Na_xCoO_2·yH_2O体系的高分辨电子能量损失谱和电子结构研究

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作者 肖睿娟 杨槐馨 +2 位作者 陈江华 马超 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第3期171-178,共8页

本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2.yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应。实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5... 本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2.yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应。实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5CoO2的EELS中第一个峰发生明显分裂,密度泛函计算证实这种分裂现象和电子关联效应直接相关。通过理论模拟谱线与实验谱线的比较确定了其电子关联强度为U=3.0 eV。在Na0.3CoO2.yH2O(y=0,0.6,1.3)超导体系中,实验发现其能损谱的低能部分随着水含量的增加发生系统的变化,损失峰向低能量方向逐步移动。电子结构计算表明水分子的插入可以引起费米面附近能态原子轨道杂化情况的改变,从而导致EELS的变化。 展开更多

关键词 电子能量损失谱 密度泛函理论 NaxCoO2.yH2O 电子结构 强关联体系

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蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文)

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作者 于乃森 郭丽伟 +5 位作者 彭铭征 朱学亮 王晶 贾海强 陈弘 周均铭 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期17-20,共4页

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高... 采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量。另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度。研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度。 展开更多

关键词 氮化镓 金属有机化学气相沉积 微区拉曼光谱

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K_(0.8)Fe_(1.7)SeS超导体内的畴区形貌及三维分布研究

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作者 陈晓 周婷婷 +5 位作者 姚湲 王岩国 禹日成 段晓峰 张志华 谷林 《电子显微学报》 CAS CSCD 2013年第6期467-473,共7页

本文利用高角环形暗场像(HAADF)和衍衬像研究了K0.8Fe1.7SeS超导样品的超导畴区形貌及三维分布。在[001]带轴下观察到两类形貌的超导畴区,一类畴区尺寸为1μm左右,另一类为由几十纳米大小的小畴区组成的阵列。选区电子衍射和电子能量损... 本文利用高角环形暗场像(HAADF)和衍衬像研究了K0.8Fe1.7SeS超导样品的超导畴区形貌及三维分布。在[001]带轴下观察到两类形貌的超导畴区,一类畴区尺寸为1μm左右,另一类为由几十纳米大小的小畴区组成的阵列。选区电子衍射和电子能量损失谱结果表明母体区对应Fe空位有序,而超导畴区可能对应K空位有序。STEM-EDS元素Mapping表明超导畴区边缘处K元素含量较多,K0.8Fe1.7SeS超导样品中可能至少存在三个相,分别为:K空位有序超导相、畴区外部Fe空位有序基体相以及两种空位有序区的过渡相。在[100]带轴下观察到了超导畴区具有连通性,构建了K0.8Fe1.7SeS超导样品中超导畴区的三维分布图。 展开更多

关键词 透射电子显微镜K0 8 Fe1 7 SeS超导畴区形貌

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半导体自旋电子学的研究与应用进展

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作者 刘林生 刘肃 +7 位作者 王文新 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 王佳 陈弘 周均铭 《电子器件》 CAS 2007年第3期1125-1128,共4页

自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋... 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用. 展开更多

关键词 半导体自旋电子学 自旋电子器件 磁性半导体

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双层钙钛矿(Sr_(2-x)Ba_x)FeMoO_6的结构和电磁性能研究

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作者 冯晓梅 刘广耀 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期567-570,共4页

利用X射线粉末衍射、R ietve ld结构精修技术及电、磁测试等手段分别对(S r2-xB ax)F eM oO6(0≤x≤2)的晶体结构及电磁性质进行了研究。研究结果表明:对于掺杂含量x≤1.6的(S r2-xB ax)F eM oO6样品,其电阻率温度关系呈金属性,而对于... 利用X射线粉末衍射、R ietve ld结构精修技术及电、磁测试等手段分别对(S r2-xB ax)F eM oO6(0≤x≤2)的晶体结构及电磁性质进行了研究。研究结果表明:对于掺杂含量x≤1.6的(S r2-xB ax)F eM oO6样品,其电阻率温度关系呈金属性,而对于掺杂含量x≥1.7的样品,其电阻率温度关系呈半导体性。居里温度TC在x=0.4处出现极大值。 展开更多

关键词 双层钙钛矿结构 电磁性能 X射线衍射(XRD) 居里温度(Tc)

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透射电镜表征中锂-氧气电池放电产物的辐照损伤研究 被引量：9

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作者 彭丽聪 赵倪婕 +3 位作者 陈晓 肖东东 谷林 张志华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2015年第1期7-13,共7页

