水热法制备的BaTiO_3微晶粒的特性 被引量：36

1

作者 施尔畏 夏长泰 +4 位作者 仲维卓 华素坤 冯楚德 冯锡淇 张申 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期385-390,共6页

本文报道了对水热法制备的ＢａＴｉＯ３纳米微粒性质和缺陷研究的结果．水热法制备的ＢａＴｉＯ３纳米微粒形貌和线度可通过改变前驱物形式和反应条件加以适度调控．在一定的条件下，水热法得到的是在常温下能稳定存在的立方相ＢａＴｉ... 本文报道了对水热法制备的ＢａＴｉＯ３纳米微粒性质和缺陷研究的结果．水热法制备的ＢａＴｉＯ３纳米微粒形貌和线度可通过改变前驱物形式和反应条件加以适度调控．在一定的条件下，水热法得到的是在常温下能稳定存在的立方相ＢａＴｉＯ３晶粒．这种“反常”结晶学特性是由于晶粒里含有一定量的Ｏ－Ｈ缺陷和钡离子空位缺陷所造成的．选择适宜的反应条件（如提高反应前驱物钡钛摩尔比等）或采用一定的处理手段（如热处理等），减少或消除这类缺陷，即可消除此“反常”结晶学特性． 展开更多

关键词 钛酸钡 微晶 水热法 制备

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弛豫型铁电体PZNT制备与性能研究的进展 被引量：10

2

作者 许桂生 罗豪 +2 位作者 齐振一 徐海清 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-11,共11页

本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展．PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主，其尺寸已达40mm．随PT含量的变化，PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变；其铁电-铁电... 本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展．PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主，其尺寸已达40mm．随PT含量的变化，PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变；其铁电-铁电相变可由组份或电场诱导，由介电性能表征．压电性能在MPB处及偏向三方相一侧达到最佳，＜001＞切向的三方相与四方相单晶可分别作为频带宽、分辨率高、且阻抗匹配好的新一代声阵列与单个器件传感器．＜001＞向的PZNT单晶具有巨大的电致伸缩应变，可望成为高性能的固体驱动器． 展开更多

关键词 PZNT 单晶 压电性 电致伸缩应变 铁电体 驰豫型

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PZT系多层片式压电陶瓷微驱动器位移性能研究 被引量：32

3

作者 李国荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期418-424,共7页

采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜／金属内电极共烧技术，制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器．该器件具有体积小、工作电压低、位移量大（38V，105μm）的特点．本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产... 采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜／金属内电极共烧技术，制作了多层片式高含铅PZT软性压电陶瓷微驱动器．该器件具有体积小、工作电压低、位移量大（38V，105μm）的特点．本文对制作的多层片式器件在直流和单向交流工作电压的作用下产生的静态和动态位移特性，从PZT压电陶瓷材料的晶体和电畴结构特点进行了分析和研究． 展开更多

关键词 压电陶瓷 微驱动器 位移 陶瓷 PZT 多层片式

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Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向 被引量：11

4

作者 杨培志 邓佩珍 +1 位作者 殷之文 田玉莲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期399-403,共5页

用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿 111 方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有 :生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶... 用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿 111 方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有 :生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面 ,符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。 展开更多

关键词 YB:YAG晶体 生长缺陷 同步辐射形貌相 应力双折射 位错走向

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掺Yb^(3+)激光晶体的研究进展 被引量：17

5

作者 杨培志 邓佩珍 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期196-204,共9页

本文简要介绍了掺Yb3+ 激光晶体的发展历史 ;从Yb3+ 离子的能级结构出发 ,阐述了掺Yb3+激光材料的特点 ,介绍了几种掺Yb3+ 激光晶体的光谱特性 ,简述了近年来掺Yb3+ 激光晶体激光性能的研究进展 ;对掺Yb3+ 激光晶体未来的发展做了展望。

关键词 激光晶体 光谱特性 镱离子 掺镱

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负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅲ) 被引量：5

6

作者 仲维卓 许桂生 +1 位作者 罗豪甦 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期221-226,共6页

