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集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
1
作者
李博
王磊
+3 位作者
刘凡宇
陈思远
陆江
舒磊
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第S02期512-526,共15页
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固...
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固技术的研究进展进行了介绍和总结,为抗辐射工艺加固技术的发展与应用提供了有益参考。
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关键词
工艺加固
总剂量效应
单粒子效应
集成电路
功率器件
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职称材料
题名
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
1
作者
李博
王磊
刘凡宇
陈思远
陆江
舒磊
机构
中国科学院
微电子研究所
中国科学院
大学
中国科学院抗辐照器件技术重点实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第S02期512-526,共15页
基金
国家重点研发计划(2022YFB4401700)
国家自然科学基金(U22B2043,62374184)。
文摘
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固技术的研究进展进行了介绍和总结,为抗辐射工艺加固技术的发展与应用提供了有益参考。
关键词
工艺加固
总剂量效应
单粒子效应
集成电路
功率器件
Keywords
radiation hardening by process
total ionizing dose effect
single event effect
integrated circuit
power device
分类号
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
李博
王磊
刘凡宇
陈思远
陆江
舒磊
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
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