本文采用透射电子显微镜研究了锂-氧气电池相关放电产物Li2O2、Li2O、LiOH以及Li2CO3在电子束辐照下的晶体结构和电子结构的变化。研究表明Li2O2、Li2O、LiOH以及Li2CO3在电子束辐照下均存在辐照损伤现象;原位选区电子衍射和电子能量损... 本文采用透射电子显微镜研究了锂-氧气电池相关放电产物Li2O2、Li2O、LiOH以及Li2CO3在电子束辐照下的晶体结构和电子结构的变化。研究表明Li2O2、Li2O、LiOH以及Li2CO3在电子束辐照下均存在辐照损伤现象;原位选区电子衍射和电子能量损失谱分析表明在电子束辐照下Li2O的结构基本保持不变,而Li2O2、LiOH以及Li2CO3则向Li2O发生转变,各产物的稳定程度依次为Li2CO3≥LiOH≥Li2O2。且Li2CO3样品的电子束辐照具有取向依赖性,低指数[001]比高指数[103]带轴表现出更高的耐辐照损伤能力。随着辐照剂量增加,Li2CO3样品耐辐照时间缩短,损伤程度加剧。 展开更多

关键词 锂-氧气电池放电产物 辐照损伤 电子剂量 选区电子衍射 电子能量损失谱

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尖晶石结构LiTi_2O_4薄膜光学性质研究

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作者 赵明琳 刘宇翔 +5 位作者 连洁 石玉君 宋浩男 贾艳丽 金魁 杨修伦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期460-465,共6页

用激光脉冲沉积(PLD)方法,以MgAl_2O_4(001)为衬底制备了过渡金属氧化物LiTi_2O_4薄膜.采用X射线衍射(XRD)对所制备材料进行结构测试,结果表明,材料具有立方尖晶石单相结构,结晶性能良好.应用拉曼光谱和光谱椭偏仪(SE)分别研究了材料在... 用激光脉冲沉积(PLD)方法,以MgAl_2O_4(001)为衬底制备了过渡金属氧化物LiTi_2O_4薄膜.采用X射线衍射(XRD)对所制备材料进行结构测试,结果表明,材料具有立方尖晶石单相结构,结晶性能良好.应用拉曼光谱和光谱椭偏仪(SE)分别研究了材料在常温下的拉曼活性声子特性和可见-近红外波段的折射率和消光系数.应用第一性原理计算了LiTi_2O_4材料的能带结构和态密度,结果表明理论计算结果和实验测试结果具有很好的一致性,能带计算结果能够很好的解释薄膜的光学常数. 展开更多

关键词 第一性原理 椭偏光谱 消光系数 过渡金属氧化物 高温超导

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利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文) 被引量：7

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作者 何涛 陈耀 +5 位作者 李辉 戴隆贵 王小丽 徐培强 王文新 陈弘 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期363-367,共5页

采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于... 采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。 展开更多

关键词 GAN 各向异性 X射线衍射 ALN 缓冲层

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透射电子显微镜原位双倾样品杆的研制 被引量：5

9

作者 姚湲 杨新安 +1 位作者 田焕芳 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2013年第3期271-275,共5页

本文简述了透射电子显微镜双倾样品杆的基本构造以及双倾台的设计方案,展示了Philips/FEI通用透射电子显微镜双倾样品杆的研制成果。测试表明样品杆的性能基本满足分析工作的要求,并提供了一个很好的原位样品杆的开发平台。在此基础上,... 本文简述了透射电子显微镜双倾样品杆的基本构造以及双倾台的设计方案,展示了Philips/FEI通用透射电子显微镜双倾样品杆的研制成果。测试表明样品杆的性能基本满足分析工作的要求,并提供了一个很好的原位样品杆的开发平台。在此基础上,研制了光纤双倾样品杆,并将不同波长的激光导入到样品上。 展开更多

关键词 透射电子显微镜 样品杆 原位技术

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耦合双纳米颗粒的表面等离激元计算

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作者 姚湲 崔婕 +2 位作者 沈希 王岩国 禹日成 《电子显微学报》 CAS CSCD 2017年第3期195-201,共7页

本文以耦合的Au纳米双颗粒以及Au/Cd S核壳双颗粒为例,介绍了利用有限元多物理场耦合软件COMSOL计算电子能量损失谱的方法。计算结果不仅证实了实验中观察到的共振吸收峰随电子束入射点远离颗粒而红移的结果,也揭示出高能电子所激发的... 本文以耦合的Au纳米双颗粒以及Au/Cd S核壳双颗粒为例,介绍了利用有限元多物理场耦合软件COMSOL计算电子能量损失谱的方法。计算结果不仅证实了实验中观察到的共振吸收峰随电子束入射点远离颗粒而红移的结果,也揭示出高能电子所激发的振荡模式和系统本征模式之间的差异,表明所获取的电子能量损失谱的振荡模式并非是单一的本征振荡,而是几种本征模式组合而成的混合模式。 展开更多

关键词 透射电子显微镜 电子能量损失谱 表面等离激元

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原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文) 被引量：3

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作者 李夏南 于乃森 +2 位作者 曹保胜 丛妍 周均铭 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期776-779,共4页

研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显... 研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。 展开更多

关键词 氮化镓 金属有机化学气相沉积 应力 原位氮化硅掩膜

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金刚石锥阵列的无掩膜刻蚀制备及其形貌演变机制 被引量：2

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作者 孙鹏 王超 +2 位作者 元光 李俊杰 顾长志 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期793-797,共5页