本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成 ,提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布 ,配位多面体的面为层的边界 ,上、下层负离子配位多面体不是呈镜象对称的 ,在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶... 本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成 ,提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布 ,配位多面体的面为层的边界 ,上、下层负离子配位多面体不是呈镜象对称的 ,在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶轴a、b错开 ,上、下两层负离子配位多面体体呈交叉对应 ,从而达到稳定平衡。晶轴c与负离子配位多面体高次对称轴平行 ,配位多面体往界面叠合是绕着c轴转动的 ,其叠合轨迹为螺旋或同心环结构。从多型性晶体螺旋结构的规律性可以看出 ,晶体生长基元为负离子配位多面体 ,由于负离子配位多面体的面与呈现螺旋结构的晶面平行 ,所以生长速率慢 ,是一个显露面积大的稳态面。螺旋结构只是在该面族上显露。 展开更多

关键词 多型性晶体 螺旋结构 表面结构 负离子配位多面体 生长基元

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钡钛醋酸盐凝胶制备BaTiO_3粉体 被引量：5

7

作者 夏长泰 施尔畏 +1 位作者 仲维卓 郭景坤 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期33-40,共8页

本文报道了用ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备钡钛醋酸盐凝胶，并分别作高温灼烧和水热处理制备ＢａＴｉＯ３粉体。通过对产物的表征，比较了这两种处理过程，进而对水热条件下陶瓷粉体的形成机理作了探讨。由于水热条件，凝胶在反应介质中溶解，... 本文报道了用ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备钡钛醋酸盐凝胶，并分别作高温灼烧和水热处理制备ＢａＴｉＯ３粉体。通过对产物的表征，比较了这两种处理过程，进而对水热条件下陶瓷粉体的形成机理作了探讨。由于水热条件，凝胶在反应介质中溶解，进而结晶形成晶粒，因此所形成的ＢａＴｉＯ３晶粒线度小（小于１００ｎｍ）；线度分布范围窄；晶粒形貌完整。 展开更多

关键词 粉体 水热处理 陶瓷 钛酸钡 钡钛醋酸盐 凝胶

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PMNT单晶电畴结构随组分与结构的变化 被引量：3

8

作者 许桂生 罗豪甦 +2 位作者 徐海清 齐振一 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期221-228,共8页

利用多种方法观察了弛豫型铁电单晶ＰＭＮＴ中电畴结构随组分与结构的演变过程与特征．观察发现，在ＰＭＮ－ＰＴ的三方相区内，随ＰＴ含量的增加，电畴结构表现出微畴一（亚微畴）－不规则宏畴一规则宏畴转变历程；在三方－四方相变中... 利用多种方法观察了弛豫型铁电单晶ＰＭＮＴ中电畴结构随组分与结构的演变过程与特征．观察发现，在ＰＭＮ－ＰＴ的三方相区内，随ＰＴ含量的增加，电畴结构表现出微畴一（亚微畴）－不规则宏畴一规则宏畴转变历程；在三方－四方相变中，非１８０°电畴发生７１°（或１０９°）宏畴－９０°宏畴的转化，同时电畴图像变得更为规则．根据不同组分ＰＭＮＴ电畴的显示特征，提出晶体的最大双折射率可以作为度量其弛豫性强弱的光学参数．观察到了电畴的分布不均匀与多级结构现象，前者与组分或结构的起伏有关，后者与多期式马氏体转变有关．本文还分析了偏光显微镜、ＤＩＣ、ＳＥＭ、ＳＥＡＭ等观察方法中电畴的成像特征． 展开更多

关键词 弛豫型铁电体 PMNT 电畴结构 压电性 铁电晶体

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La∶PbWO_4晶体中La^(3+)离子的分布及其对晶体辐照硬度的影响 被引量：1

9

作者 韩宝国 冯锡淇 +2 位作者 胡关钦 张雁行 雷宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期213-218,共6页

对Ｌａ掺杂钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体从其头部（靠近晶种）到尾部逐点测量了透射谱及辐照诱导色心吸收谱，实验结果清楚地证实了Ｌａ掺杂改善ＰｂＷＯ４晶体辐照硬度的作用。根据晶体生长的分凝理论对晶体中Ｌａ的分布浓度进行了计算，... 对Ｌａ掺杂钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体从其头部（靠近晶种）到尾部逐点测量了透射谱及辐照诱导色心吸收谱，实验结果清楚地证实了Ｌａ掺杂改善ＰｂＷＯ４晶体辐照硬度的作用。根据晶体生长的分凝理论对晶体中Ｌａ的分布浓度进行了计算，得到了晶体３５０ｎｍ处光透过率与Ｌａ分布浓度的关系曲线，它可以作为选择最佳掺Ｌａ浓度的依据。此外，对实验数据的进一步分析揭示了晶体固有色心吸收带与辐照诱导色心吸收带之间的对应关系，为深入探讨ＰｂＷＯ４晶体的辐照损伤机制提供了实验依据。 展开更多

