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MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究被引量：3: 1; 作者王琰张佳 +2 位作者张晓光王守国韩秀峰《物理学进展》 CSCD 北大核心 2009年第4期375-391,共17页; 在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-... 展开更多; 关键词自旋电子学磁性隧道结(MTJ) 隧穿磁电阻(TMR) MgO(001)单晶势垒第一性原理计算; 在线阅读下载PDF 职称材料

蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文): 2; 作者于乃森郭丽伟 +5 位作者彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期17-20,共4页; 采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高... 展开更多; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积微区拉曼光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

整数阶复宗量贝塞尔函数的计算程序研究被引量：1: 3; 作者任宏红郭迎春王兵兵《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期76-82,92,共8页; 鉴于目前的算法程序集中没有现成的计算复宗量贝塞尔函数的程序,本文基于贝塞尔函数的逆向递推关系编写了计算整数阶复宗量第一类贝塞尔函数的Fortran程序源代码与Matlab软件的计算结果比较,两者至少有12位有效数字一致.接着运用此程序... 展开更多; 关键词复宗量贝塞尔函数 Fortran源程序逆递推计算; 在线阅读下载PDF 职称材料

高平均功率腔内和频蓝光Nd∶YAG激光器被引量：21: 4; 作者毕勇孙志培 +3 位作者李瑞宁张鸿博侯玮许祖彦《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期16-21,共6页; 高平均功率蓝光激光是当前固体激光技术研究热点之一。尽管通过 Nd3+的4F3/2→4I9/2态谱线倍频可获得瓦级蓝光输出,然而其准三能级物理特性严重限制其更高功率输出。研究了 Nd3+ 离子4F3/2→4I13/2态1.3μm谱线腔内三倍频产生高平均功... 展开更多; 关键词全固态激光蓝光腔内和频; 在线阅读下载PDF 职称材料

气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光被引量：2: 5; 作者李辉何涛 +3 位作者戴隆贵王小丽王文新陈弘《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期789-792,共4页; 利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束... 展开更多; 关键词气源分子束外延锗硅量子点激子光致荧光热猝灭; 在线阅读下载PDF 职称材料

原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文) 被引量：3: 6; 作者李夏南于乃森 +2 位作者曹保胜丛妍周均铭《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期776-779,共4页; 研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显... 展开更多; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积应力原位氮化硅掩膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

