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脉冲电子束系统沉积高温超导薄膜研究
1
作者
陈雷明
张燕
+2 位作者
杜银霄
李广成
郭艳峰
《重庆科技学院学报（自然科学版）》
CAS
2010年第1期98-100,共3页
高温超导薄膜生长是研究超导现象和超导器件的基础,一直是凝聚态物理研究的一个重要课题。各种各样的薄膜生长方法都被应用于高温超导薄膜的生长研究。采用一种崭新的薄膜沉积设备——脉冲电子束沉积系统(PED)成功制备出了NCCO、LSCO高...
高温超导薄膜生长是研究超导现象和超导器件的基础,一直是凝聚态物理研究的一个重要课题。各种各样的薄膜生长方法都被应用于高温超导薄膜的生长研究。采用一种崭新的薄膜沉积设备——脉冲电子束沉积系统(PED)成功制备出了NCCO、LSCO高温超导薄膜,并通过优化沉积参数,获得了具有良好表面形貌和超导转变特性的高温超导薄膜。
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关键词
脉冲电子束系统
超导薄膜
靶材
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职称材料
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
被引量：
2
2
作者
李辉
何涛
+3 位作者
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期789-792,共4页
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束...
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
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关键词
气源分子束外延
锗硅量子点
激子
光致荧光
热猝灭
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职称材料
题名
脉冲电子束系统沉积高温超导薄膜研究
1
作者
陈雷明
张燕
杜银霄
李广成
郭艳峰
机构
郑州航空工业管理
学院
中国科学院物理研究所
北京
凝聚
态
物理
国家
重点
实验室
出处
《重庆科技学院学报（自然科学版）》
CAS
2010年第1期98-100,共3页
基金
国家自然科学基金面上项目(60571029)
河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(2008A140013)
河南省科技攻关计划项目(092102210166)
文摘
高温超导薄膜生长是研究超导现象和超导器件的基础,一直是凝聚态物理研究的一个重要课题。各种各样的薄膜生长方法都被应用于高温超导薄膜的生长研究。采用一种崭新的薄膜沉积设备——脉冲电子束沉积系统(PED)成功制备出了NCCO、LSCO高温超导薄膜,并通过优化沉积参数,获得了具有良好表面形貌和超导转变特性的高温超导薄膜。
关键词
脉冲电子束系统
超导薄膜
靶材
Keywords
pulsed electron beam deposition
superconducting film
target material
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
被引量：
2
2
作者
李辉
何涛
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
机构
中国科学院物理研究所凝聚态物理国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期789-792,共4页
基金
国家自然科学基金(10471026
10874212)资助项目
文摘
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
关键词
气源分子束外延
锗硅量子点
激子
光致荧光
热猝灭
Keywords
gas source MBE
GeSi quantum dots
exciton
PL
thermal quenching
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲电子束系统沉积高温超导薄膜研究
陈雷明
张燕
杜银霄
李广成
郭艳峰
《重庆科技学院学报（自然科学版）》
CAS
2010
0
在线阅读
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职称材料
2
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
李辉
何涛
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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