关键词 钨酸铅晶体 辐照硬度 镧离子 晶体 掺杂

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晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体形貌 被引量：1

10

作者 仲维卓 罗豪甦 +1 位作者 许桂生 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期241-,共1页

本文研究了晶体中负离子配位多面体的结晶方位与在各个面族上联结的稳定性 ,讨论了晶体各个面族的显露机率与表面结构的关系。提出了稳态面一般是以面相联结的 ,其稳定性差 ;以顶角相联结的面族生长速率快 ,一般显露面积较小或消失 ;以... 本文研究了晶体中负离子配位多面体的结晶方位与在各个面族上联结的稳定性 ,讨论了晶体各个面族的显露机率与表面结构的关系。提出了稳态面一般是以面相联结的 ,其稳定性差 ;以顶角相联结的面族生长速率快 ,一般显露面积较小或消失 ;以棱相联结时生长速率居于两者之间 ,经常显露 ,但显露面积不大。晶体表面结构花纹特征显示出负离子配位多面体往界面上迭合的轨迹 ,例如人工水晶c( 0 0 0 1 )面上的三方锥面 ,它是 [Si O4]4 四面体构成的共轮螺旋环在c( 0 0 0 1 )面的投影 ,故该面显三方结构 ,其结晶方位与晶体左右形一致。晶体表面结构上螺旋花纹一般都在稳态面上出现 ,例如CdI2 ,CdCl2 晶体 ,它们与 [Cd I6]4 ,[Cl I6]4 八面体在晶体中的结晶方位相同 ,在 [0 0 0 1 ]面上都是以八面体的面相联结 ,故稳定性差 ,生长速率慢是稳态面。由于相比邻的八面体 ,在[0 0 0 1 ]方向是以面相联 ,故八面体中的阳离子相斥 ,促使八面体相互沿a轴方向错动 ,其错动轨迹构成螺旋结构或同心圆结构。同理 ,SiC晶体在c( 0 0 0 1 )面上螺旋花纹也屡见不鲜 ,但在其它生长快的面族上则螺旋结构花纹从未见显露。 展开更多

关键词 负离子配位多面体 结晶方向 晶体形貌 晶体表面结构

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ABO_3(A—Ba,Pb;B—Ti,Nb,Mg)晶体形貌与形成机理

11

作者 仲维卓 罗豪甦 +3 位作者 许桂生 齐振一 徐海清 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期22-,共1页

本文研究了溶剂提拉法生长BaTiO3 和熔体下降法生长PMNT晶体的结晶形态 ,根据 [Ti O6]8-八面体在晶体中的结晶方位和由八面体构成不同维度的生长基元稳定能 ,计算、讨论了不同生长条件下晶体各个面族的显露和晶体结晶形态的变化。溶剂... 本文研究了溶剂提拉法生长BaTiO3 和熔体下降法生长PMNT晶体的结晶形态 ,根据 [Ti O6]8-八面体在晶体中的结晶方位和由八面体构成不同维度的生长基元稳定能 ,计算、讨论了不同生长条件下晶体各个面族的显露和晶体结晶形态的变化。溶剂提拉法生长BaTiO3 晶体各族晶面的显露用 [0 0 1 ]取向籽晶生长时 ,当转速超过 1 5r/min时晶体显四方形。显露晶面主要为 {0 0 1 }{1 0 0 },随着晶体长大 ,这两族晶面缩小 ,{1 1 0 }和{1 1 1 }两面族开始显露。熔体下降法生长PMNT时是自由成核生长 ,晶体 {1 1 1 }面族顽强显露 ,表面显三角形结构屡见不鲜。根据负离子配位多面体生长基元和晶体场理论来分析 ,[Ti O6]8-八面体以顶角相联结时稳定性差 ,只有在Ba2 +,Pb2 +阳离子存在时才有可能从生长基元结构形式和往各面族上叠合的稳定性分析 ,提出在晶体生长初期其有利生长基元为 [Ti O6]8-八面体构成架状立方体为主 ,往 {1 1 1 }和 {1 1 0 }面族叠合的自由端多于 {1 0 0 }面族 ,故 {1 0 0 }面族显露 ,晶体呈四方柱状。随着晶体长大 ,溶液中Ba2 +减少 ,架状生长基元减少 ,[Ti O6]8-八面体和以八面体构成的链状基元为主。八面体生长基元往 {1 0 0 }面叠合有两个自由端 ,往 {1 1 1 }和 {1 1 0 }面只有一个自由端 ,而且 [1 1 展开更多

