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光敏聚苯并噁唑的研究现状与发展趋势 被引量：3
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作者 王涛 李金辉 +5 位作者 赵雅绪 朱良 张少霞 张国平 孙蓉 汪正平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第19期19183-19189,共7页
作为耐热光敏绝缘介质材料的典型代表之一,光敏聚苯并噁唑(PSPBO)具有优异的力学性能、耐热性能、绝缘性能、低吸水率、低介电常数及突出的光刻成型能力,被广泛应用于微电子、航空航天等重要领域。特别地,在集成电路半导体封装中,光敏... 作为耐热光敏绝缘介质材料的典型代表之一,光敏聚苯并噁唑(PSPBO)具有优异的力学性能、耐热性能、绝缘性能、低吸水率、低介电常数及突出的光刻成型能力,被广泛应用于微电子、航空航天等重要领域。特别地,在集成电路半导体封装中,光敏聚苯并噁唑被广泛应用于层间介质材料、应力缓冲层及保护层等,是扇出型封装等先进制程的关键材料。另外,随着5G高频高速通信、柔性显示、OLED等领域的快速发展,产业界对该类材料提出了更高的要求,比如低温固化、高粘结强度、低介电常数、导热等。更为重要的是,我国尚未掌握该材料的核心技术。本文综述了光敏聚苯并噁唑的发展概况和最新的研究进展,包括正性光敏聚苯并噁唑、负性光敏聚苯并噁唑以及光敏聚苯并噁唑的应用发展,最后对其发展前景进行了展望,以期为我国光敏聚苯并噁唑等耐热光敏聚合物基础研究与产业应用提供参考。 展开更多
关键词 耐热光敏聚合物 光敏聚苯并噁唑 低温固化 介电 半导体封装
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高四方性超细BaTiO_(3)纳米粉体的制备与性能研究
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作者 司韶康 张蕾 +4 位作者 温佳鑫 于淑会 曹秀华 付振晓 孙蓉 《集成技术》 2022年第3期108-120,共13页
高四方性的BaTiO_(3)超细粉体是下一代多层陶瓷电容器的关键材料。该文探究了砂磨介质尺寸和原料Ti O_(2)晶相对反应物活性、产物介电性能的影响,并利用砂磨固相法成功合成了高四方性Ba TiO_(3)超细粉体。分析场发射扫描电子显微镜照片... 高四方性的BaTiO_(3)超细粉体是下一代多层陶瓷电容器的关键材料。该文探究了砂磨介质尺寸和原料Ti O_(2)晶相对反应物活性、产物介电性能的影响,并利用砂磨固相法成功合成了高四方性Ba TiO_(3)超细粉体。分析场发射扫描电子显微镜照片和X射线光电子能谱发现,细砂磨介质粉碎原料的效率更高,机械活化作用更强。Raman光谱和X射线衍射图谱显示,在高能砂磨过程中,TiO_(2)由锐钛矿相先后转变为TiO_(2)-Ⅱ相、金红石相。分析微商热重曲线和X射线衍射,结果表明,砂磨介质更能有效降低反应温度和抑制Ba_(2)TiO_(4)的生成。此外,高分辨透射电子显微镜图像揭示了BaTiO 3的形成是Ba^(2+)向TiO_(2)晶格扩散的过程。该文相关实验结果表明,利用直径为0.1 mm的ZrO_(2)磨球对锐钛矿相TiO_(2)和BaCO_(3)混合物砂磨4 h,并在1100℃煅烧3 h后,获得了平均粒径为186 nm、四方性为1.0092且分散性良好的BaTiO_(3)粉体,该粉体在1250℃烧结的陶瓷相对密度为96.11%,居里点(137.8℃)的介电常数峰值为8677。 展开更多
关键词 超细BaTiO_(3)粉体 四方性 砂磨介质 介电性能
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应用于大马士革工艺的纳米孪晶铜脉冲电沉积研究
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作者 王玉玺 高丽茵 +2 位作者 万永强 李哲 刘志权 《电化学（中英文）》 CAS 北大核心 2023年第8期21-30,共10页
本文在前期优化的电镀液的基础上,使用脉冲电镀工艺获得了高密度的纳米孪晶铜。为了进一步揭示孪晶形成的影响因素,研究了系列MPS浓度在镀液中的作用。当镀液中并未添加MPS时,镀层由粗大的晶粒组成,平均晶粒大小为0.9μm,晶粒内部含有... 本文在前期优化的电镀液的基础上,使用脉冲电镀工艺获得了高密度的纳米孪晶铜。为了进一步揭示孪晶形成的影响因素,研究了系列MPS浓度在镀液中的作用。当镀液中并未添加MPS时,镀层由粗大的晶粒组成,平均晶粒大小为0.9μm,晶粒内部含有少量的垂直或倾斜于膜面的孪晶界,镀层的晶粒取向为(110)和(111)共存,两者织构比例分别为49%和27.8%。从FIB微观组织观察和X射线衍射的结果可知,当镀液中添加10 ppm的MPS后,镀层组织变为柱状纳米孪晶铜组织,柱状晶内部含有高密度水平方向的孪晶界,同时晶粒取向变为高度择优的(111)。当MPS含量从10 ppm持续上升至40 ppm,镀层组织和晶粒取向无明显变化。具体地,当镀液中添加40 ppm的MPS时,镀层晶粒大小为0.6μm,且镀层晶粒(110)和(111)的织构比例分别为3.45%和95.1%。这说明,可以通过MPS的含量调节提高纳米孪晶铜电镀液的填充能力,而纳米孪晶微观组织的形成并不受影响。基于上述结果,我们使用该电镀液配方及工艺进行了大马士革微盲孔的填充。结果表明,当MPS含量为40 ppm时,可以实现大马士革微盲孔的无孔填充。纳米孪晶铜电镀液填充能力的提升使得纳米孪晶铜在IC制造应用成为可能,很大程度上促进了下一代互连材料的发展。 展开更多
关键词 脉冲电镀 纳米孪晶铜 盲孔填充 大马士革工艺
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