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PZT/YBCO异质结电容在超导临界温区反常跳变的机理研究
1
作者
谢中
赵立华
+2 位作者
赵柏儒
王祝盈
黄桂芳
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期48-53,共6页
运用 HP4 2 84 A通过对不同质量样品的实验研究比较 ,对PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究 .以一个物理参数等效电路模型 ,揭示了 PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因 ,给出了薄膜的漏电...
运用 HP4 2 84 A通过对不同质量样品的实验研究比较 ,对PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究 .以一个物理参数等效电路模型 ,揭示了 PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因 ,给出了薄膜的漏电阻 。
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关键词
PZT/YBCO异质结
反常电容跳变
超导临界温度
铁电薄膜
电容器
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职称材料
高温超导薄膜电子显微结构的研究
2
作者
李林
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996年第2期170-182,共13页
本文报导了超导实验室用H9000NA分析型电镜观察高温超导薄膜的结果,表明:激光淀积的YBCO薄膜易于出现非超导的大颗粒,提高了薄膜的表面微波电阻。但工艺若掌握得好时可生成单晶薄膜,适用于无源微波器件。磁控溅射的YBCO/STO/YBCO三层膜...
本文报导了超导实验室用H9000NA分析型电镜观察高温超导薄膜的结果,表明:激光淀积的YBCO薄膜易于出现非超导的大颗粒,提高了薄膜的表面微波电阻。但工艺若掌握得好时可生成单晶薄膜,适用于无源微波器件。磁控溅射的YBCO/STO/YBCO三层膜需要控制好底YBCO层的生长温度,使膜中无α-取向晶粒出现,由于α-取向晶粒生长速度数量级的快于c-取向膜,而穿透STO导致漏电。LAO基片的质量不好,生长的T1-2212薄膜的质量也不好,缺陷及孔洞较多,并生有LAO/膜的非晶过渡层,超导性能不好;超导性能好的T1-膜正在观察中。
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关键词
高温超导薄膜
YBCO
T1-2212
微观结构
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职称材料
题名
PZT/YBCO异质结电容在超导临界温区反常跳变的机理研究
1
作者
谢中
赵立华
赵柏儒
王祝盈
黄桂芳
机构
湖南大学材料
科学
与工程
学院
中国科学院物理研究所国家超导重点实验室
出处
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期48-53,共6页
基金
湖南省自然科学基金资助项目 ( OOJJY1 0 0 7)
文摘
运用 HP4 2 84 A通过对不同质量样品的实验研究比较 ,对PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区的跳变行为进行了系统的研究 .以一个物理参数等效电路模型 ,揭示了 PZT/ YBCO异质结电容值在超导临界温区跳变行为的起因 ,给出了薄膜的漏电阻 。
关键词
PZT/YBCO异质结
反常电容跳变
超导临界温度
铁电薄膜
电容器
Keywords
PZT/YBCO heterostructure
abnormal capacitance jump
superconductor critical temperature
分类号
TM53 [电气工程—电器]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
高温超导薄膜电子显微结构的研究
2
作者
李林
机构
中国科学院物理研究所国家超导重点实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996年第2期170-182,共13页
文摘
本文报导了超导实验室用H9000NA分析型电镜观察高温超导薄膜的结果,表明:激光淀积的YBCO薄膜易于出现非超导的大颗粒,提高了薄膜的表面微波电阻。但工艺若掌握得好时可生成单晶薄膜,适用于无源微波器件。磁控溅射的YBCO/STO/YBCO三层膜需要控制好底YBCO层的生长温度,使膜中无α-取向晶粒出现,由于α-取向晶粒生长速度数量级的快于c-取向膜,而穿透STO导致漏电。LAO基片的质量不好,生长的T1-2212薄膜的质量也不好,缺陷及孔洞较多,并生有LAO/膜的非晶过渡层,超导性能不好;超导性能好的T1-膜正在观察中。
关键词
高温超导薄膜
YBCO
T1-2212
微观结构
Keywords
superconductivity thin film electron microsopy
分类号
O511 [理学—低温物理]
O484 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
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1
PZT/YBCO异质结电容在超导临界温区反常跳变的机理研究
谢中
赵立华
赵柏儒
王祝盈
黄桂芳
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
2
高温超导薄膜电子显微结构的研究
李林
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996
0
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已选择
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引证文献
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