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双层钙钛矿(Sr_(2-x)Ba_x)FeMoO_6的结构和电磁性能研究
1
作者
冯晓梅
刘广耀
《南京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期567-570,共4页
利用X射线粉末衍射、R ietve ld结构精修技术及电、磁测试等手段分别对(S r2-xB ax)F eM oO6(0≤x≤2)的晶体结构及电磁性质进行了研究。研究结果表明:对于掺杂含量x≤1.6的(S r2-xB ax)F eM oO6样品,其电阻率温度关系呈金属性,而对于...
利用X射线粉末衍射、R ietve ld结构精修技术及电、磁测试等手段分别对(S r2-xB ax)F eM oO6(0≤x≤2)的晶体结构及电磁性质进行了研究。研究结果表明:对于掺杂含量x≤1.6的(S r2-xB ax)F eM oO6样品,其电阻率温度关系呈金属性,而对于掺杂含量x≥1.7的样品,其电阻率温度关系呈半导体性。居里温度TC在x=0.4处出现极大值。
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关键词
双层钙钛矿结构
电磁性能
X射线衍射(XRD)
居里温度(Tc)
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职称材料
利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)
被引量：
7
2
作者
何涛
陈耀
+5 位作者
李辉
戴隆贵
王小丽
徐培强
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期363-367,共5页
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于...
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。
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关键词
GAN
各向异性
X射线衍射
ALN
缓冲层
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职称材料
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
被引量：
2
3
作者
李辉
何涛
+3 位作者
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期789-792,共4页
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束...
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
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关键词
气源分子束外延
锗硅量子点
激子
光致荧光
热猝灭
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职称材料
题名
双层钙钛矿(Sr_(2-x)Ba_x)FeMoO_6的结构和电磁性能研究
1
作者
冯晓梅
刘广耀
机构
南京航空航天大学材料
科学
与技术
学院
中国科学院物理研究所凝聚态国家重点实验室
出处
《南京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期567-570,共4页
文摘
利用X射线粉末衍射、R ietve ld结构精修技术及电、磁测试等手段分别对(S r2-xB ax)F eM oO6(0≤x≤2)的晶体结构及电磁性质进行了研究。研究结果表明:对于掺杂含量x≤1.6的(S r2-xB ax)F eM oO6样品,其电阻率温度关系呈金属性,而对于掺杂含量x≥1.7的样品,其电阻率温度关系呈半导体性。居里温度TC在x=0.4处出现极大值。
关键词
双层钙钛矿结构
电磁性能
X射线衍射(XRD)
居里温度(Tc)
Keywords
double perovskite
electromagnetic properties
X-ray diffraction
Curie temperature
分类号
O72 [理学—晶体学]
O44 [理学—电磁学]
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职称材料
题名
利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)
被引量：
7
2
作者
何涛
陈耀
李辉
戴隆贵
王小丽
徐培强
王文新
陈弘
机构
中国科学院物理研究所凝聚态国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期363-367,共5页
基金
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(60890192,60877006,50872146)
the Chinese Science and Technology Ministry(“863”,No.2009AA033101)~~
文摘
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。
关键词
GAN
各向异性
X射线衍射
ALN
缓冲层
Keywords
GaN
anisotropy
XRD
AlN
buffer layer
分类号
O472 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
被引量：
2
3
作者
李辉
何涛
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
机构
中国科学院物理研究所
凝聚
态
物理
国家
重点
实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期789-792,共4页
基金
国家自然科学基金(10471026
10874212)资助项目
文摘
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
关键词
气源分子束外延
锗硅量子点
激子
光致荧光
热猝灭
Keywords
gas source MBE
GeSi quantum dots
exciton
PL
thermal quenching
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双层钙钛矿(Sr_(2-x)Ba_x)FeMoO_6的结构和电磁性能研究
冯晓梅
刘广耀
《南京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)
何涛
陈耀
李辉
戴隆贵
王小丽
徐培强
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光
李辉
何涛
戴隆贵
王小丽
王文新
陈弘
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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职称材料
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