电位控制ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面上的自组装: 7; 作者景怀宇李明麦振洪《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1711-1715,共5页; 通过控制固/液界面电极电位的方式,控制表面活性剂和金属离子在电极表面的自组装,制备出了高度取向的ZnO/表面活性剂复合多层膜.对无机层形态和结构进行了分析,并采用X射线反射率和X射线漫散射研究了电极电位控制下ZnO/表面活性剂复合... 展开更多; 关键词电化学自组装 ZnO/表面活性剂复合多层膜电极电位 X射线; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究被引量：3: 1; 作者王琰张佳张晓光王守国韩秀峰; 机构中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室美国橡树岭国家实验室CNMS中心; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 2009年第4期375-391,共17页; 基金 "国家重点基础研究发展计划资助"(项目批准号:2006CB932200和2009CB929203) 国家自然科学基金(批准号:10934099 +2 种基金 50928101 50972163) 中国科学院知识创新工程项目课题以及王宽诚基金资助项目; 文摘在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展。这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值。; 关键词自旋电子学磁性隧道结(MTJ) 隧穿磁电阻(TMR) MgO(001)单晶势垒第一性原理计算; Keywords spintronics magnetic tunnel junctions MgO single-crystal barrier first-principles calculation; 分类号 O482.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文): 2; 作者于乃森郭丽伟彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭; 机构大连民族学院理学院光电子研究所中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期17-20,共4页; 基金大连民族学院博士科研启动基金(No.20096206); 文摘采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量。另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度。研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度。; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积微区拉曼光谱; Keywords GaN MOCVD Micro-Raman spectroscopy; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名整数阶复宗量贝塞尔函数的计算程序研究被引量：1: 3; 作者任宏红郭迎春王兵兵; 机构华东师范大学物理与材料科学学院中国科学院物理研究所凝聚态物理国家重点实验室光物理实验室; 出处《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期76-82,92,共8页; 基金国家自然科学基金(61275128 11474348); 文摘鉴于目前的算法程序集中没有现成的计算复宗量贝塞尔函数的程序,本文基于贝塞尔函数的逆向递推关系编写了计算整数阶复宗量第一类贝塞尔函数的Fortran程序源代码与Matlab软件的计算结果比较,两者至少有12位有效数字一致.接着运用此程序,分析了徐士良的《FORTRAN常用算法程序集》中的纯虚宗量的贝塞尔函数,即变形贝塞尔函数程序的准确度,发现其准确度为6位有效数字.最后,对基于实宗量贝塞尔函数和纯虚宗量贝塞尔函数相乘然后用无限求和来计算复宗量贝塞尔函数值的方法的准确性进行了探讨.证明其仅能对有限的贝塞尔函数进行准确计算.这是由于当求和项中有远大于最终的求和项时,会导致求和结果的有效数字减少甚至完全错误.; 关键词复宗量贝塞尔函数 Fortran源程序逆递推计算; Keywords Bessel function with complex arguments Fortran source code backward recurrence relation of Bessel function; 分类号 O411.2 [理学—理论物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高平均功率腔内和频蓝光Nd∶YAG激光器被引量：21: 4; 作者毕勇孙志培李瑞宁张鸿博侯玮许祖彦; 机构中国科学院光电研究院光电系统工程部中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期16-21,共6页; 基金中国科学院知识创新工程重大项目(No.KJCX1 05) 国家 863 计划重大项目(No.2002AA311120) 北京市科委重大项目(No.H020420060060110)资助; 文摘高平均功率蓝光激光是当前固体激光技术研究热点之一。尽管通过 Nd3+的4F3/2→4I9/2态谱线倍频可获得瓦级蓝光输出,然而其准三能级物理特性严重限制其更高功率输出。研究了 Nd3+ 离子4F3/2→4I13/2态1.3μm谱线腔内三倍频产生高平均功率蓝光激光,获得4.3 W蓝光激光输出,重复频率 3.5kHz,脉冲宽度150±10 ns,光束质量M2 因子约为5±1。研究表明:Nd∶YAG晶体1.3μm多谱线振荡是制约实验结果的重要因素,若克服多谱线振荡问题,有望获得10 W级蓝光激光输出。; 关键词全固态激光蓝光腔内和频; Keywords all-solid-state lasers blue lasers intracavity summing frequency; 分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光被引量：2: 5; 作者李辉何涛戴隆贵王小丽王文新陈弘; 机构中国科学院物理研究所凝聚态物理国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期789-792,共4页; 基金国家自然科学基金(10471026 10874212)资助项目; 文摘利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。; 关键词气源分子束外延锗硅量子点激子光致荧光热猝灭; Keywords gas source MBE GeSi quantum dots exciton PL thermal quenching; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文) 被引量：3: 6; 作者李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭; 机构大连民族学院理学院光电子技术研究所中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期776-779,共4页; 基金大连民族学院博士科研启动基金(No.20096206); 文摘研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。; 关键词氮化镓金属有机化学气相沉积应力原位氮化硅掩膜; Keywords GaN MOCVD stress porous SiNx interlayers; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电位控制ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面上的自组装: 7; 作者景怀宇李明麦振洪; 机构中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室; 出处《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1711-1715,共5页; 基金国家自然科学基金(批准号:10325419 10274096)资助; 文摘通过控制固/液界面电极电位的方式,控制表面活性剂和金属离子在电极表面的自组装,制备出了高度取向的ZnO/表面活性剂复合多层膜.对无机层形态和结构进行了分析,并采用X射线反射率和X射线漫散射研究了电极电位控制下ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面的自组装生长.结果表明,在一定电位下,只有当表面活性剂浓度低于其饱和吸附浓度时,采用阶跃电位沉积方式才能明显改变复合薄膜的周期厚度;恒电位沉积方式控制电极电位时,随着沉积电位的提高,多层膜层状结构由一组层状相变为多组层状相,同时层状结构的取向变差.实验研究结果验证了电化学自组装过程是由金属离子的还原速度和表面活性剂的吸附速度二者共同控制完成的.; 关键词电化学自组装 ZnO/表面活性剂复合多层膜电极电位 X射线; Keywords Electrochemical self-assembly ZnO-surfactant hybrid muhilayer Electrode potential X-ray; 分类号 O646 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究	王琰张佳张晓光王守国韩秀峰	《物理学进展》 CSCD 北大核心	2009	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文)	于乃森郭丽伟彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	整数阶复宗量贝塞尔函数的计算程序研究	任宏红郭迎春王兵兵	《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高平均功率腔内和频蓝光Nd∶YAG激光器	毕勇孙志培李瑞宁张鸿博侯玮许祖彦	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	21	在线阅读下载PDF 职称材料
5	气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光	李辉何涛戴隆贵王小丽王文新陈弘	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)	李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	电位控制ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面上的自组装	景怀宇李明麦振洪	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料