为获得具有优良场发射性能的金刚石锥阵列,利用偏压热灯丝化学气相沉积系统分别在高质量大颗粒金刚石厚膜与纳米金刚石薄膜上进行了无掩膜刻蚀研究,系统比较了高质量大颗粒金刚石厚膜与纳米金刚石薄膜的刻蚀特性,制备了大面积均匀金刚... 为获得具有优良场发射性能的金刚石锥阵列,利用偏压热灯丝化学气相沉积系统分别在高质量大颗粒金刚石厚膜与纳米金刚石薄膜上进行了无掩膜刻蚀研究,系统比较了高质量大颗粒金刚石厚膜与纳米金刚石薄膜的刻蚀特性,制备了大面积均匀金刚石锥阵列和高长径比(20∶1)金刚石纳米线阵列,探讨了金刚石锥的刻蚀形成机理。 展开更多

关键词 金刚石锥 偏压热灯丝化学气相沉积 等离子体刻蚀

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基于量子阱带间跃迁的红外探测器原型器件（英文） 被引量：1

13

作者 刘洁 王禄 +6 位作者 江洋 马紫光 王文奇 孙令 贾海强 王文新 陈弘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期129-134,共6页

近期,实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率,并导致吸收系数的大幅度增加.文中报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 n... 近期,实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率,并导致吸收系数的大幅度增加.文中报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率.基于该数值推算得到,量子阱的光吸收系数达3.7×10~4cm^(-1),该数值高于传统透射实验测量结果一个数量级.上述实验结果指出,利用量子阱带间跃迁工作机制,有望实现新颖的器件结构设计和提高现有器件性能. 展开更多

关键词 铟镓砷/砷化镓 带间跃迁 光子探测器

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暗场电子全息技术及其在应变分析中的应用 被引量：1

14

作者 王志峰 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第6期503-516,共14页

暗场电子全息是近年来出现的实验技术,是测量半导体器件中应变分布的有力手段。它将莫尔技术与离轴电子全息结合起来,具有空间分辨率高、视场范围大、精确度高、结果直观等优点。本文简要介绍了该技术的原理、实验方法和应用。

关键词 透射电子显微镜 暗场电子全息 应变

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金属玻璃微观形貌对晶化过程的影响

15

作者 宋晓 倪晓东 +2 位作者 姚湲 禹日成 闻平 《电子显微学报》 CAS CSCD 2014年第1期19-24,共6页

使用电解双喷法制备了金属玻璃中的环状和带状结构,利用扫描透射电子显微镜(STEM)、X射线能谱(EDS)和电子能量损失谱(EELS)等手段,没有发现明显的相分离现象,证实这些结构主要是样品厚度起伏导致的衬度变化。进一步原位退火实验表明,这... 使用电解双喷法制备了金属玻璃中的环状和带状结构,利用扫描透射电子显微镜(STEM)、X射线能谱(EDS)和电子能量损失谱(EELS)等手段,没有发现明显的相分离现象,证实这些结构主要是样品厚度起伏导致的衬度变化。进一步原位退火实验表明,这些环状或条带状结构在加热后发生了明显地相分离,其中Ni和Cu元素聚集在厚区和薄区的交界处,产生了明显的偏聚现象,而Al的偏聚现象并不明显。这表明金属玻璃中的微观结构形貌可以显著地影响金属玻璃在晶化过程的相分离,局域偏析可能与Cu和Ni在厚区与薄区交界处优先成核有关,同时表面扩散速率与体扩散速率的差异也是导致晶化后元素浓度变化的原因之一。 展开更多

关键词 金属玻璃 电解双喷 环状衬度结构 相分离 晶化

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电位控制ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面上的自组装

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作者 景怀宇 李明 麦振洪 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1711-1715,共5页

通过控制固/液界面电极电位的方式,控制表面活性剂和金属离子在电极表面的自组装,制备出了高度取向的ZnO/表面活性剂复合多层膜.对无机层形态和结构进行了分析,并采用X射线反射率和X射线漫散射研究了电极电位控制下ZnO/表面活性剂复合... 通过控制固/液界面电极电位的方式,控制表面活性剂和金属离子在电极表面的自组装,制备出了高度取向的ZnO/表面活性剂复合多层膜.对无机层形态和结构进行了分析,并采用X射线反射率和X射线漫散射研究了电极电位控制下ZnO/表面活性剂复合多层膜在固/液界面的自组装生长.结果表明,在一定电位下,只有当表面活性剂浓度低于其饱和吸附浓度时,采用阶跃电位沉积方式才能明显改变复合薄膜的周期厚度;恒电位沉积方式控制电极电位时,随着沉积电位的提高,多层膜层状结构由一组层状相变为多组层状相,同时层状结构的取向变差.实验研究结果验证了电化学自组装过程是由金属离子的还原速度和表面活性剂的吸附速度二者共同控制完成的. 展开更多

关键词 电化学自组装 ZnO/表面活性剂复合多层膜 电极电位 X射线

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