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新型红色发光材料La3PO7∶Eu^3＋的合成及发光性质研究被引量：3: 1; 作者金叶秦伟平 +4 位作者张继森王艳曹春燕张继双任新光《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2768-2771,共4页; 用固相法合成了La3PO7∶Eu3+,用X射线衍射仪测定了其晶体结构,室温下用Hitachi F-4500测定了其光致发光性质。结果表明合成的La3PO7∶Eu3+属单斜相结构,Eu3+在单斜结构的La3PO7基质中占据非对称性格位。在254 nm光激发下,La3PO7∶Eu3+... 展开更多; 关键词固相法 La3PO7∶Eu^3+ 红色发光材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质被引量：3: 2; 作者刘玉学刘益春 +3 位作者申德振钟国柱范希武孔祥贵《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期445-450,共6页; 利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火... 展开更多; 关键词后退火方法制备 SiO2基质结构光学性质离子注入 ZNO纳米粒子光致发光激子氧化锌二氧化硅基质; 在线阅读下载PDF 职称材料

摩擦强度对取向膜表面液晶取向度的影响被引量：3: 3; 作者乌日娜沈冰 +4 位作者彭增辉于涛张力阮圣平宣丽《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期450-454,共5页; 利用红外二向色性吸收实验,定量分析了不同摩擦强度的取向处理后取向膜表面的液晶分子取向度。实验结果表明,取向膜表面的液晶分子取向度随摩擦强度的增加而增加,最后达到饱和。取向膜表面的液晶分子取向度饱和值仍低于体内部,大约为体... 展开更多; 关键词液晶摩擦强度取向膜表面取向度界面层; 在线阅读下载PDF 职称材料

红外二向色性法测量取向膜表面液晶界面层的取向度被引量：2: 4; 作者宣丽乌日娜 +3 位作者彭增辉于涛张力阮圣平《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期416-421,共6页; 液晶分子的取向排列通常需取向膜诱导引发,但实验发现强摩擦处理的取向膜表面的液晶分子有序度远低于液晶体内部的有序度,大约为体内部的1/2。实验中采用楔形液晶盒,用较严谨的红外二向色性吸收定量分析了液晶层厚方向上的平均有序度随... 展开更多; 关键词红外二向色性法测量界面层液晶摩擦取向膜表面取向度取向问题; 在线阅读下载PDF 职称材料

长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器被引量：1: 5; 作者晏长岭秦莉 +5 位作者张淑敏宁永强王青赵路民刘云王立军《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期565-570,共6页; 新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL... 展开更多; 关键词激光技术长波长激光 GMnNAs 垂直腔面发射激光器(VCSEL); 在线阅读下载PDF 职称材料

晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响被引量：1: 6; 作者阎大伟宋航 +7 位作者缪国庆于淑珍蒋红李志明刘霞曹连振郭万国孙晓娟《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期309-313,共5页; 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13～300K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0... 展开更多; 关键词 InAsxP1-x/InP 低压金属有机化学气相沉积应力变温光致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型红色发光材料La3PO7∶Eu^3＋的合成及发光性质研究被引量：3: 1; 作者金叶秦伟平张继森王艳曹春燕张继双任新光; 机构中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院研究生院集成光电子国家重点联合实验室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2768-2771,共4页; 基金国家自然科学基金项目(10474096,50672030)资助; 文摘用固相法合成了La3PO7∶Eu3+,用X射线衍射仪测定了其晶体结构,室温下用Hitachi F-4500测定了其光致发光性质。结果表明合成的La3PO7∶Eu3+属单斜相结构,Eu3+在单斜结构的La3PO7基质中占据非对称性格位。在254 nm光激发下,La3PO7∶Eu3+发射出较强的红光,表明Eu3+的5D0→7F2跃迁强度远大于5D0→7F1的跃迁强度,其色坐标和Y2O3∶Eu3+的色坐标位置相近。另外,还研究了Eu3+在体相La3PO7材料中的猝灭浓度,发现当掺杂Eu3+浓度增大到7.6 mol%时,出现浓度猝灭。; 关键词固相法 La3PO7∶Eu^3+ 红色发光材料; Keywords La3PO7∶Eu^3＋ Solid state method Novel red phosphor Quenching concentration; 分类号 O482.3 [理学—固体物理] O614.3 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质被引量：3: 2; 作者刘玉学刘益春申德振钟国柱范希武孔祥贵; 机构中国科学院激发态物理重点实验室东北师范大学物理系理论物理研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期445-450,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目 (60 1760 0 3 ); 文摘利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火时间条件下 ,得到了 (0 0 2 )择优取向镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子 ;而在 70 0℃退火温度、N2 和O2 气氛下顺次退火 1小时 ,得到了比上述条件 (0 0 2 )择优取向更好的ZnO纳米粒子。室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰。室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于 3 2 9eV处的强紫外发射 ,紫外发射强度与深能级发光强度之比为4 0 ,紫外发射峰的半高宽为 96meV ,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO。在低温 (77K)光致发光谱中。; 关键词后退火方法制备 SiO2基质结构光学性质离子注入 ZNO纳米粒子光致发光激子氧化锌二氧化硅基质; Keywords ion implantation ZnO nanoparticles thermal annealing photoluminescence exciton; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名摩擦强度对取向膜表面液晶取向度的影响被引量：3: 3; 作者乌日娜沈冰彭增辉于涛张力阮圣平宣丽; 机构中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所沈阳电力高等专科学校; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期450-454,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(19974046 59973020 +2 种基金 60277033) 中国科学院"百人计划"资助项目(19990359); 文摘利用红外二向色性吸收实验,定量分析了不同摩擦强度的取向处理后取向膜表面的液晶分子取向度。实验结果表明,取向膜表面的液晶分子取向度随摩擦强度的增加而增加,最后达到饱和。取向膜表面的液晶分子取向度饱和值仍低于体内部,大约为体内部的1/2。液晶界面层的厚度不随摩擦强度变化,均为7nm左右,此值具有分子相干长度的物理意义。; 关键词液晶摩擦强度取向膜表面取向度界面层; Keywords liquid crystal rubbing strength alignment layer surface order parameter interface layer; 分类号 O753.2 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名红外二向色性法测量取向膜表面液晶界面层的取向度被引量：2: 4; 作者宣丽乌日娜彭增辉于涛张力阮圣平; 机构中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期416-421,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(19974046 59973020 +2 种基金 60277033) 中国科学院"百人计划"资助项目(19990359); 文摘液晶分子的取向排列通常需取向膜诱导引发,但实验发现强摩擦处理的取向膜表面的液晶分子有序度远低于液晶体内部的有序度,大约为体内部的1/2。实验中采用楔形液晶盒,用较严谨的红外二向色性吸收定量分析了液晶层厚方向上的平均有序度随液晶层厚的变化,并通过这一结果的理论拟合,获得了取向膜表面的液晶分子取向有序度,同时获得了液晶界面层厚大约为7nm。这些结果说明液晶具有抵制外界微扰、自我修复分子取向度的能力,有助于对液晶排列机理的理解,也为研究新的取向方法提供了参照依据。; 关键词红外二向色性法测量界面层液晶摩擦取向膜表面取向度取向问题; Keywords liquid crystal rubbing alignment layer dichroism order parameter; 分类号 O753.2 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器被引量：1: 5; 作者晏长岭秦莉张淑敏宁永强王青赵路民刘云王立军; 机构中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林大学高等学校化学学报; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期565-570,共6页; 基金国家自然科学基金(10104016 60306004) 中科院长春光机物理所知识创新项目; 文摘新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述。; 关键词激光技术长波长激光 GMnNAs 垂直腔面发射激光器(VCSEL); Keywords laser techniques long wavelength laser GaInNAs vertical-cavity surface-emitting laser; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响被引量：1: 6; 作者阎大伟宋航缪国庆于淑珍蒋红李志明刘霞曹连振郭万国孙晓娟; 机构中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院研究生院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期309-313,共5页; 基金国家自然科学基金重点(50632060)资助项目; 文摘采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13～300K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律。; 关键词 InAsxP1-x/InP 低压金属有机化学气相沉积应力变温光致发光; Keywords InAsxP1-x/InP LP-MOCVD stress variable-temperature photoluminescence; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	新型红色发光材料La3PO7∶Eu^3＋的合成及发光性质研究	金叶秦伟平张继森王艳曹春燕张继双任新光	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2008	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质	刘玉学刘益春申德振钟国柱范希武孔祥贵	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	摩擦强度对取向膜表面液晶取向度的影响	乌日娜沈冰彭增辉于涛张力阮圣平宣丽	《液晶与显示》 CAS CSCD	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	红外二向色性法测量取向膜表面液晶界面层的取向度	宣丽乌日娜彭增辉于涛张力阮圣平	《液晶与显示》 CAS CSCD	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器	晏长岭秦莉张淑敏宁永强王青赵路民刘云王立军	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响	阎大伟宋航缪国庆于淑珍蒋红李志明刘霞曹连振郭万国孙晓娟	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料