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蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文): 1; 作者于乃森郭丽伟 +5 位作者彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期17-20,共4页; 采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高... 展开更多; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积微区拉曼光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

扭曲向列相液晶盒光电自适应系统的研究与设计被引量：2: 2; 作者杨润邢红玉 +1 位作者叶文江张志东《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2012年第6期74-77,共4页; 基于扭曲向列相(TN:Twisted Nematic)液晶盒的电光效应与光电板的光电效应原理,运用单片机的相关知识,设计了扭曲向列相液晶盒光电自适应系统.通过光电板对光强变化的反应来自动调节TN盒(常黑结构)上的驱动电压,有目的调节TN盒的透射光... 展开更多; 关键词扭曲向列相液晶盒自适应电光效应光电效应单片机; 在线阅读下载PDF 职称材料

气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光被引量：2: 3; 作者李辉何涛 +3 位作者戴隆贵王小丽王文新陈弘《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期789-792,共4页; 利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束... 展开更多; 关键词气源分子束外延锗硅量子点激子光致荧光热猝灭; 在线阅读下载PDF 职称材料

原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文) 被引量：3: 4; 作者李夏南于乃森 +2 位作者曹保胜丛妍周均铭《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期776-779,共4页; 研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显... 展开更多; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积应力原位氮化硅掩膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

电位控制ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面上的自组装: 5; 作者景怀宇李明麦振洪《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1711-1715,共5页; 通过控制固/液界面电极电位的方式,控制表面活性剂和金属离子在电极表面的自组装,制备出了高度取向的ZnO/表面活性剂复合多层膜.对无机层形态和结构进行了分析,并采用X射线反射率和X射线漫散射研究了电极电位控制下ZnO/表面活性剂复合... 展开更多; 关键词电化学自组装 ZnO/表面活性剂复合多层膜电极电位 X射线; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文): 1; 作者于乃森郭丽伟彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭; 机构大连民族学院理学院光电子研究所中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期17-20,共4页; 基金大连民族学院博士科研启动基金(No.20096206); 文摘采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量。另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度。研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度。; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积微区拉曼光谱; Keywords GaN MOCVD Micro-Raman spectroscopy; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名扭曲向列相液晶盒光电自适应系统的研究与设计被引量：2: 2; 作者杨润邢红玉叶文江张志东; 机构河北工业大学理学院中国科学院物理研究所凝聚态物理北京国家实验室超导国家重点实验室中国科学院大学; 出处《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2012年第6期74-77,共4页; 基金国家自然科学基金(10974042 11147103 +4 种基金 11274088) 河北省教育厅项目(Z2012061 Z2011133) 河北省高校重点学科资助; 文摘基于扭曲向列相(TN:Twisted Nematic)液晶盒的电光效应与光电板的光电效应原理,运用单片机的相关知识,设计了扭曲向列相液晶盒光电自适应系统.通过光电板对光强变化的反应来自动调节TN盒(常黑结构)上的驱动电压,有目的调节TN盒的透射光强,达到对外界环境自适应的效果,使系统产生一个恒定光强的环境.; 关键词扭曲向列相液晶盒自适应电光效应光电效应单片机; Keywords twisted nematic liquid crystal cell adaptive electro-optic effect photoelectric effect single-chip microcomputer; 分类号 O753.2 [理学—晶体学] TN792 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光被引量：2: 3; 作者李辉何涛戴隆贵王小丽王文新陈弘; 机构中国科学院物理研究所凝聚态物理国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期789-792,共4页; 基金国家自然科学基金(10471026 10874212)资助项目; 文摘利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。; 关键词气源分子束外延锗硅量子点激子光致荧光热猝灭; Keywords gas source MBE GeSi quantum dots exciton PL thermal quenching; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文) 被引量：3: 4; 作者李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭; 机构大连民族学院理学院光电子技术研究所中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期776-779,共4页; 基金大连民族学院博士科研启动基金(No.20096206); 文摘研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积应力原位氮化硅掩膜; Keywords GaN MOCVD stress porous SiNx interlayers; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电位控制ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面上的自组装: 5; 作者景怀宇李明麦振洪; 机构中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室; 出处《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1711-1715,共5页; 基金国家自然科学基金(批准号:10325419 10274096)资助; 文摘通过控制固/液界面电极电位的方式,控制表面活性剂和金属离子在电极表面的自组装,制备出了高度取向的ZnO/表面活性剂复合多层膜.对无机层形态和结构进行了分析,并采用X射线反射率和X射线漫散射研究了电极电位控制下ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面的自组装生长.结果表明,在一定电位下,只有当表面活性剂浓度低于其饱和吸附浓度时,采用阶跃电位沉积方式才能明显改变复合薄膜的周期厚度;恒电位沉积方式控制电极电位时,随着沉积电位的提高,多层膜层状结构由一组层状相变为多组层状相,同时层状结构的取向变差.实验研究结果验证了电化学自组装过程是由金属离子的还原速度和表面活性剂的吸附速度二者共同控制完成的.; 关键词电化学自组装 ZnO/表面活性剂复合多层膜电极电位 X射线; Keywords Electrochemical self-assembly ZnO-surfactant hybrid muhilayer Electrode potential X-ray; 分类号 O646 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文)	于乃森郭丽伟彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	扭曲向列相液晶盒光电自适应系统的研究与设计	杨润邢红玉叶文江张志东	《河北工业大学学报》 CAS 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光	李辉何涛戴隆贵王小丽王文新陈弘	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)	李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	电位控制ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面上的自组装	景怀宇李明麦振洪	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料