并没有在MQW中引入新的缺陷,使其发光效率下降。
关键词
INGAN/GAN多量子阱
超晶格
电致发光
光致发光
Keywords
InGaN/GaN multi-quantum wells
superlattices
electroluminescence
photoluminescence
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性
王小丽
王文新
江洋
马紫光
崔彦翔
贾海强
宋京
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
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