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整数阶复宗量贝塞尔函数的计算程序研究
被引量：
1
1
作者
任宏红
郭迎春
王兵兵
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期76-82,92,共8页
鉴于目前的算法程序集中没有现成的计算复宗量贝塞尔函数的程序,本文基于贝塞尔函数的逆向递推关系编写了计算整数阶复宗量第一类贝塞尔函数的Fortran程序源代码与Matlab软件的计算结果比较,两者至少有12位有效数字一致.接着运用此程序...
鉴于目前的算法程序集中没有现成的计算复宗量贝塞尔函数的程序,本文基于贝塞尔函数的逆向递推关系编写了计算整数阶复宗量第一类贝塞尔函数的Fortran程序源代码与Matlab软件的计算结果比较,两者至少有12位有效数字一致.接着运用此程序,分析了徐士良的《FORTRAN常用算法程序集》中的纯虚宗量的贝塞尔函数,即变形贝塞尔函数程序的准确度,发现其准确度为6位有效数字.最后,对基于实宗量贝塞尔函数和纯虚宗量贝塞尔函数相乘然后用无限求和来计算复宗量贝塞尔函数值的方法的准确性进行了探讨.证明其仅能对有限的贝塞尔函数进行准确计算.这是由于当求和项中有远大于最终的求和项时,会导致求和结果的有效数字减少甚至完全错误.
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关键词
复宗量贝塞尔函数
Fortran源程序
逆递推计算
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职称材料
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
被引量：
2
2
作者
李辉
何涛
+3 位作者
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期789-792,共4页
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束...
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
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关键词
气源分子束外延
锗硅量子点
激子
光致荧光
热猝灭
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职称材料
题名
整数阶复宗量贝塞尔函数的计算程序研究
被引量：
1
1
作者
任宏红
郭迎春
王兵兵
机构
华东师范大学
物理
与材料
科学
学院
中国科学院物理研究所凝聚态物理国家重点实验室
光
物理
实验室
出处
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期76-82,92,共8页
基金
国家自然科学基金(61275128
11474348)
文摘
鉴于目前的算法程序集中没有现成的计算复宗量贝塞尔函数的程序,本文基于贝塞尔函数的逆向递推关系编写了计算整数阶复宗量第一类贝塞尔函数的Fortran程序源代码与Matlab软件的计算结果比较,两者至少有12位有效数字一致.接着运用此程序,分析了徐士良的《FORTRAN常用算法程序集》中的纯虚宗量的贝塞尔函数,即变形贝塞尔函数程序的准确度,发现其准确度为6位有效数字.最后,对基于实宗量贝塞尔函数和纯虚宗量贝塞尔函数相乘然后用无限求和来计算复宗量贝塞尔函数值的方法的准确性进行了探讨.证明其仅能对有限的贝塞尔函数进行准确计算.这是由于当求和项中有远大于最终的求和项时,会导致求和结果的有效数字减少甚至完全错误.
关键词
复宗量贝塞尔函数
Fortran源程序
逆递推计算
Keywords
Bessel function with complex arguments
Fortran source code
backward recurrence relation of Bessel function
分类号
O411.2 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
被引量：
2
2
作者
李辉
何涛
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
机构
中国科学院物理研究所凝聚态物理国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期789-792,共4页
基金
国家自然科学基金(10471026
10874212)资助项目
文摘
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
关键词
气源分子束外延
锗硅量子点
激子
光致荧光
热猝灭
Keywords
gas source MBE
GeSi quantum dots
exciton
PL
thermal quenching
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
整数阶复宗量贝塞尔函数的计算程序研究
任宏红
郭迎春
王兵兵
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
李辉
何涛
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
在线阅读
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职称材料
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