关键词 BaTiO_3晶体 PMNT晶体 晶体形貌 生长机理

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弛豫铁电体Pb(B_1B_2)O_3和钛酸铅固溶体的相稳定性

12

作者 罗豪甦 许桂生 +3 位作者 徐海清 齐振一 仲维卓 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期32-,共1页

弛豫铁电体Pb(B1B2 )O3 和PbTiO3 能够形成具有复合钙钛矿结构的二元固溶体Pb(B1B2 )O3 PbTiO3 。到目前为止 ,已经发现了多种这类二元固溶体单晶 (如PMN PT、PZN PT和PSN PT等 )不仅具有良好的介电性能 ,而且具有良好的压电性能。和... 弛豫铁电体Pb(B1B2 )O3 和PbTiO3 能够形成具有复合钙钛矿结构的二元固溶体Pb(B1B2 )O3 PbTiO3 。到目前为止 ,已经发现了多种这类二元固溶体单晶 (如PMN PT、PZN PT和PSN PT等 )不仅具有良好的介电性能 ,而且具有良好的压电性能。和普通压电陶瓷PZT相比较 ,弛豫铁电单晶的纵向机电耦合系数k3 3 要大得多 ,可以达到 90 %以上。由于缺少这类二元固溶体单晶的高温相图 ,这类单晶的生长比较困难。我们通过对几种具有复合钙钛矿结构的二元固溶体体系 ,进行差热分析 (DTA)和热重分析 (TG) ,分析了固溶体的相关系和相稳定性。并用粉末X射线衍射谱 (XRD)分析了固溶体的结构 ,以便确定相应的单晶生长方法。研究结果表明 ,A(B1B2 )O3 PbTiO3 二元固溶体体系的结果比较复杂 ,体系中除了具有钙钛结构的铁电相之外 ,还有多种焦绿石相 ,而且不同的弛豫铁电体形成的固溶体其相稳定性的差异较大。其中PMN PT固溶体的相稳定性较高。研究结果表明 ,PMN PT固溶体的液相线和固相线比较接近 ,晶体生长中的分凝现象较小 ,可以看作为同成分熔化的化合物 ,故可以用熔体法来直接生长单晶。PZN PT单晶的相稳定性较差 ,需要加入一定量的溶剂才能使相稳定 ,故可以用助熔剂法来生长PZN PT单晶。 展开更多

关键词 弛豫铁电体 Pb(B_1B_2)O_3-PbTiO_3固熔体 相关系 熔盐法

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新型压电单晶PMNT的退火与极化

13

作者 徐海清 罗豪甦 +4 位作者 许桂生 齐振一 吴永君 贺天厚 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期89-,共1页

采用Birdgman方法生长出了大尺寸、高质量的PMNT单晶 ,其压电系数d3 3 >2 0 0 0pC/N ,机电耦合系数k3 3 大于 90 %。通常生长得到PMNT单晶容易开裂 ,晶体的内应力比较大。研究结果表明单晶内的应力主要由三种因素所形成 :( 1 )由于... 采用Birdgman方法生长出了大尺寸、高质量的PMNT单晶 ,其压电系数d3 3 >2 0 0 0pC/N ,机电耦合系数k3 3 大于 90 %。通常生长得到PMNT单晶容易开裂 ,晶体的内应力比较大。研究结果表明单晶内的应力主要由三种因素所形成 :( 1 )由于生长炉内的温场分布不均匀 ,在单晶内形成的热应力。( 2 )生长原料为 4种氧化物组成的 ,由于原料配料和处理过程的影响 ,很难确保组分的化学配比 ,容易造成单晶的各种缺陷 ,形成结构应力。( 3)单晶在降温通过其居里点时 ,由于电畴的形成 ,相变界面上产生晶格失配 ,形成机械应力。为了防止单晶的开裂和减少其内部应力 ,我们对生长的PMNT单晶进行了退火实验 ,发现PMNT单晶在超过一定的温度时 ,容易产生各种焦绿石相。在不同保温和降温速率条件下进行退火 ,通过比较样品的介电常数和压电常数d3 3 的变化 ,我们找到了既保持单晶介电和压电性能不变 ,又能显著减小内部应力的退火条件 ,较好了防止了单晶的开裂现象。为了获得单畴化的PMNT单晶 ,我们进行了单晶的极化研究。通过对不同温度条件下PMNT单晶电滞回线的测量 ,获得了矫顽电场和温度之间的关系 ,从而确立了PMNT单晶极化的最佳温度和电场强度条件。获得了单畴化程度高的PMNT单晶 ,为PMNT晶体的实际应用奠定了基础。 展开更多

