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氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)
1
作者
张泽
王岩国
李辉
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期253-258,共6页
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ...
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ,纳米颗粒中心将出现空洞 ,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面。电子显微分析及分子力学理论计算表明 ,这种新的调制结构系空位的有序排列所致。在此基础上 ,进一步研究了InGaN AlGaN的双异质结薄膜结构中直径约为 5 0nm的空洞存在与发光失效的关系 ,讨论了N
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关键词
氮空位
GaN
InGaN/AlGaN
双异质结
聚集
氮化镓
氮铟镓
铝镓氮
纳米颗粒
调制结构
高分辨透射电子显微术
选区电子衍射
分子力学
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职称材料
题名
氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)
1
作者
张泽
王岩国
李辉
机构
中国科学院物理所电子显微镜开放实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期253-258,共6页
基金
NationalScienceFundforDistinguishedYoungScholars(No .1 96 2 5 40 8)
文摘
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ,纳米颗粒中心将出现空洞 ,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面。电子显微分析及分子力学理论计算表明 ,这种新的调制结构系空位的有序排列所致。在此基础上 ,进一步研究了InGaN AlGaN的双异质结薄膜结构中直径约为 5 0nm的空洞存在与发光失效的关系 ,讨论了N
关键词
氮空位
GaN
InGaN/AlGaN
双异质结
聚集
氮化镓
氮铟镓
铝镓氮
纳米颗粒
调制结构
高分辨透射电子显微术
选区电子衍射
分子力学
Keywords
nano GaN
modulation
high resolution transmission electron microscopy (HRTEM)
selected area electron diffraction (SAED)
molecular mechanics
分类号
O488 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)
张泽
王岩国
李辉
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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