关键词 压电单晶 PMNT 退火 极化

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新型压电单晶PMNT的下降法生长及晶体完整性

14

作者 许桂生 罗豪更生 +3 位作者 齐振一 徐海清 仲维卓 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期88-88,共1页

新型压电单晶PMNT具有十分优异的压电性能 ,用Bridgman法生长的PMNT单晶的电容率ε可达 5 5 0 0左右 ,纵向压电应变常量d3 3 可达 2 5 0 0pC/N以上 ,机电耦合因数k3 3 可达 93% ,kt可达 6 4 % ,机械品质因数Qm 低至 5 0～ 6 0。用该晶... 新型压电单晶PMNT具有十分优异的压电性能 ,用Bridgman法生长的PMNT单晶的电容率ε可达 5 5 0 0左右 ,纵向压电应变常量d3 3 可达 2 5 0 0pC/N以上 ,机电耦合因数k3 3 可达 93% ,kt可达 6 4 % ,机械品质因数Qm 低至 5 0～ 6 0。用该晶体取代传统的PZT系陶瓷制作成接受型超声换能器探头中的压电元件 ,可望使器件的图像分辨率与频带宽度大为提高 ,进而产生更新换代的变化。因此该类弛豫型铁电单晶在国际铁电界与晶体生长界引起了广泛的关注。然而 ,由于生长体系的组分复杂、晶相的热稳定性差 ,也由于传统生长方法的缺陷 ,包括PMNT ,PZNT与PSNT在内的这类单晶的生长仍处于实验室阶段 ,单晶的尺寸与性能难以保持稳定 ,从而阻碍了晶体的大规模开发与应用。本文在对PMN PT体系相图、相结构与相稳定性的分析与测试的基础上 ,结合对晶体生长机制的理论分析 ,找到了适宜PMNT单晶生长的方法———Bridgman法。该方法通过利用籽晶生长有效地控制了自发成核 ;通过对固液界面形状与位置的控制保持了晶体生长过程的稳定。尺寸达40× 80mm的、纯钙钛矿相的、三方或四方结构的PMNT单晶已生长出来。对PMNT单晶的完整性进行了分析研究。该晶体的组分不均匀性通过铁电性能 ,如电容率ε及压电常量d3 3 等灵敏地显示出来 ,? 展开更多

关键词 压电单晶 PMNT 布里奇曼法

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钙钛矿型弛豫铁电单晶的微畴-宏畴转化

15

作者 许桂生 罗豪甦 +3 位作者 徐海清 齐振一 仲维卓 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期199-,共1页

钙钛矿型弛豫铁电单晶PMNT ,PZNT由于具有十分优异的压电与机电耦合性能而广受关注。作为与铁电材料的性能与应用密切相关的电畴结构在这类单晶中也有明显的特点 ,即随温度、电场和组分的变化 ,电畴结构可发生微畴 宏畴的转化。本文采... 钙钛矿型弛豫铁电单晶PMNT ,PZNT由于具有十分优异的压电与机电耦合性能而广受关注。作为与铁电材料的性能与应用密切相关的电畴结构在这类单晶中也有明显的特点 ,即随温度、电场和组分的变化 ,电畴结构可发生微畴 宏畴的转化。本文采用偏光显微镜、扫描电声显微镜 (SEAM)、微分干涉衬度显微镜 (DIC)、扫描电子显微镜 (SEM)与透射电子显微镜 (TEM)等多种实验手段对系列组分的PMNT晶体的电畴结构进行了观察研究。发现由纯PMN开始 ,随PbTiO3 的增加 ,室温下的晶体结构逐渐发生立方相 三方相 四方相的变化 ,其电畴结构在三方相区完成微畴 宏畴转化 ;在三方 -四方相变中 ,发生71°(或 1 0 9°)宏畴 - 90°宏畴的转化。在微畴 宏畴转化过程中 ,电畴的显示逐渐趋好 ,从肉眼无法识别至可以清楚识别。研究中发现PMNT76 / 2 4,PMNT70 / 30晶体中的电畴是一种畴宽细窄、畴壁微弯曲且断续延伸的不规则宏畴 ,其中存在非极性微区。结合前人对部分PZNT晶体电畴结构的观察结果 ,本文认为弛豫型铁电单晶的微畴 宏畴转化具有一个过渡性变化历程 ,即微畴 (光学均质体 )—亚微畴 (光学非均质体 ,不见畴壁 )—不规则宏畴—规则宏畴。具有不规则宏畴结构的晶体在介电性能上更偏向于弛豫型铁电体 ,具有规则宏畴的晶体则更偏? 展开更多

关键词 铁电单晶 电畴结构 畴转化

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扫描电声显微镜Ⅱ

16

作者 殷庆瑞 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期46-46,共1页

扫描电声显微术(SEAM)是把现代电子光学技术、电声技术、压电传感技术、弱信号检测和图像处理技术以及计算机技术融为一体的一种新型的无损分析和显微成像技术。它既具有声学显微术非破坏性内部成像的本领,又具有电子显微术高分辨率和... 扫描电声显微术(SEAM)是把现代电子光学技术、电声技术、压电传感技术、弱信号检测和图像处理技术以及计算机技术融为一体的一种新型的无损分析和显微成像技术。它既具有声学显微术非破坏性内部成像的本领,又具有电子显微术高分辨率和快速成像的特点。它的独特的成像机理是基于材料的微观电学和热弹性能的变化,用它能获取目前其它手段无法得到的信息。它可以原位(in situ)观察试样的二次电子像(SEM)、电声像(SEAM)、热释电像和EBIC(V)像。 展开更多

关键词 扫描电声显微镜 电声成像机理 电声显微术

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高控位精度横向模压电微位移器的研究 被引量：1

17

作者 张望重 陈大任 朱精敏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B05期108-110,共3页

介绍了d31 横向伸缩模式压电微位移驱动器的制作过程 ,应用高稳定的填满钨青铜型压电陶瓷作为该器件制备的基料 ,利用P -F干涉仪原理测量了电场 -位移特性曲线 ,由此计算了压电常数d31 ,并进行了讨论。该器件具有电控应变 (位移 )线性... 介绍了d31 横向伸缩模式压电微位移驱动器的制作过程 ,应用高稳定的填满钨青铜型压电陶瓷作为该器件制备的基料 ,利用P -F干涉仪原理测量了电场 -位移特性曲线 ,由此计算了压电常数d31 ,并进行了讨论。该器件具有电控应变 (位移 )线性度高、滞后量小以及结构简单、制作工艺方便等特点 ,它在精密光学等技术领域有一定应用价值。 展开更多

关键词 压电陶瓷 微位移驱动器 逆压电效应 压电常数

全文增补中

钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究 被引量：1

18

作者 黄红伟 DONG Ming +1 位作者 YE Zuo-Guang 冯锡淇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期29-34,共6页

完成了钆离子（Ｇｄ３＋＋）掺杂钨酸铅晶体在４０～６００℃、１～１０６Ｈｚ范围内介电性能的测量．在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰，记为α峰，其激活能为０５０±０，０１ｅＶ，频率因子ｖ＝１．４４×１０９．而在降... 完成了钆离子（Ｇｄ３＋＋）掺杂钨酸铅晶体在４０～６００℃、１～１０６Ｈｚ范围内介电性能的测量．在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰，记为α峰，其激活能为０５０±０，０１ｅＶ，频率因子ｖ＝１．４４×１０９．而在降温过程中，除α峰外还出现了另一介电弛豫峰，记为β峰，其激活能为 ０．５１±０．２ｅＶ，频率因子Ｖ＝２．４４×１０６．α峰和 β 峰均可用 Ｄｅｂｙｅ方程来描述，而其相对强度呈此消彼长的趋势．分析了Ｇｄ：ＰＷＯ中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系，并讨论了它们与ＰＷＯ晶体闪烁性能变化之间的关系． 展开更多

关键词 介电驰豫 钨酸铅晶体 偶极缺陷 钆 掺杂 介电性能 固体闪烁晶体 闪烁性能

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